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吉時(shí)利(lì)KEITHLEY源表(biǎo)測量(liáng)能力和(hé)主(zhǔ)要應用

日期：2018-07-11瀏(liú)覽(lǎn)：5774次(cì)

吉時利(lì)KEITHLEY源表(biǎo)在統一自動(dòng)特(tè)征(zhēng)分析(xī)套件中，集(jí)成測(cè)試係統整(zhěng)合各種測(cè)試(shì)硬件(jiàn)，具(jù)有全麵而(ér)*的測量能力(lì)：
·吉時(shí)利*的(dí)4200-SCS半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)特征分(fēn)析係統具有I-V源測量功(gōng)能(néng)和(hé)專(zhuān)業脈(mài)衝測(cè)試(shì)工(gōng)具(jù)包(bāo)，用於先(xiān)進半(bàn)導體(tǐ)材(cái)料測(cè)試的4200-PIV工(gōng)具(jù)包。
·2600係(xì)列數字源(yuán)表測(cè)試儀具有TSP-Link和測試腳(jiǎo)本(běn)處(chǔ)理(lǐ)器(TSP)，可(kě)在(zài)運行(háng)狀態(tài)下(xià)的NBTI測(cè)試或圓片(piàn)級器件特(tè)征(zhēng)分析等(děng)應用中實(shí)現可(kě)擴展的I-V通道係統，高(gāo)速(sù)並行測量和復雜(zá)測試序(xù)列等功(gōng)能(néng)。
·2400係(xì)列(liè)數(shù)字源表測試儀能(néng)夠(gòu)提供高電壓(yā)和高(gāo)電(diàn)流源，可用(yòng)於(yú)高功(gōng)率MOSFET和顯示(shì)驅(qū)動器測試等(děng)領(lǐng)域(yù)。
·此外(wài)ACS集成(chéng)測(cè)試(shì)係統(tǒng)還(huán)為(wéi)用戶(hù)提(tí)供可(kě)選(xuǎn)擇(zé)的(dí)開(kāi)關，C表和脈衝發生器(qì)等附件。
 
吉時利(lì)KEITHLEY源(yuán)表其(qí)中一些主(zhǔ)要(yào)應用(yòng)如：
·通(tōng)用超快(kuài)I-V測(cè)量。脈衝式(shì)I-V測試具有(yǒu)很廣(guǎng)泛(fàn)的應用(yòng)，它通(tōng)過使用窄(zhǎi)脈衝和/或(huò)低占空(kōng)比脈(mài)衝而(ér)不是直(zhí)流(liú)信號(hào)，能(néng)夠防止(zhǐ)器(qì)件自(zì)熱(rè)效(xiào)應。
·CMOS器件特征分析。4225-PMU/4225-RPM的(dí)高(gāo)速電壓(yā)源和(hé)電流(liú)測量靈敏(mǐn)度使(shǐ)得它們(mén)非常適合於(yú)CMOS器件的特征(zhēng)分析(xī)，包括高(gāo)k器(qì)件(jiàn)和先(xiān)進CMOS工(gōng)藝，如(rú)絕(jué)緣(yuán)體上(shàng)矽。
·非易(yì)失(shī)性存儲器測試。係(xì)統安(ān)裝的KTEI軟件提供(gōng)了(liǎo)用於閃存(cún)和相變存(cún)儲器(qì)器(qì)件測(cè)試的工具包。該(gāi)係統(tǒng)非常適合於單個存儲(chǔ)單(dān)元(yuán)或小規(guī)模存(cún)儲(chǔ)陣(zhèn)列的(dí)測(cè)試，例(lì)如研發或工(gōng)藝(yì)驗(yàn)證之(zhī)類的應(yīng)用。
·化合(hé)物半導體(tǐ)器件與材料的特(tè)征分析。能(néng)夠對(duì)III-V族材料(liào)進行特(tè)征分(fēn)析，例如氮化镓，砷化镓(jiā)和(hé)其它一些化合物半(bàn)導(dǎo)體。它允(yǔn)許用戶設置(zhì)一個脈衝偏(piān)移電壓，然後從非零值進(jìn)行測量(liáng)，從而(ér)研(yán)究器件(jiàn)的(dí)放大增益或綫(xiàn)性(xìng)度。
·NBTI/PBTI可靠性(xìng)測(cè)試(shì)。自(zì)動(dòng)特征(zhēng)分析(xī)套(tào)件(jiàn)軟(ruǎn)件還支持(chí)全自動晶圓級和晶匣級(jí)測(cè)試(shì)，內置NBTI/PBTI測(cè)試庫，具有簡潔易用(yòng)的(dí)GUI。

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