晶矽(guī)太陽能電(diàn)池(chí)板(bǎn)Crystalline silicon Solar panel
　　分(fēn)類(lèi)　　
1，矽(guī)太(tài)陽能電池
；
　　2，以(yǐ)無(wú)機(jī)鹽如(rú)砷(shēn)化(huà)镓(jiā)III-V化合物，硫(liú)化鎘(gé)，銅銦(yīn)硒等(děng)多元(yuán)化合物為材(cái)料的電(diàn)池
；
　　3，功能(néng)高分(fēn)子(zǐ)材料製(zhì)備的(dí)大陽(yáng)能電(diàn)池(chí)
；
4，納(nà)米(mǐ)晶太陽能電池(chí)等(děng)。
　　分類：晶體(tǐ)矽電池(chí)板：多(duō)晶矽太陽能電池，單(dān)晶(jīng)矽太陽(yáng)能電池(chí)。
　　非(fēi)晶(jīng)矽(guī)電池(chí)板：薄膜太陽(yáng)能電(diàn)池(chí)，有機太(tài)陽能電池(chí)。
　　化學(xué)染料電池(chí)板：染料(liào)敏化太陽能電池。

　　對(duì)太陽能(néng)電池(chí)材料(liào)一般的要求(qiú)
　　1，半(bàn)導體材料(liào)的禁(jīn)帶(dài)不(bù)能(néng)太(tài)寬
；
　　2，要有較高的光電(diàn)轉換效率(shuài)：
　　3，材(cái)料本身對環境不造(zào)成(chéng)汙(wū)染(rǎn)
；
　　4，材料便(biàn)於工(gōng)業化生(shēng)產且(qiě)材(cái)料性能穩(wěn)定(dìng)。

　　太陽能發電係(xì)統(tǒng)由(yóu)太陽(yáng)能電池組，太陽能控(kòng)製器(qì)，蓄電池（組(zǔ)）組(zǔ)成(chéng)。如輸出(chū)電(diàn)源為交流(liú)220V或(huò) 110V，還需要配置逆變器。各(gè)部分(fēn)的作用為：
　　（一(yī)）太陽(yáng)能(néng)電池板(bǎn)：太(tài)陽能(néng)電(diàn)池(chí)板是太陽(yáng)能(néng)發(fā)電係(xì)統中(zhōng)的核心部分(fēn)，也是(shì)太(tài)陽能發(fā)電(diàn)係統(tǒng)中(zhōng)價(jià)值(zhí)zui高(gāo)的部分(fēn)。其(qí)作用(yòng)是將太(tài)陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電(diàn)能(néng)，或送往(wǎng)蓄電池(chí)中(zhōng)存儲起來，或推動負(fù)載(zǎi)工作(zuò)。太陽能電(diàn)池(chí)板的質(zhì)量和成本(běn)將直(zhí)接決定整個係統(tǒng)的質量和(hé)成本。
　　（二(èr)）太陽能控(kòng)製器(qì)：太(tài)陽能(néng)控製器的作用(yòng)是控製(zhì)整個係(xì)統(tǒng)的工作(zuò)狀態(tài)，並對蓄(xù)電池起到過充電保(bǎo)護，過放電保護(hù)的(dí)作(zuò)用(yòng)。在(zài)溫差(chà)較(jiào)大的(dí)地方，合格的(dí)控製(zhì)器(qì)還應(yīng)具備(bèi)溫度補償(cháng)的功能(néng)。其他(tā)附加功(gōng)能如光(guāng)控開(kāi)關，時(shí)控(kòng)開(kāi)關都(dū)應(yīng)當是(shì)控製器的可(kě)選(xuǎn)項。
　　（三）蓄電(diàn)池：一般為鉛(qiān)酸(suān)電(diàn)池，一般(bān)有12V和24V這兩種，小(xiǎo)微(wēi)型(xíng)係(xì)統中(zhōng)，也(yě)可(kě)用(yòng)鎳氫電(diàn)池，鎳鎘(gé)電(diàn)池或鋰電(diàn)池(chí)。其(qí)作(zuò)用(yòng)是(shì)在有光照(zhào)時(shí)將(jiāng)太陽(yáng)能電池(chí)板所(suǒ)發(fā)出的電能(néng)儲(chǔ)存(cún)起來(lái)，到(dào)需要(yào)的時(shí)候再釋放出來。
　　（四）逆變器：在很多場合(hé)，都需(xū)要提供(gōng)AC220V，AC110V的交(jiāo)流(liú)電源(yuán)。由於太(tài)陽能(néng)的(dí)直接輸(shū)出(chū)一般(bān)都是(shì)DC12V，DC24V，DC48V。為能向AC220V的電(diàn)器提(tí)供電能，需(xū)要將(jiāng)太陽能發(fā)電係統(tǒng)所發(fā)出的(dí)直(zhí)流電能(néng)轉換成交(jiāo)流(liú)電(diàn)能，因此(cǐ)需(xū)要使用DC-AC逆(nì)變器(qì)。在某(mǒu)些場合(hé)，需要(yào)使(shǐ)用多種電壓的(dí)負載(zǎi)時，也要(yào)用(yòng)到(dào)DC-AC逆變器，如將(jiāng)24VDC的(dí)電(diàn)能(néng)轉換成5VDC的電能(néng)（注意，不是(shì)簡單的(dí)降(jiàng)壓）。

晶矽(guī)太陽能(néng)電池(chí)板材(cái)料
　　當前(qián)，晶體(tǐ)矽材(cái)料（包括多(duō)晶矽和(hé)單晶矽(guī)）是(shì)zui主要(yào)的(dí)光(guāng)伏(fú)材料，其*在90%以上(shàng),而且在今(jīn)後相當(dāng)長的一段(duàn)時(shí)期(qī)也依(yī)然是(shì)太陽能(néng)電(diàn)池的主流(liú)材料。多晶矽材料的生(shēng)產技(jì)術長期(qī)以來(lái)掌(zhǎng)握在美(měi)，日，德(dé)等3個國(guó)家(jiā)7個公(gōng)司的10家工廠手中，形成(chéng)技術封鎖，市場壟(lǒng)斷的狀(zhuàng)況。多晶矽的需(xū)求主要來自於(yú)半導體和太(tài)陽能(néng)電(diàn)池。按(àn)純(chún)度要求不同，分(fēn)為電(diàn)子(zǐ)級和太陽(yáng)能級(jí)。其(qí)中，用(yòng)於電子級(jí)多晶矽(guī)占55%左右(yòu)，太(tài)陽能(néng)級(jí)多(duō)晶矽占(zhān)45%，隨(suí)著(zhuó)光伏(fú)產(chǎn)業(yè)的迅猛(měng)發(fā)展，太(tài)陽(yáng)能電池(chí)對多(duō)晶矽需(xū)求量的增長速(sù)度高於半(bàn)導體多(duō)晶(jīng)矽的(dí)發展，預(yù)計(jì)到2008年太陽能(néng)多晶(jīng)矽的需(xū)求量(liáng)將(jiāng)超(chāo)過電(diàn)子(zǐ)級多晶矽(guī)。 1994年*太陽能(néng)電池的總(zǒng)產(chǎn)量隻有69MW，而(ér)2004年(nián)就接(jiē)近1200MW，在短短的(dí)10年(nián)裏就增(zēng)長(cháng)了(liǎo)17倍(bèi)。太陽能(néng)光伏(fú)產業在(zài)二(èr)十(shí)一世紀(jì)前半期將超過核電成(chéng)為zui重要的(dí)基礎能(néng)源之(zhī)一(yī)。

