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產品特性(xìng)Product characteristics

 中(zhōng)國電子行業(yè)儀(yí)器優(yōu)質供應商(shāng)——堅融(róng)實(shí)業JETYOO INDUSTRIAL
，Support，銷售(shòu)Sale，服務Service
，3S公司(sī)
，提供解決方(fāng)案(àn)，測試測量(liáng)技(jì)術改進，技(jì)術培訓，采購(gòu)管(guǎn)理，售後維(wéi)修(xiū)服務。

吉(jí)時(shí)利(lì)KEITHLEY2600B係列(liè)源表(biǎo)研究領域：
各(gè)種(zhǒng)器(qì)件(jiàn)的(dí)I-V功能(néng)測試(shì)和特征分析
，包(bāo)括(kuò)：
 離散和(hé)無(wú)源(yuán)元(yuán)件 
–兩(liǎng)抽頭器件——傳感器(qì)，磁盤(pán)驅動器頭，金(jīn)屬氧化物可變(biàn)電(diàn)阻(zǔ)（MOV），二極(jí)管(guǎn)，齊納二(èr)極(jí)管，電容，熱(rè)敏電阻(zǔ)
–三抽(chōu)頭(tóu)器(qì)件(jiàn)——小(xiǎo)信(xìn)號雙(shuāng)極(jí)結型晶(jīng)體管（BJT），場(cháng)效(xiào)應(yīng)晶(jīng)體(tǐ)管(guǎn)（FET）等等 
 簡(jiǎn)單IC器(qì)件(jiàn)——光(guāng)學(xué)器(qì)件，驅動器，開(kāi)關，傳感(gǎn)器
 集成器(qì)件——小規模集成（SSI）和大規模集(jí)成（LSI）
–模擬IC 
–射頻(pín)集(jí)成電路(lù)（RFIC）
–集成(chéng)電路（ASIC）
–片(piàn)上(shàng)係(xì)統（SoC）器(qì)件(jiàn)
 光(guāng)電器(qì)件(jiàn)
，例如(rú)發光(guāng)二(èr)極管(guǎn)（LED），激光二極管(guǎn)，高亮(liàng)度LED（HBLED），垂直腔(qiāng)麵(miàn)發射激光器(qì)（VCSEL），顯示(shì)器
 圓片級(jí)可(kě)靠性
- NBTI，TDDB，HCI，電遷(qiān)移
 太陽能電池
 電(diàn)池(chí)
暫態(tài)抑製器(qì)件
IC，RFIC，MMIC
激光二極管，激(jī)光二極(jí)管模塊(kuài)，LED，光(guāng)電(diàn)檢(jiǎn)測(cè)器
電路(lù)保(bǎo)護器件:
TVS，MOV，熔絲
安全氣(qì)囊
連(lián)接(jiē)器，開關(guān)，繼電器
碳納米管(guǎn)
半導(dǎo)體(tǐ)納米(mǐ)綫
碳納(nà)米(mǐ)管(guǎn) FET
納(nà)米傳感(gǎn)器和陣列
單(dān)電子晶體管(guǎn)
分子(zǐ)電(diàn)子
有機電子
基本(běn)運放電(diàn)路(lù)
二(èr)極(jí)管和電(diàn)路(lù)
晶(jīng)體(tǐ)管(guǎn)電(diàn)路(lù)

測試：
漏流
低壓，電(diàn)阻
LIV
IDDQ
I-V特(tè)征分析(xī)
隔離與軌(guǐ)跡電(diàn)阻
溫度係數(shù)
正向電壓，反向擊穿(chuān)，漏(lòu)電(diàn)流
直(zhí)流(liú)參數測試
直(zhí)流電(diàn)源(yuán)
HIPOT
介質(zhì)耐受(shòu)性(xìng)

雙(shuāng)極結型晶(jīng)體(tǐ)管設計(jì)
結(jié)型(xíng)場(cháng)效應(yīng)晶體管設計(jì)
金屬(shǔ)氧化物半(bàn)導(dǎo)體場(cháng)效應(yīng)晶體管設(shè)計
太陽能電(diàn)池和 LED 設(shè)計
高(gāo)電(diàn)子遷移率(shuài)晶(jīng)體(tǐ)管設(shè)計
復(fù)合半(bàn)導體器件設(shè)計

