中(zhōng)國電(diàn)子(zǐ)行業(yè)儀(yí)器(qì)供(gōng)應(yīng)商——堅融(róng)實業(yè)JETYOO INDUSTRIAL，專(zhuān)業為中國區用(yòng)戶提(tí)供的(dí)儀(yí)器與服(fú)務(wù)，在業界積累(léi)了16年豐(fēng)富(fù)經驗，提(tí)供(gōng)解決(jué)方(fāng)案，測試測量(liáng)技(jì)術改(gǎi)進(jìn)，技(jì)術培訓(xùn)，售後(hòu)維修服(fú)務。Support，銷售Sale，服(fú)務(wù)Service，3S公司(sī)，為上海(hǎi)華東地區*一(yī)家以技術為(wéi)導(dǎo)向(xiàng)的儀(yí)器綜合服務商。

SD/eMMC Expert測試分析儀(yí)eMMC(embeded MultiMedia Card)解決方案
看(kàn)好(hǎo)未(wèi)來智慧(huì)型手(shǒu)機成(chéng)長潛(qián)力，eMMC(embeded MultiMedia Card)解決(jué)方(fāng)案在NAND Flash產業應用(yòng)中快(kuài)速(sù)崛起，尤其(qí)是eMMC4.4版(bǎn)本規(guī)格(gé)定調後，更(gēng)是讓eMMC勢(shì)力(lì)如虎添(tiān)翼(yì)，NAND Flash大廠(chǎng)紛紛推出(chū)eMMC新(xīn)解決方案，搶攻(gōng)這(zhè)一波智慧型手(shǒu)機的商(shāng)機。美(měi)光(guāng)(Micron)NAND Flash事業(yè)部(bù)門工程總監(jiān)Daniel R. Loughmiller表示(shì)，相當看好eMMC解(jiě)決方案(àn)會(huì)在手(shǒu)機內建式(shì)記(jì)憶(yì)體(tǐ)市場中快速成(chéng)長，美(měi)光的(dí)MCP業務預(yù)計也受惠eMMC趨勢往上而逐漸成長(cháng)，預計(jì)2013年(nián)上看(kàn)8.35億美(měi)元(yuán)規模，目前eMMC解決方案(àn)已送往5大手機廠(chǎng)作(zuò)認(rèn)證，有(yǒu)信心2010年其中2~3家(jiā)手(shǒu)機廠(chǎng)可進(jìn)入量產。

過(guò)去(qù)在外(wài)接(jiē)式記憶(yì)卡時(shí)代(dài)，SD和MMC規格競爭(zhēng)激(jī)烈，zui後由SD規格(gé)獲得市(shì)場主(zhǔ)流地位，然(rán)風水(shuǐ)輪轉到內建式記(jì)憶卡時(shí)代，SD和(hé)MMC規格分別推(tuī)出eSD和eMMC內(nèi)建(jiàn)式記憶體(tǐ)標(biāo)準，而eMMC標(biāo)準挾持開(kāi)放式規格(gé)的優勢，加(jiā)上與(yǔ)JEDEC協(xié)會合(hé)作，因(yīn)此(cǐ)eMMC目(mù)前成(chéng)為(wéi)手機內(nèi)建記憶體解決方案(àn)的(dí)主(zhǔ)流。而eMMC標準規格(gé)經歷4.2和(hé)4.3規格(gé)後(hòu)，到(dào)4.4規格才算成(chéng)熟(shú)。

根據市調機構(gòu)預(yù)估(gū)，2009年手機(jī)出貨量(liáng)約11.75億支，預計到(dào)了2013年(nián)將成長(cháng)至14.9億支(zhī)，而市(shì)場(cháng)眾望(wàng)所(suǒ)歸智(zhì)慧型手機(jī)的成(chéng)長(cháng)潛力(lì)zui高。

Loughmiller表(biǎo)示(shì)，手機中(zhōng)的記(jì)憶(yì)體需(xū)要肩負(fù)兩個責(zé)任，一個是OS開機中能(néng)，另(lìng)一(yī)是儲存(cún)數位資料(liào)的功能，舊款(kuǎn)手機(jī)多使用NOR Flash晶(jīng)片，像(xiàng)是OneNAND概念的(dí)產品，但因為NOR Flash的(dí)儲(chǔ)存容量相(xiāng)當有限(xiàn)，因(yīn)此(cǐ)eMMC解決方案問(wèn)世後(hòu)，手機(jī)記憶(yì)體(tǐ)逐漸(jiàn)轉(zhuǎn)向采用NAND Flash晶片(piàn)。

美(měi)光(guāng)內(nèi)部預估，2009年MCP業務(wù)營收貢獻達(dá)2.55億(yì)美元(yuán)，預計在(zài)2013年上(shàng)看8.35億美元，而(ér)MCP業務規(guī)模(mó)會成長快速，主要是受惠eMMC趨(qū)勢和以(yǐ)NAND Flash記憶(yì)體為基礎的(dí)手機(jī)解決方案興起所致(zhì)。

美(měi)光(guāng)也(yě)估計(jì)，2010年的(dí)eMMC市場(cháng)會(huì)到15億(yì)美(měi)元(yuán)，預計到2011年會(huì)達到20億(yì)美(měi)元手機(jī)內(nèi)建(jiàn)式(shì)記憶(yì)體的普及率(shuài)到2012年(nián)會達(dá)90%，eMMC解(jiě)決方案會在手(shǒu)機(jī)內(nèi)建(jiàn)式記(jì)憶(yì)體(tǐ)市場中快速(sù)增加(jiā)。目(mù)前美(měi)光提供的eMMC產品容量(liáng)從(cóng)1GB到32GB。