新型塗層研發(fā)成功(gōng)
　　美國倫斯(sī)勒理工學(xué)院研究人員(yuán)2008年開發(fā)出(chū)一(yī)種新型塗層，將(jiāng)其覆(fù)蓋(gài)在太(tài)陽能(néng)電池(chí)板(bǎn)上(shàng)能使後者(zhě)的(dí)陽光吸(xī)收(shōu)率(shuài)提高到(dào)96.2%，而普(pǔ)通(tōng)太(tài)陽(yáng)能電(diàn)池板的陽(yáng)光吸(xī)收率僅(jǐn)為(wéi)70%左(zuǒ)右。
　　新塗(tú)層(céng)主(zhǔ)要(yào)解(jiě)決了(liǎo)兩個技(jì)術(shù)難題(tí)，一是幫助(zhù)太(tài)陽(yáng)能(néng)電池(chí)板(bǎn)吸收幾乎全(quán)部(bù)的太陽光譜(pǔ)，二(èr)是使(shǐ)太(tài)陽能(néng)電(diàn)池(chí)板(bǎn)吸(xī)收來(lái)自(zì)更大角度的太(tài)陽(yáng)光(guāng)，從而(ér)提(tí)高(gāo)了太(tài)陽能電池(chí)板(bǎn)吸收(shōu)太(tài)陽(yáng)光的(dí)效率(shuài)。
　　普(pǔ)通太陽(yáng)能電池(chí)板通(tōng)常隻(zhī)能(néng)吸收部(bù)分太陽光譜，而(ér)且通常(cháng)隻在吸收直射的太(tài)陽光時(shí)工作(zuò)效率(shuài)較高(gāo)，因(yīn)此很多(duō)太(tài)陽能裝(zhuāng)置都配(pèi)備(bèi)自動調(tiáo)整係(xì)統，以保證(zhèng)太(tài)陽能(néng)電池(chí)板始(shǐ)終與太(tài)陽保(bǎo)持zui有(yǒu)利(lì)於吸收能(néng)量(liáng)的(dí)角度(dù)。

分(fēn)類

　　（1）單晶矽(guī)太陽能(néng)電(diàn)池
　　單(dān)晶矽(guī)太陽能(néng)電池的(dí)光(guāng)電(diàn)轉換(huàn)效(xiào)率為(wéi)15%左(zuǒ)右，zui高的(dí)達(dá)到24%，這是目(mù)前所有(yǒu)種(zhǒng)類(lèi)的(dí)太陽能電池中(zhōng)光(guāng)電轉(zhuǎn)換(huàn)效(xiào)率zui高(gāo)的(dí)，但製作成本很(hěn)大，以致(zhì)於它(tā)還不(bù)能(néng)被大(dà)量(liáng)廣泛(fàn)和(hé)普遍(biàn)地使用(yòng)。由於(yú)單晶矽(guī)一(yī)般采用鋼(gāng)化(huà)玻(bō)璃以及防水樹(shù)脂(zhī)進(jìn)行(háng)封(fēng)裝，因(yīn)此(cǐ)其堅固耐(nài)用(yòng)，使(shǐ)用(yòng)壽命(mìng)一(yī)般可達15年，zui高可(kě)達(dá)25年。
　　（2）多(duō)晶矽(guī)太陽(yáng)能(néng)電(diàn)池(chí)
　　多晶矽(guī)太陽電池(chí)的(dí)製作工藝與單晶矽太陽(yáng)電(diàn)池差(chà)不(bù)多，但(dàn)是(shì)多晶(jīng)矽(guī)太(tài)陽能電(diàn)池的光(guāng)電(diàn)轉(zhuǎn)換(huàn)效率(shuài)則(zé)要降低(dī)不少，其光電轉(zhuǎn)換效率約(yuē)12%左(zuǒ)右 （2004年7月(yuè)1日日本夏(xià)普上市效率(shuài)為14.8%的世界(jiè)zui率多晶(jīng)矽太陽能電池(chí)）。 從(cóng)製作成(chéng)本上來講(jiǎng)，比單晶矽太陽(yáng)能電(diàn)池要便(biàn)宜一些，材(cái)料(liào)製(zhì)造(zào)簡便(biàn)，節約(yuē)電耗，總(zǒng)的生產成本較低，因此(cǐ)得到大(dà)量(liáng)發展。此外，多(duō)晶矽太陽能(néng)電池(chí)的使用(yòng)壽命(mìng)也要比(bǐ)單晶(jīng)矽太(tài)陽(yáng)能電(diàn)池短(duǎn)。從(cóng)性(xìng)能價格(gé)比來講，單晶矽太陽能(néng)電(diàn)池還略(lüè)好(hǎo)。
　　（3）非晶矽太陽(yáng)能(néng)電池
　　非晶矽太(tài)陽電(diàn)池(chí)是1976年出(chū)現的新型(xíng)薄膜式太(tài)陽電(diàn)池(chí)，它(tā)與單晶矽(guī)和多(duō)晶(jīng)矽太陽(yáng)電(diàn)池(chí)的(dí)製作方法(fǎ)*不(bù)同(tóng)，工藝過程大大簡(jiǎn)化(huà)，矽(guī)材(cái)料消耗很少，電耗(hào)更(gēng)低，它的主(zhǔ)要(yào)優點是在(zài)弱(ruò)光條件(jiàn)也能發電。但(dàn)非晶矽太(tài)陽電池(chí)存在(zài)的(dí)主要(yào)問題是光電轉換(huàn)效率(shuài)偏(piān)低(dī)，目(mù)前(qián)先進(jìn)水(shuǐ)平為10%左(zuǒ)右(yòu)，且不夠穩(wěn)定，隨著時間(jiān)的延長(cháng)，其轉(zhuǎn)換效率衰(shuāi)減。
　　（4）多元化合物太陽電(diàn)池(chí)
　　多(duō)元(yuán)化合(hé)物(wù)太(tài)陽電池指不是用單一(yī)元素半導體(tǐ)材(cái)料(liào)製(zhì)成(chéng)的太(tài)陽(yáng)電(diàn)池。現(xiàn)在(zài)各(gè)國研究(jiū)的品(pǐn)種繁(fán)多(duō)，大多數尚(shàng)未(wèi)工(gōng)業(yè)化生(shēng)產(chǎn)，主要有以下幾種(zhǒng)：a） 硫化鎘(gé)太(tài)陽(yáng)能(néng)電池b） 砷(shēn)化镓(jiā)太(tài)陽(yáng)能電池(chí)c） 銅(tóng)銦硒太(tài)陽能(néng)電(diàn)池（新型多元(yuán)帶(dài)隙梯度(dù)Cu（In, Ga）Se2薄(báo)膜(mó)太(tài)陽(yáng)能電(diàn)池）
Cu（In, Ga）Se2是一種(zhǒng)性(xìng)能優良(liáng)太(tài)陽光(guāng)吸收(shōu)材(cái)料(liào)，具有(yǒu)梯(tī)度能(néng)帶間隙（導帶(dài)與價(jià)帶(dài)之間(jiān)的(dí)能(néng)級(jí)差）多元(yuán)的(dí)半導(dǎo)體材料(liào)，可以擴大太陽能吸(xī)收光譜範圍，進而提(tí)高光電(diàn)轉(zhuǎn)化效(xiào)率。以它為(wéi)基礎可以設計(jì)出(chū)光電轉換(huàn)效(xiào)率(shuài)比矽(guī)薄膜太(tài)陽(yáng)能電池明顯提(tí)高的(dí)薄膜太陽能電(diàn)池(chí)。可以達到的(dí)光(guāng)電(diàn)轉化率(shuài)為18%，而且(qiě)，此(cǐ)類(lèi)薄膜太(tài)陽(yáng)能(néng)電(diàn)池到(dào)目前為止(zhǐ)，未(wèi)發現(xiàn)有光輻射引(yǐn)致性能(néng)衰退效應（SWE），其光電(diàn)轉化(huà)效率比目(mù)前商(shāng)用的薄(báo)膜(mó)太陽能(néng)電(diàn)池(chí)板(bǎn)提(tí)高約50~75%，在薄膜太陽(yáng)能電池中(zhōng)屬於(yú)世(shì)界的zui高水平(píng)的光(guāng)電轉化(huà)效率。