分(fēn)析納(nà)米材料(liào)和實驗(yàn)器件(jiàn)
碳(tàn)納(nà)米管(guǎn)的電測量(liáng)標(biāo)準(zhǔn)
測(cè)量碳納米(mǐ)管(guǎn)電氣特性(xìng)
提高納(nà)米(mǐ)電子(zǐ)和分(fēn)子電子器件(jiàn)的(dí)低(dī)電(diàn)流(liú)測量
在(zài)低功率和低壓應(yīng)用中(zhōng)實現準(zhǔn)確(què)，可(kě)靠(kào)的電(diàn)阻(zǔ)測量
納米(mǐ)級器(qì)件和(hé)材料的電(diàn)氣測量(liáng)
提高超(chāo)高電阻和電阻率(shuài)測(cè)量的(dí)可重(zhòng)復性(xìng)
一種微(wēi)分(fēn)電(diàn)導(dǎo)的改進(jìn)測(cè)量(liáng)方法
納米技(jì)術準(zhǔn)確電(diàn)氣測量的(dí)技術(shù)
納米級材(cái)料(liào)的電(diàn)氣測量(liáng)
降(jiàng)低(dī)外(wài)部誤差源影響的儀器(qì)技(jì)術
迎接(jiē)65nm節點(diǎn)的(dí)測量挑戰
測量(liáng)半導(dǎo)體材料(liào)的(dí)高(gāo)電阻率和霍(huò)爾電(diàn)壓
用(yòng)微微微(wēi)安(ān)量程(chéng)測量電流(liú)
柵(zhà)極電介質電容(róng)電(diàn)壓(yā)特(tè)性分析(xī)
評估(gū)氧化層(céng)的(dí)可(kě)靠(kào)性(xìng)

的半導(dǎo)體器件(jiàn)結(jié)構設(shè)計(jì)和試(shì)驗低電阻，低功耗半導(dǎo)體器
輸出極(jí)低電流和(hé)測量極低電(diàn)壓(yā)分(fēn)析(xī)現(xiàn)代材(cái)料，半(bàn)導體和納(nà)米(mǐ)電子元件(jiàn)的電阻
低阻測量(低至10nΩ)分(fēn)析導通(tōng)電阻(zǔ)參數(shù)，互連和低功率(shuài)半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)。
用(yòng)於(yú)*進CMOS技術(shù)的脈衝(chōng)可靠性(xìng)測試
高K柵(zhà)極(jí)電介(jiè)質(zhì)電荷俘(fú)獲行為(wéi)的脈衝特(tè)性分析(xī)
用(yòng)6綫歐(ōu)姆測(cè)量(liáng)技(jì)術(shù)進行更高準確度的(dí)電(diàn)阻(zǔ)測量(liáng)
配置分立電阻器驗(yàn)證(zhèng)測(cè)試(shì)係統(tǒng)
電信激光二(èr)極(jí)管(guǎn)模塊(kuài)的高吞吐率直流生(shēng)產測試
多(duō)台(tái)數字(zì)源表(biǎo)的觸發(fā)器(qì)同步
高亮度(dù)，可見(jiàn)光(guāng)LED的生產測試
OLED顯示器的(dí)直流生(shēng)產(chǎn)測試(shì)
在運行中第5次測(cè)量(liáng)用於偏置(zhì)溫度(dù)不穩(wěn)定(dìng)特性分(fēn)析
數(shù)字(zì)源(yuán)表(biǎo)的(dí)緩衝(chōng)器(qì)以(yǐ)及(jí)如何(hé)用這(zhè)兩(liǎng)個緩衝(chōng)器獲取多達5000點數據
連接器的生產測(cè)試方(fāng)案
射(shè)頻(pín)功率晶體管(guǎn)的直(zhí)流(liú)電(diàn)氣特性(xìng)分析