Loughmiller進(jìn)一(yī)步(bù)表示，目(mù)前針對5大(dà)手機(jī)廠(chǎng)諾基亞(Nokia)，三星電子(Samsung Electronics)，摩托羅(luó)拉(lā)(Motorola)和樂金(jīn)電(diàn)子(LG Electronics)，美光(guāng)都(dū)開始(shǐ)將旗(qí)下(xià)eMMC產(chǎn)品(pǐn)送(sòng)認證(zhèng)，預(yù)計其(qí)中(zhōng)2~3家2010年可(kě)以(yǐ)進入(rù)量產，期望未來(lái)2~3年(nián)內(nèi)，5大手(shǒu)機廠都會(huì)導(dǎo)入eMMC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格(gé)。

eMMC規格的優點在於簡(jiǎn)化(huà)手(shǒu)機中(zhōng)硬(yìng)體(tǐ)和軟體的整(zhěng)合，也簡化(huà)手(shǒu)機中(zhōng)NAND Flash記憶體(tǐ)的設(shè)計(jì)，手(shǒu)機(jī)廠不需要(yào)擔心每推出一個世代(dài)的NAND Flash製(zhì)程，或是不(bù)同(tóng)NAND Flash大廠(chǎng)的晶片(piàn)產(chǎn)品(pǐn)，就要(yào)更改一次(cì)設計，也不需(xū)擔(dān)心(xīn)手(shǒu)機和(hé)記憶(yì)體會出現(xiàn)不相容(róng)和(hé)資料(liào)安(ān)全性的問題。

此外(wài)，除(chú)了這種簡(jiǎn)化手(shǒu)機(jī)記憶(yì)體解決方(fāng)案的(dí)技術將興(xīng)起(qǐ)外(wài)，未來(lái)控(kòng)製(zhì)晶片(piàn)的角(jiǎo)色也將更(gēng)為重要，這些(xiē)趨勢都是(shì)為(wéi)了管理NAND Flash晶片，使(shǐ)得記(jì)憶(yì)體的效(xiào)率(shuài)能大幅(fú)提(tí)升。
手(shǒu)機記(jì)憶體包含(hán)PSDRAM，Low Power DDR1，Low Power DDR2，SB(Small Block)SLC NAND Flash，LB(Large Block)SLC NAND Flash，MLC NAND Flash，micronSD，eMMC和NOR Flash晶片(piàn)。目前(qián)產品(pǐn)綫zui齊(qí)全者為(wéi)南(nán)韓(hán)半導體大廠(chǎng)三星(xīng)電(diàn)子(Samsung Electronics)，再者(zhě)是美(měi)光(Micron)和海力(lì)士(shì)(Hynix)，其(qí)中(zhōng)NOR Flash功(gōng)能由於(yú)逐(zhú)漸(jiàn)被NAND Flash取(qǔ)代，因(yīn)此單純生(shēng)產NAND Flash記憶體的業(yè)者，未來在手機(jī)記憶體(tǐ)市(shì)場上可能(néng)會有(yǒu)逐漸被邊(biān)緣(yuán)化的(dí)趨勢。

eMMC目前是(shì)zui當(dāng)紅的(dí)手(shǒu)機(jī)解決方案，目(mù)的(dí)在於(yú)簡(jiǎn)化(huà)手(shǒu)機(jī)記(jì)憶(yì)體的(dí)設計，由於(yú)NAND Flash晶片的(dí)不同廠牌包括三星，東芝(Toshiba)或海力(lì)士(shì)(Hynix)，美(měi)光(guāng)(Micron)等，當手機客戶(hù)在(zài)導入時(shí)，都需(xū)要根據(jù)每家(jiā)公司(sī)的產品和(hé)技術特(tè)性(xìng)來重新設(shè)計(jì)，過去(qù)並沒有1個技(jì)術能夠通(tōng)用(yòng)所有廠牌的NAND Flash晶(jīng)片(piàn)。

而(ér)每1次(cì)NAND Flash製程技(jì)術改(gǎi)朝(zhāo)換(huàn)代，包(bāo)括(kuò)70奈米(mǐ)演進至50奈(nài)米，再演(yǎn)進至(zhì)40奈米或30奈米(mǐ)製程(chéng)技(jì)術，手(shǒu)機客戶也都要(yào)重新設計，但半導體(tǐ)產(chǎn)品每(měi)1年製程(chéng)技術都會(huì)推(tuī)陳出新，記憶體問題也(yě)拖累(léi)手(shǒu)機(jī)新機種(zhǒng)推(tuī)出的(dí)速度，因此像eMMC這種把(bǎ)所有記(jì)憶體和(hé)管(guǎn)理(lǐ)NAND Flash的控製晶片(piàn)都包(bāo)在(zài)1顆MCP上的概念，逐漸風(fēng)行(háng)起(qǐ)來(lái)。

eMMC技(jì)術打敗其(qí)他(tā)類似概念(niàn)的產(chǎn)品而(ér)勝(shèng)出(chū)，預計(jì)2010年會逐(zhú)漸普(pǔ)及於手機(jī)市場(cháng)，記(jì)憶(yì)體大(dà)廠(chǎng)美光估計，2010年的eMMC市(shì)場會(huì)到15億美(měi)元，預計(jì)到2011年(nián)會(huì)達到20億(yì)美元(yuán)水(shuǐ)準(zhǔn)