矽(guī)係太陽(yáng)能(néng)電池(chí)
　　單晶矽太陽(yáng)能電(diàn)池(chí)
　　矽(guī)係(xì)列太(tài)陽(yáng)能(néng)電池(chí)中(zhōng)，單晶(jīng)矽太陽能(néng)電池(chí)轉(zhuǎn)換效率zui高， 技術(shù)也zui為(wéi)成熟。高性能單(dān)晶(jīng)矽電池是建立在高質量單(dān)晶(jīng)矽材料(liào)和相(xiāng)關的成(chéng)熱的加(jiā)工處理(lǐ)工(gōng)藝(yì)基礎(chǔ)上的。現(xiàn)在單晶(jīng)矽的電池(chí)工(gōng)藝(yì)己近(jìn)成(chéng)熟(shú)，在(zài)電池製作(zuò)中(zhōng)，一(yī)般(bān)都(dū)采用表麵織(zhī)構(gòu)化(huà)，發射區(qū)鈍化(huà)，分區(qū)摻(chān)雜(zá)等技術，開(kāi)發的電池(chí)主(zhǔ)要有平(píng)麵單(dān)晶矽電(diàn)池和刻槽埋柵電極單晶(jīng)矽電(diàn)池。提高(gāo)轉化(huà)效率主要是(shì)靠單晶矽表麵(miàn)微(wēi)結構(gòu)處理和分(fēn)區(qū)摻雜工(gōng)藝。在(zài)此(cǐ)方麵，德(dé)國(guó)夫(fū)朗霍費費萊(lái)堡(bǎo)太(tài)陽(yáng)能係(xì)統(tǒng)研(yán)究所(suǒ)保持著(zhuó)世界(jiè)水平。該研究(jiū)所采(cǎi)用光刻照(zhào)相技術(shù)將電池表(biǎo)麵織(zhī)構化，製(zhì)成倒金字塔結(jié)構(gòu)。並在表麵(miàn)把(bǎ)一(yī)13nm。厚(hòu)的氧化(huà)物鈍化(huà)層(céng)與(yǔ)兩層減反射塗(tú)層相結合．通(tōng)過(guò)改進了的電鍍(dù)過程(chéng)增加(jiā)柵極的(dí)寬度(dù)和高(gāo)度的比(bǐ)率(shuài)：通過(guò)以上製(zhì)得的電池(chí)轉(zhuǎn)化效(xiào)率超過23%，zui大值可(kě)達(dá)23．3%。Kyocera公司(sī)製(zhì)備(bèi)的(dí)大(dà)麵(miàn)積（225cm2）單(dān)電晶太陽(yáng)能電(diàn)池轉換效(xiào)率(shuài)為(wéi)19．44%，國內北(běi)京太陽能研(yán)究(jiū)所也積極(jí)進(jìn)行晶(jīng)體矽太陽(yáng)能電池的(dí)研究和開發(fā)，研(yán)製的平(píng)麵單晶矽電池（2cm X 2cm）轉(zhuǎn)換(huàn)效(xiào)率(shuài)達到19.79%，刻槽(cáo)埋(mái)柵電極晶體矽(guī)電池（5cm X 5cm）轉(zhuǎn)換效率達(dá)8.6%。
　　單晶矽太(tài)陽(yáng)能(néng)電(diàn)池(chí)轉(zhuǎn)換效率無疑是zui高(gāo)的(dí)，在大(dà)規(guī)模應(yīng)用和(hé)工業生產(chǎn)中仍占(zhān)據主導地位(wèi)，但由於受單(dān)晶矽材(cái)料價格(gé)及相(xiāng)應的(dí)繁(fán)瑣的電池工藝(yì)影響(xiǎng)，致使單晶矽成本價(jià)格(gé)居(jū)高不(bù)下，要想大幅(fú)度降低其成(chéng)本(běn)是非常(cháng)困(kùn)難的。為了節(jié)省高(gāo)質(zhì)量材料，尋找單(dān)晶(jīng)矽(guī)電池的替代產品，現在(zài)發(fā)展了薄(báo)膜(mó)太(tài)陽(yáng)能(néng)電池，其中多晶(jīng)矽(guī)薄膜(mó)太(tài)陽能電池和非晶(jīng)矽薄膜(mó)太陽能(néng)電池(chí)就(jiù)是典型(xíng)代表。