1. MOS 電(diàn)容(róng)器(qì)
C-V 曲綫 (高頻(pín)：100kHz)：
摻(chān)雜(zá)類型 – 氧(yǎng)化層厚度 – 平帶(dài)電(diàn)壓 – 閾值電壓 – 襯(chèn)底摻雜 – zui大(dà)耗盡層寬度(dù) – 反型(xíng)層(céng)到平衡的(dí)靈敏度(dù)：電壓(yā)掃(sǎo)描(miáo)率和方向(xiàng) – 光(guāng)效應(yīng)和(hé)溫(wēn)度(dù)效應(yīng)。
I-V 曲(qū)綫分析(xī)：
電荷(hé)建立 (測(cè)量電(diàn)壓 - 時(shí)間(jiān)圖(tú)
，用(yòng)低電(diàn)流源(yuán))； 氧化(huà)層電容(róng)測定(dìng)； 與(yǔ) C-V 曲(qū)綫(xiàn)比(bǐ)較(jiào)。
C-V 曲綫 (準(zhǔn)靜(jìng)態(tài)) 結合(hé) C-V 曲綫(xiàn)：
表麵(miàn)電位(wèi) Ψs 與施(shī)加(jiā)電壓的關係(xì) – Si (100) 的表(biǎo)麵態密度(dù) Dit = f (Ψs) 與 Si (111) 的(dí)相(xiāng)比：方(fāng)向和(hé)後處(chǔ)理退火的(dí)影(yǐng)響(xiǎng)。
C-V 曲(qū)綫 (高頻(pín)：100kHz)：
移(yí)動氧化(huà)層電荷密度 (偏(piān)壓溫(wēn)度應力：200°C
，10 分鐘(zhōng)
，±10V)
 
2. 雙(shuāng)極(jí)結(jié)型(xíng)晶(jīng)體管(guǎn)
     主題(tí)
   正向(xiàng)共發射極(jí)輸(shū)出特(tè)性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測(cè)量(liáng)。
   正(zhèng)向 CE 輸(shū)入(rù)特性：Ib = f (Vbe) 對於(yú)幾個 Vce 正值(zhí)。
   正(zhèng)向(xiàng) Gummel 曲(qū)綫： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
   確(què)定(dìng)增益 βf = Ic/Ib 和(hé) af。
   Βf 與 log(Ic) 的關係(xì)： 低(dī)注入和(hé)高(gāo)注入的效果。
   非理想特(tè)性(xìng)：爾(ěr)利電壓。
   反(fǎn)向 CE 輸出(chū)特性(xìng)： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
   反向(xiàng) CE 傳(chuán)輸(shū)特性：Ib=f(Vbe) 對於幾(jī)個(gè)Vce負(fù)值。
   反(fǎn)向 Gummel 曲(qū)綫： logIe, logIb=f(Vbc>0).
   確(què)定(dìng)增(zēng)益(yì) βr = Ie/Ib 和 ar。
   Βr 與 log(Ie) 的關係： 低注入和(hé)高注(zhù)入(rù)的效(xiào)果。
   Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定
，對(duì)於給定(dìng)的(dí) Ib 電流。
   Ebers Moll 模(mó)型(xíng)構(gòu)建(jiàn)並(bìng)且與(yǔ)實驗(yàn)做比(bǐ)較(jiào)。
   BE 和(hé) CE 結的 C-V 特性(xìng)分(fēn)析(xī)。基區(qū)摻雜(zá)濃縮。
 
3. 亞微米集成(chéng) MOSFET
輸出(chū)特性(xìng)：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增(zēng)強或(huò)耗盡)
，溝道長度調製(zhì)參(cān)數(shù)(λ) 在(zài)飽(bǎo)和區(qū)域(yù) (VDS<–3V) 有效(xiào)溝(gōu)道(dào)長(cháng)度與 VDS 的關係。
傳輸(shū)特性(xìng)：
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k.  
Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
襯底(dǐ)偏壓(yā)特性(xìng)： 
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
亞閾(yù)值(zhí)特(tè)性：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.
襯(chèn)底(dǐ)電流特性：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使(shǐ)用(yòng)長溝(gōu)道(dào)和(hé)短(duǎn)溝(gōu)道公式的(dí)輸出特性(xìng)模型：比(bǐ)較實驗(yàn)結(jié)果。