多(duō)晶(jīng)矽(guī)薄膜(mó)太陽能(néng)電池
　　通常(cháng)的晶(jīng)體矽太陽能(néng)電池(chí)是在(zài)厚(hòu)度350－450μm的(dí)高(gāo)質(zhì)量(liáng)矽片(piàn)上製成的，這種(zhǒng)矽(guī)片(piàn)從提拉(lā)或(huò)澆(jiāo)鑄的(dí)矽錠上鋸割而(ér)成。因(yīn)此(cǐ)實際消(xiāo)耗的(dí)矽(guī)材料更多(duō)。為(wéi)了節(jié)省材料，人們(mén)從(cóng)70年(nián)代中期(qī)就(jiù)開始(shǐ)在(zài)廉(lián)價襯底上(shàng)沉積(jī)多(duō)晶矽薄膜(mó)，但(dàn)由於(yú)生長的矽膜晶(jīng)粒大小(xiǎo)，未(wèi)能製成有價值的(dí)太(tài)陽(yáng)能(néng)電(diàn)池(chí)。為了獲得大(dà)尺寸(cùn)晶(jīng)粒的薄(báo)膜，人們一(yī)直(zhí)沒有停止過研(yán)究(jiū)，並提(tí)出(chū)了很多方(fāng)法。目前(qián)製備多(duō)晶矽(guī)薄膜電(diàn)池多(duō)采用化學氣相沉(chén)積(jī)法(fǎ)，包(bāo)括(kuò)低壓化(huà)學氣相沉積（LPCVD）和等(děng)離(lí)子(zǐ)增強(qiáng)化(huà)學氣相沉積（PECVD）工藝(yì)。此(cǐ)外，液相(xiāng)外(wài)延法（LPPE）和濺(jiàn)射(shè)沉積法(fǎ)也可用(yòng)來(lái)製備多(duō)晶(jīng)矽薄(báo)膜電池(chí)。
　　化學(xué)氣(qì)相沉積主(zhǔ)要是(shì)以SiH2Cl2，SiHCl3，Sicl4或(huò)SiH4,為(wéi)反應氣體(tǐ),在一(yī)定(dìng)的保(bǎo)護氣氛下反應(yīng)生(shēng)成(chéng)矽原子並沉(chén)積(jī)在加熱(rè)的襯(chèn)底上，襯底材(cái)料一(yī)般選(xuǎn)用Si，SiO2，Si3N4等。但研(yán)究發(fā)現(xiàn)，在(zài)非矽襯(chèn)底(dǐ)上(shàng)很難(nán)形成(chéng)較大的晶(jīng)粒(lì),並(bìng)且容(róng)易(yì)在晶粒間(jiān)形成(chéng)空(kōng)隙。解決(jué)這一問題辦法是先用 LPCVD在襯底上(shàng)沉(chén)熾一層(céng)較(jiào)薄的(dí)非晶矽層(céng)，再(zài)將(jiāng)這(zhè)層非晶(jīng)矽層退(tuì)火(huǒ)，得(dé)到(dào)較(jiào)大(dà)的晶(jīng)粒，然後再(zài)在這層籽晶上沉積(jī)厚的多晶(jīng)矽薄(báo)膜，因此，再結晶技(jì)術無疑是(shì)很重要(yào)的一(yī)個(gè)環(huán)節，目前采(cǎi)用(yòng)的(dí)技術主(zhǔ)要(yào)有固相(xiāng)結晶法和中(zhōng)區(qū)熔再結(jié)晶法。多(duō)晶矽薄膜(mó)電池除采用(yòng)了再結晶工(gōng)藝(yì)外，另外(wài)采用(yòng)了幾(jī)乎所有製(zhì)備(bèi)單晶(jīng)矽(guī)太(tài)陽能(néng)電池(chí)的(dí)技術(shù)，這(zhè)樣製(zhì)得的太陽(yáng)能電池轉換效(xiào)率(shuài)明顯(xiǎn)提(tí)高。德(dé)國(guó)費(fèi)萊堡太陽(yáng)能(néng)研究所(suǒ)采(cǎi)用(yòng)區(qū)館(guǎn)再結(jié)晶(jīng)技(jì)術在FZ Si襯底(dǐ)上製得的多晶矽電池轉換效率(shuài)為19%，日本三(sān)菱(líng)公司(sī)用該法(fǎ)製(zhì)備電池，效率達(dá)16.42%。
　　液相(xiāng)外(wài)延(yán)（LPE）法(fǎ)的原理是通過(guò)將矽熔(róng)融在母體(tǐ)裏，降(jiàng)低(dī)溫(wēn)度(dù)析出矽(guī)膜。美國(guó)Astropower公司(sī)采(cǎi)用(yòng)LPE製(zhì)備(bèi)的(dí)電池(chí)效(xiào)率達(dá)12．2%。中國(guó)光電(diàn)發展技(jì)術(shù)中(zhōng)心的陳(chén)哲(zhé)良(liáng)采(cǎi)用(yòng)液相(xiāng)外(wài)延法(fǎ)在冶金(jīn)級矽片(piàn)上生(shēng)長出矽晶粒(lì)，並設(shè)計(jì)了一(yī)種(zhǒng)類似(sì)於晶體矽薄膜(mó)太(tài)陽能(néng)電池(chí)的(dí)新(xīn)型(xíng)太陽(yáng)能電池，稱之為“矽(guī)粒(lì)”太陽能(néng)電(diàn)池，但有(yǒu)關性(xìng)能(néng)方麵(miàn)的報(bào)道(dào)還(huán)未見到(dào)。
　　多(duō)晶矽薄(báo)膜電(diàn)池(chí)由(yóu)於(yú)所(suǒ)使用(yòng)的(dí)矽遠(yuǎn)較單(dān)晶矽(guī)少，又無效率(shuài)衰(shuāi)退(tuì)問(wèn)題，並(bìng)且有可(kě)能(néng)在廉(lián)價襯底(dǐ)材料上製(zhì)備，其成本遠(yuǎn)低於(yú)單晶矽(guī)電(diàn)池(chí)，而效率(shuài)高(gāo)於(yú)非(fēi)晶(jīng)矽薄膜電(diàn)池(chí)，因(yīn)此(cǐ)，多(duō)晶矽薄膜電池(chí)不(bù)久(jiǔ)將會(huì)在(zài)太(tài)陽(yáng)能(néng)電(diàn)地(dì)市場上占(zhān)據主(zhǔ)導地位(wèi)。

非(fēi)晶矽薄(báo)膜(mó)太(tài)陽能電池(chí)
　　開(kāi)發(fā)太陽(yáng)能電(diàn)池的(dí)兩個關(guān)鍵問題就是(shì)：提(tí)高(gāo)轉換效率和(hé)　降低成本。由於非(fēi)晶(jīng)矽薄膜太陽能(néng)電(diàn)池的(dí)成本(běn)低(dī)，便於大(dà)規模生(shēng)產，普遍受到人們(mén)的(dí)重視並得(dé)到迅速(sù)發展(zhǎn)，其實(shí)早在(zài)70年(nián)代初，Carlson等(děng)就已經(jīng)開始了對非(fēi)晶(jīng)矽電(diàn)池的(dí)研製工作(zuò),近(jìn)幾年它的(dí)研製工(gōng)作得(dé)到(dào)了迅速發展,目前(qián)世界(jiè)上(shàng)己有(yǒu)許多家(jiā)公(gōng)司在(zài)生(shēng)產(chǎn)該種電池產品。
　　非(fēi)晶(jīng)矽作為(wéi)太(tài)陽(yáng)能材料(liào)盡管是一(yī)種很(hěn)好的(dí)電(diàn)池(chí)材(cái)料，但由(yóu)於(yú)其(qí)光學帶隙為1.7eV, 使得材(cái)料(liào)本(běn)身(shēn)對太陽(yáng)輻射(shè)光(guāng)譜的長波(bō)區域不敏感，這樣一來就(jiù)限製(zhì)了非晶矽太陽(yáng)能電(diàn)池(chí)的轉換(huàn)效率。此(cǐ)外(wài)，其(qí)光電效率會(huì)隨(suí)著光(guāng)照(zhào)時(shí)間(jiān)的(dí)延(yán)續而衰減，即所謂的(dí)光(guāng)致衰(shuāi)退S一(yī)W效(xiào)應，使(shǐ)得電池(chí)性能(néng)不穩(wěn)定(dìng)。解決這些問(wèn)題的這徑(jìng)就(jiù)是(shì)製備疊層太(tài)陽能(néng)電池，疊(dié)層太陽(yáng)能(néng)電池是(shì)由(yóu)在製(zhì)備(bèi)的p，i，n層(céng)單結太陽能電池(chí)上(shàng)再沉(chén)積(jī)一個或多個(gè)P-i-n子(zǐ)電池(chí)製(zhì)得的。疊(dié)層(céng)太(tài)陽(yáng)能電池(chí)提(tí)高轉換效(xiào)率(shuài)，解決單(dān)結(jié)電池(chí)不穩(wěn)定(dìng)性的關(guān)鍵(jiàn)問題在於：①它把不同(tóng)禁帶(dài)寬度(dù)的材科(kē)組(zǔ)台在(zài)一(yī)起，提高了(liǎo)光(guāng)譜的(dí)響應範圍
；②頂電池(chí)的i層較薄，光(guāng)照產(chǎn)生(shēng)的電場(cháng)強度(dù)變化不大(dà)，保證i層中(zhōng)的(dí)光(guāng)生載流子抽出
；③底電(diàn)池產生(shēng)的載(zǎi)流子(zǐ)約為單電池(chí)的一半(bàn)，光(guāng)致(zhì)衰(shuāi)退效應減小(xiǎo)
；④疊(dié)層太陽能(néng)電池(chí)各(gè)子電池是串(chuàn)聯(lián)在(zài)一起的。
　　非(fēi)晶(jīng)矽(guī)薄膜(mó)太陽能電(diàn)池的製備方法(fǎ)有(yǒu)很多，其中包括(kuò)反(fǎn)應濺(jiàn)射法(fǎ)，PECVD法，LPCVD法等，反(fǎn)應原料氣體(tǐ)為(wéi)H2稀釋(shì)的(dí)SiH4，襯(chèn)底主要(yào)為(wéi)玻(bō)璃(lí)及(jí)不(bù)鏽鋼片，製成(chéng)的非晶矽薄膜經(jīng)過不同的電(diàn)池工藝(yì)過(guò)程(chéng)可分別製(zhì)得單(dān)結電池(chí)和(hé)疊層(céng)太陽能電池。目前(qián)非(fēi)晶(jīng)矽太陽能電池(chí)的(dí)研究(jiū)取得(dé)兩大(dà)進展：*，三疊層結構非晶(jīng)矽(guī)太陽能電池(chí)轉換(huàn)效率(shuài)達到(dào)13%，創(chuàng)下新(xīn)的(dí)記錄(lù)
；第(dì)二.三疊(dié)層太(tài)陽(yáng)能(néng)電池年生產能(néng)力達(dá)5MW。美(měi)國聯合太(tài)陽能(néng)公(gōng)司(sī)（VSSC）製(zhì)得的單結太陽能(néng)電(diàn)池(chí)zui高轉(zhuǎn)換效(xiào)率(shuài)為9．3%，三(sān)帶(dài)隙(xì)三(sān)疊(dié)層(céng)電(diàn)池(chí)zui高轉(zhuǎn)換(huàn)效率(shuài)為13%，見(jiàn)表1
　　上述(shù)zui高轉換(huàn)效(xiào)率是在小麵(miàn)積（0．25cm2）電池(chí)上(shàng)取得的。曾(zēng)有(yǒu)文(wén)獻報道單結(jié)非(fēi)晶矽太(tài)陽(yáng)能電(diàn)池轉換(huàn)效率(shuài)超(chāo)過12．5%，日本中(zhōng)央研究院采用(yòng)一(yī)係列(liè)新(xīn)措施，製得(dé)的非(fēi)晶矽(guī)電池的轉(zhuǎn)換效(xiào)率為(wéi)13．2%。國(guó)內關(guān)於非晶矽(guī)薄膜電(diàn)池特別是疊(dié)層太陽(yáng)能電池(chí)的(dí)研(yán)究並不多，南(nán)開大(dà)學的(dí)耿(gěng)新華等(děng)采用工業用材(cái)料(liào)，以鋁背(bèi)電(diàn)極(jí)製(zhì)備(bèi)出麵積為(wéi)20X20cm2，轉(zhuǎn)換(huàn)效率(shuài)為8．28%的(dí)a－Si/a－Si疊層(céng)太陽(yáng)能電池。
　　非晶矽太(tài)陽能電池由(yóu)於具有(yǒu)較高(gāo)的(dí)轉(zhuǎn)換(huàn)效率和(hé)較(jiào)低的成本(běn)及重(zhòng)量輕等(děng)特點(diǎn)，有(yǒu)著極(jí)大(dà)的潛(qián)力。但(dàn)同(tóng)時由於(yú)它的穩定(dìng)性(xìng)不高，直(zhí)接影(yǐng)響了它的實際(jì)應用(yòng)。如(rú)果能進(jìn)一步解決(jué)穩(wěn)定性問(wèn)題(tí)及(jí)提高(gāo)轉換(huàn)率問(wèn)題，那麼，非(fēi)晶矽大陽能電池無(wú)疑是(shì)太(tài)陽能(néng)電池的(dí)主要發展產品之(zhī)一。