美(měi)國(guó)吉時利KEITHLEY2600數(shù)字(zì)源表進行(háng)VCSEL測試(shì)
美國(guó)吉(jí)時利KEITHLEY2600測量(liáng)光伏(fú)電(diàn)池的I-V特(tè)性
美國(guó)吉(jí)時(shí)利(lì)KEITHLEY2400係列數字(zì)源(yuán)表的SCPI應(yīng)用(yòng)轉換為(wéi)2600係列(liè)源(yuán)表的腳本(běn)應(yīng)用
美(měi)國吉時(shí)利(lì)KEITHLEY2600係列數(shù)字源(yuán)表(biǎo)進(jìn)行IDDQ測試(shì)和待機電(diàn)流測(cè)試
使(shǐ)用(yòng)兩台美國(guó)吉(jí)時(shí)利KEITHLEY2600型(xíng)數字(zì)源表輸出2A電流
美國(guó)吉時利(lì)KEITHLEY2600或(huò)其它非脈(mài)衝模式源(yuán)表(biǎo)產(chǎn)生電流 (或電壓) 脈(mài)衝
美國吉時(shí)利(lì)KEITHLEY2600係(xì)列(liè)數字源(yuán)表提升多引(yǐn)腳器件(jiàn)的生產量(liáng)
美國吉時(shí)利KEITHLEY2602數(shù)字(zì)源表創(chuàng)建可(kě)擴(kuò)縮，多(duō)引腳，多功能(néng)IC測試係統(tǒng)
美(měi)國(guó)吉時(shí)利(lì)KEITHLEY2602數字源表(biǎo)對(duì)激(jī)光二極管模塊和(hé)VCSEL進行高(gāo)吞吐(tǔ)率(shuài)直流(liú)生(shēng)產測試(shì)
美國(guó)吉(jí)時利KEITHLEY2600係列數字(zì)源表進行二(èr)極(jí)管(guǎn)生(shēng)產測(cè)試(shì)
美(měi)國(guó)吉時利KEITHLEY2600係列數字(zì)源表進行高(gāo)亮(liàng)度，可見光LED的(dí)生(shēng)產(chǎn)測試
美國吉時利KEITHLEY2600係列數字源表進行IDDQ測(cè)試(shì)和(hé)待(dài)機(jī)電流(liú)測(cè)試(shì)
美國吉時(shí)利KEITHLEY2600 數(shù)字(zì)源(yuán)表驗證(zhèng)變(biàn)阻器(qì)
美國吉時(shí)利(lì)KEITHLEY2600係列(liè)源(yuán)表進行電池(chí)放(fàng)電/充電(diàn)周期(qī)
美國吉時(shí)利KEITHLEY2600配(pèi)置電阻網絡(luò)的(dí)生(shēng)產(chǎn)測(cè)試(shì)係統
美國(guó)吉時利(lì)KEITHLEY2651 2kW 脈(mài)衝(chōng)源(yuán)表(biǎo)進行(háng)大電流變阻器(qì)的(dí)生(shēng)產測試
美(měi)國吉(jí)時(shí)利KEITHLEY2600數字(zì)源表(biǎo)進行(háng)熱(rè)敏(mǐn)電(diàn)阻的(dí)生產測(cè)試(shì)