多元(yuán)化(huà)合(hé)物薄(báo)膜太(tài)陽(yáng)能電池
　　為了尋找單晶(jīng)矽電(diàn)池(chí)的替代品(pǐn),人(rén)們除(chú)開發了多晶矽，非晶(jīng)矽薄膜太(tài)陽(yáng)能電(diàn)池(chí)外，又不(bù)斷研製其(qí)它材(cái)料的太陽能(néng)電(diàn)池(chí)。其(qí)中主要包括(kuò)砷化(huà)镓(jiā)III-V族(zú)化合(hé)物(wù)，硫(liú)化鎘(gé)，硫(liú)化(huà)鎘(gé)及銅錮(gù)硒(xī)薄(báo)膜電池等(děng)。上述(shù)電池中，盡管硫(liú)化鎘，碲化鎘(gé)多晶薄(báo)膜電池的(dí)效率較(jiào)非晶矽(guī)薄膜太(tài)陽能(néng)電池效(xiào)率(shuài)高(gāo)，成本較單晶(jīng)矽電(diàn)池低(dī)，並且也易於(yú)大規模生(shēng)產，但(dàn)由(yóu)於(yú)鎘有(yǒu)劇(jù)毒(dú)，會(huì)對環境(jìng)造成嚴(yán)重的汙染(rǎn)，因此，並(bìng)不(bù)是(shì)晶(jīng)體(tǐ)矽太陽(yáng)能(néng)電池的(dí)替(tì)代。
　　砷化镓(jiā)III-V化合物及(jí)銅銦硒(xī)薄膜電池由於具有較高(gāo)的轉換(huàn)效率受到(dào)人們(mén)的(dí)普(pǔ)遍(biàn)重(zhòng)視。GaAs屬於(yú)III-V族(zú)化(huà)合(hé)物半(bàn)導(dǎo)體材料(liào)，其(qí)能(néng)隙(xì)為(wéi)1．4eV，正好(hǎo)為(wéi)高(gāo)吸收(shōu)率(shuài)太陽光的值，因(yīn)此，是(shì)很理(lǐ)想的(dí)電池材(cái)料。GaAs等III-V化合(hé)物(wù)薄(báo)膜(mó)電池的(dí)製(zhì)備主(zhǔ)要采用(yòng) MOVPE和LPE技(jì)術(shù)，其(qí)中(zhōng)MOVPE方(fāng)法製備GaAs薄(báo)膜電池(chí)受襯底位錯，反(fǎn)應(yīng)壓力，III-V比率，總(zǒng)流量等諸多參數的影(yǐng)響。
　　除(chú)GaAs外(wài)，其它III-V化(huà)合(hé)物如Gasb，GaInP等(děng)電池材料也(yě)得到(dào)了開發(fā)。1998年(nián)德國費(fèi)萊堡太陽能(néng)係(xì)統(tǒng)研究所(suǒ)製得的GaAs太(tài)陽(yáng)能電池轉換效率(shuài)為24．2%，為歐(ōu)洲(zhōu)記(jì)錄。製備的GaInP電池(chí)轉換效率為(wéi)14．7%．見(jiàn)表(biǎo)2。另外，該研(yán)究(jiū)所還(huán)采(cǎi)用堆疊結(jié)構製(zhì)備(bèi)GaAs，Gasb電池，該(gāi)電池是將(jiāng)兩(liǎng)個(gè)獨(dú)立的電(diàn)池堆(duī)疊(dié)在一起，GaAs作為上電池，下電池用(yòng)的是Gasb,所得(dé)到的電池效率(shuài)達(dá)到(dào)31．1%。
　　銅銦硒(xī)CuInSe2簡稱CIC。CIS材料(liào)的(dí)能降為1．leV，適於(yú)太陽(yáng)光的光(guāng)電轉(zhuǎn)換,另(lìng)外(wài)，CIS薄(báo)膜太陽(yáng)電池(chí)不(bù)存(cún)在光(guāng)致衰(shuāi)退問(wèn)題(tí)。因此，CIS用作高轉(zhuǎn)換效(xiào)率(shuài)薄(báo)膜(mó)太陽能電池(chí)材料(liào)也(yě)引起了人(rén)們的注目(mù)。
　　CIS電(diàn)池薄(báo)膜(mó)的製備(bèi)主要有真空蒸鍍法(fǎ)和硒(xī)化(huà)法。真空蒸(zhēng)鍍法是采(cǎi)用各自的蒸(zhēng)發(fā)源(yuán)蒸鍍(dù)銅(tóng)，銦和(hé)硒，硒(xī)化法(fǎ)是(shì)使(shǐ)用H2Se疊(dié)層膜硒(xī)化(huà)，但(dàn)該法(fǎ)難以(yǐ)得(dé)到組(zǔ)成(chéng)均(jūn)匀(yún)的CIS。CIS薄(báo)膜(mó)電池從80年代(dài)zui初8%的(dí)轉(zhuǎn)換效(xiào)率發(fā)展到(dào)目前的15%左右(yòu)。日本(běn)鬆下(xià)電(diàn)氣(qì)工業(yè)公司(sī)開發的摻镓(jiā)的(dí)CIS電池，其光電(diàn)轉換(huàn)效(xiào)率(shuài)為(wéi)15．3%（麵積1cm2）。1995年美國可再生(shēng)能源研究室研(yán)製出轉(zhuǎn)換效率(shuài)為17．l%的CIS太(tài)陽能電(diàn)池(chí)，這(zhè)是迄(qì)今為止世(shì)界(jiè)上該電池(chí)的(dí)zui高(gāo)轉換效率。預(yù)計到(dào)2000年CIS電(diàn)池的轉換(huàn)效率(shuài)將(jiāng)達到(dào)20%，相(xiāng)當於(yú)多晶(jīng)矽(guī)太(tài)陽能電池。
　　CIS作(zuò)為太陽(yáng)能電池的半(bàn)導體(tǐ)材料，具有(yǒu)價(jià)格(gé)低廉，性(xìng)能(néng)良好(hǎo)和工藝(yì)簡(jiǎn)單(dān)等(děng)優點，將(jiāng)成(chéng)為(wéi)今(jīn)後(hòu)發(fā)展太(tài)陽(yáng)能電池的一個重(zhòng)要方向。*的問題(tí)是(shì)材料的(dí)來源(yuán)，由(yóu)於銦(yīn)和(hé)硒都(dū)是(shì)比(bǐ)較稀(xī)有的元(yuán)素，因此(cǐ)，這(zhè)類電池的(dí)發(fā)展又(yòu)必然受到限(xiàn)製。

聚合物多層修飾(shì)電極型(xíng)太陽能電池
　　在太陽能電(diàn)池中(zhōng)以聚(jù)合物代替(tì)無機(jī)材料是剛(gāng)剛(gāng)開始(shǐ)的一個太(tài)陽能電(diàn)池(chí)製備的研究(jiū)方(fāng)向。其原理是利用(yòng)不(bù)同氧(yǎng)化還原型聚合(hé)物(wù)的(dí)不同氧(yǎng)化還(huán)原電勢(shì)，在(zài)導電材料（電極(jí)）表麵進行多(duō)層復(fù)合(hé)，製成類(lèi)似無機(jī)P－N結的(dí)單向導電裝置。其中一個電極的(dí)內層由(yóu)還原電位較(jiào)低(dī)的聚(jù)合(hé)物(wù)修飾，外層(céng)聚合物(wù)的還(huán)原(yuán)電(diàn)位(wèi)較高(gāo)，電(diàn)子(zǐ)轉移(yí)方向(xiàng)隻能由內層向(xiàng)外層(céng)轉移
；另(lìng)一個電(diàn)極(jí)的(dí)修(xiū)飾正好相反，並(bìng)且(qiě)*個電極(jí)上(shàng)兩種聚合物(wù)的還(huán)原(yuán)電位(wèi)均(jūn)高(gāo)於後(hòu)者的兩(liǎng)種聚合(hé)物的還原(yuán)電(diàn)位(wèi)。當(dāng)兩個修(xiū)飾(shì)電極(jí)放(fàng)入含有光(guāng)敏(mǐn)化(huà)劑(jì)的電(diàn)解(jiě)波(bō)中時(shí)．光(guāng)敏化(huà)劑吸光後(hòu)產(chǎn)生的(dí)電子(zǐ)轉移(yí)到還(huán)原(yuán)電(diàn)位較低(dī)的電極(jí)上(shàng)，還原電(diàn)位較低電極上(shàng)積累的(dí)電(diàn)子不(bù)能(néng)向(xiàng)外層(céng)聚合(hé)物(wù)轉移，隻能(néng)通(tōng)過外電(diàn)路通過還原電位(wèi)較高的(dí)電(diàn)極回(huí)到(dào)電解液，因此外(wài)電路中(zhōng)有光電(diàn)流(liú)產(chǎn)生。
　　由於有機(jī)材(cái)料(liào)柔(róu)性好，製作容(róng)易(yì)，材(cái)料(liào)來源(yuán)廣(guǎng)泛，成本(běn)底等優(yōu)勢(shì)，從而對(duì)大規(guī)模(mó)利(lì)用(yòng)太陽能(néng)，提供(gōng)廉價(jià)電能(néng)具有重(zhòng)要(yào)意(yì)義。但以(yǐ)有機材料(liào)製備(bèi)太(tài)陽能電(diàn)池(chí)的(dí)研究僅僅剛開始，不(bù)論是使(shǐ)用壽命(mìng)，還(huán)是電(diàn)池(chí)效(xiào)率都(dū)不(bù)能和無(wú)機(jī)材料(liào)特別(bié)是(shì)矽電(diàn)池相比。能否(fǒu)發(fā)展(zhǎn)成為(wéi)具有實(shí)用意義的產(chǎn)品(pǐn)，還有(yǒu)待(dài)於進(jìn)一步(bù)研究探索。

納米(mǐ)晶(jīng)化(huà)學(xué)太陽能電池
　　在太(tài)陽能電(diàn)池中(zhōng)矽係太陽能(néng)電(diàn)池無疑是(shì)發展zui成(chéng)熟的，但(dàn)由於成(chéng)本(běn)居高不下，遠不(bù)能(néng)滿(mǎn)足(zú)大規(guī)模推廣應用(yòng)的(dí)要(yào)求。為(wéi)此，人(rén)們一(yī)直(zhí)不(bù)斷(duàn)在(zài)工藝(yì)，新(xīn)材(cái)料(liào)，電池(chí)薄(báo)膜化(huà)等(děng)方麵進(jìn)行探索(suǒ)，而(ér)這當中新(xīn)近(jìn)發(fā)展的(dí)納米TiO2晶(jīng)體(tǐ)化學(xué)能太陽(yáng)能電(diàn)池受到國(guó)內外科(kē)學(xué)家的(dí)重視(shì)。
　　自瑞士(shì)Gratzel教(jiào)授(shòu)研製成功納米TiO2化學(xué)大陽(yáng)能電池以來，國內(nèi)一些單(dān)位也正(zhèng)在(zài)進行這(zhè)方(fāng)麵的(dí)研(yán)究。納米晶(jīng)化(huà)學(xué)太陽能電池（簡稱(chēng)NPC電池(chí)）是(shì)由(yóu)一種(zhǒng)在禁(jīn)帶半(bàn)導體(tǐ)材料(liào)修(xiū)飾，組(zǔ)裝到另一(yī)種(zhǒng)大能隙半(bàn)導體(tǐ)材(cái)料(liào)上形成(chéng)的(dí)，窄禁帶半(bàn)導(dǎo)體材(cái)料(liào)采(cǎi)用過渡金屬(shǔ)Ru以及(jí)Os等的有(yǒu)機化合物(wù)敏化(huà)染(rǎn)料(liào)，大能隙半(bàn)導體(tǐ)材料(liào)為納(nà)米多晶TiO2並(bìng)製成電(diàn)極(jí)，此(cǐ)外(wài)NPC電池還(huán)選用適(shì)當(dāng)的氧(yǎng)化(huà)一(yī)還(huán)原電(diàn)解質。納米晶TiO2工作原理(lǐ)：染(rǎn)料分(fēn)子吸(xī)收(shōu)太陽(yáng)光(guāng)能(néng)躍遷到激(jī)發態，激發(fā)態(tài)不(bù)穩定，電(diàn)子快(kuài)速(sù)注(zhù)入(rù)到(dào)緊(jǐn)鄰的TiO2導帶，染料中(zhōng)失去的(dí)電(diàn)子(zǐ)則很快從電解質中得(dé)到補(bǔ)償，進(jìn)入(rù)TiO2導帶中的(dí)電於zui終(zhōng)進入(rù)導(dǎo)電膜,然後通(tōng)過外回(huí)路產生光電流。
納米(mǐ)晶TiO2太(tài)陽(yáng)能(néng)電(diàn)池的(dí)優(yōu)點在於它廉(lián)價的成(chéng)本和(hé)簡單(dān)的(dí)工藝(yì)及(jí)穩定的(dí)性能。其光(guāng)電(diàn)效率穩定在10%以上，製作成本(běn)僅為矽(guī)太陽電池(chí)的1/5－1/10．壽(shòu)命能(néng)達(dá)到(dào)2O年以(yǐ)上(shàng)。但由於(yú)此類電池(chí)的研(yán)究和開發剛剛起(qǐ)步，估(gū)計不久(jiǔ)的(dí)將來會逐(zhú)步(bù)走上(shàng)市(shì)場(cháng)。　

組件(jiàn)測試條件(jiàn)
　　（1）由於(yú)太陽(yáng)能(néng)組件的(dí)輸(shū)出(chū)功率取決(jué)於太(tài)陽輻(fú)照(zhào)度和太陽能電池溫(wēn)度等(děng)因素，因(yīn)此(cǐ)太(tài)陽能電池組(zǔ)件(jiàn)的測(cè)量在(zài)標(biāo)準條件下（STC）進(jìn)行，標準條件定(dìng)義(yì)為：
　　大氣(qì)質量(liáng)AM1.5， 光照強度(dù)1000W/m2，溫度25℃。
　　（2）在(zài)該(gāi)條(tiáo)件下，太(tài)陽能(néng)電池(chí)組(zǔ)件(jiàn)所(suǒ)輸(shū)出的(dí)zui大功率(shuài)稱(chēng)為(wéi)峰值(zhí)功率，在很多(duō)情(qíng)況下，組件的峰值功率通常用太陽(yáng)能模擬儀測定。影響(xiǎng)太(tài)陽(yáng)能(néng)電池(chí)組(zǔ)件輸出性能的主要(yào)因素有(yǒu)以下幾點：
　　1）負(fù)載阻(zǔ)抗(kàng)
　　2）日(rì)照(zhào)強度
　　3）溫度(dù)
　　4）陰(yīn)影 [2]

應用領域(yù)
　　1.用戶(hù)太(tài)陽能電源：（1）小型(xíng)電源(yuán)10-100W不等(děng)，用於邊遠無電地區如高原，海(hǎi)島(dǎo)，牧區，邊防哨(shào)所等軍民(mín)生活(huó)用電，如(rú)照(zhào)明(míng)，電視，收錄機等
；（2）3-5KW家(jiā)庭屋頂並(bìng)網(wǎng)發(fā)電係(xì)統(tǒng)
；（3）光伏(fú)水泵(bèng)：解(jiě)決無(wú)電地(dì)區的(dí)深水(shuǐ)井(jǐng)飲(yǐn)用，灌溉(gài)。
　　2. 交通(tōng)領(lǐng)域(yù)：如航(háng)標(biāo)燈，交通(tōng)/鐵(tiě)路信號燈(dēng)，交(jiāo)通警(jǐng)示(shì)/標誌燈，宇(yǔ)翔(xiáng)路燈，高(gāo)空障(zhàng)礙燈，高速公路(lù)/鐵路無綫亭，無(wú)人(rén)值守(shǒu)道班供電等(děng)。
　　3. 通(tōng)訊/通信領(lǐng)域(yù)：太陽能無(wú)人(rén)值(zhí)守微波(bō)中繼站，光纜維(wéi)護(hù)站，廣播/通(tōng)訊(xùn)/尋(xún)呼電(diàn)源(yuán)係統
；農村(cūn)載(zǎi)波光伏係(xì)統(tǒng)，小型通(tōng)信機，士兵(bīng)GPS供(gōng)電等(děng)。
　　4. 石(shí)油，海洋，氣(qì)象領(lǐng)域：石(shí)油管道和水庫(kù)閘(zhá)門陰極(jí)保護太(tài)陽能電源係統(tǒng)，石油(yóu)鑽(zuān)井平(píng)台生活(huó)及應急(jí)電源(yuán)，海洋檢測(cè)設(shè)備，氣(qì)象(xiàng)/水(shuǐ)文觀(guān)測(cè)設備等。
　　5.家(jiā)庭燈具電源(yuán)：如(rú)庭院燈，路燈(dēng)，手提燈，野(yě)營燈，登山燈，垂(chuí)釣燈，黑光(guāng)燈(dēng)，割膠燈(dēng)，節能(néng)燈(dēng)等。
　　6.光伏電站(zhàn)：10KW-50MW獨立(lì)光(guāng)伏(fú)電站(zhàn)，風(fēng)光(guāng)（柴(chái)）互(hù)補電站，各種(zhǒng)大型(xíng)停車廠(chǎng)充電站等。
　　7.太(tài)陽能建(jiàn)築：將太陽能(néng)發電與(yǔ)建築(zhù)材料(liào)相結合(hé)，使得未來的(dí)大(dà)型建築(zhù)實現電力(lì)自給(gěi)，是(shì)未來(lái)一(yī)大(dà)發(fā)展方向。
　　8.其他領(lǐng)域包(bāo)括：（1）與(yǔ)汽(qì)車配套：太陽能(néng)汽車/電動車(chē)，電(diàn)池充電設備，汽車(chē)空(kōng)調(tiáo)，換氣(qì)扇，冷飲(yǐn)箱(xiāng)等(děng)
；（2）太陽能製(zhì)氫(qīng)加燃料電(diàn)池的(dí)再(zài)生(shēng)發(fā)電係統(tǒng)
；（3）海水(shuǐ)淡(dàn)化(huà)設(shè)備供電
；（4）衛(wèi)星(xīng)，航天(tiān)器(qì)，空間(jiān)太(tài)陽(yáng)能電(diàn)站等。

　目(mù)前美國(guó)，歐洲各(gè)國特(tè)別是德國(guó)及(jí)日本，印(yìn)度等(děng)都在大力發展太陽電池應(yīng)用，開始實(shí)施的"十(shí)萬屋頂(dǐng)"計劃，"百萬屋(wū)頂"計劃(huá)等(děng)，極(jí)大地(dì)推動了光伏(fú)市(shì)場的發(fā)展(zhǎn)，前途十(shí)分(fēn)光(guāng)明(míng)。