美國2636A吉時利keithley數字(zì)源(yuán)表是(shì)吉時利(lì)的I-V源(yuán)-測(cè)量儀器(qì)
，既可(kě)以用作(zuò)桌麵(miàn)級I-V特(tè)性(xìng)分析(xī)工具
，也可(kě)以(yǐ)成為多通(tōng)道(dào)I-V測(cè)試係(xì)統的組成(chéng)部(bù)分。對(duì)於桌麵(miàn)級的應用
，美國吉(jí)時利keithley 2636A數字(zì)源(yuán)表(biǎo)提供一款(kuǎn)嵌(qiàn)入式TSPExpress測(cè)試軟件(jiàn)
，允(yǔn)許(xǔ)用戶(hù)快速(sù)，方便地進(jìn)行(háng)常用的I-V測(cè)試(shì)
，無需編(biān)程(chéng)或安(ān)裝軟(ruǎn)件。對(duì)於係統級(jí)應(yīng)用(yòng)
，美(měi)國(guó)吉時利(lì)keithley 2636A數字源表的TSP架(jià)構和新增(zēng)功能(néng)
，例如
，並(bìng)行測試(shì)能力(lì)和精密(mì)時鐘(zhōng)同步
，提供了(liǎo)業界zui高吞(tūn)吐(tǔ)量(liáng)
，從而(ér)降(jiàng)低(dī)了(liǎo)測試成本(běn)。
 
    美(měi)國(guó)吉(jí)時利(lì)keithley 2636A數字(zì)源表(biǎo)以(yǐ)性能的擴(kuò)展替代受(shòu)歡迎(yíng)的(dí)2600係列(liè)數(shù)字(zì)源表。因為2600A係列(liè)提供後(hòu)向代碼兼容(róng)至(zhì)2600係列
，所(suǒ)以(yǐ)客戶能用美(měi)國吉(jí)時利keithley 2636A數(shù)字源表(biǎo)係(xì)列簡(jiǎn)易替換2600係(xì)列。
 
    一個緊湊的(dí)單(dān)元中綜(zōng)合了(liǎo)如下功能(néng)：精密電(diàn)壓(yā)源，高(gāo)精(jīng)度電(diàn)流源(yuán)，數(shù)字多用(yòng)表，任意波(bō)形發生器，電壓或電(diàn)流(liú)脈(mài)衝(chōng)發生(shēng)器，電子負載以及(jí)觸發(fā)控(kòng)製器代碼後向(xiàng)兼容2600係列數字源表
，便(biàn)於(yú)更(gēng)換(huàn) TSP Express軟(ruǎn)件工具實現(xiàn)快速(sù)，便捷的I-V測試(shì) 精密(mì)定時和信道(dào)同步（<500ns） 
 
 
美國(guó)吉(jí)時利源(yuán)表(biǎo)KEITHLEY2636A特點(diǎn)
2635A單(dān)通道係(xì)統(tǒng)數(shù)字源(yuán)表
，2636A雙通道(dào)係統數字源表(biǎo)
執行(háng)並(bìng)行測試(shì)
，獲得無以倫(lún)比的(dí)吞(tūn)吐(tǔ)量
20,000讀(dú)數/秒提供更快(kuài)的(dí)測試時間(jiān)和能(néng)力(lì)
，捕捉(zhuō)器件(jiàn)瞬態(tài)性能
係列產品提(tí)供(gōng)寬動(dòng)態範圍：1fA～10A和(hé)1µV～200V
TSP-Link總綫支持(chí)每(měi)GPIB或IP地址(zhǐ)多達(dá)32單元/64通(tōng)道(dào)的(dí)通道(dào)擴展
測試腳本處理器（TSP）以*的(dí)係統(tǒng)自動(dòng)化在(zài)儀器(qì)中(zhōng)執(zhí)行完整的測試(shì)程序（腳(jiǎo)本(běn)）
USB端(duān)口用於保(bǎo)存數據(jù)和(hé)測(cè)試(shì)腳本
LXI Class C兼容(róng)性提供(gōng)高速數據傳(chuán)輸並且實(shí)現(xiàn)快捷(jié)地遠程測試(shì)，監控和排(pái)錯(cuò)
 
 
美(měi)國(guó)吉時(shí)利(lì)源表KEITHLEY2636A主要指(zhǐ)標
 電(diàn)壓測量(liáng)
 量程(chéng) 顯(xiǎn)示分辨率 輸(shū)入阻抗(kàng) 準確(què)度(dù)（1年）
 23℃±5℃
 200.000mV 1µV >1014Ω ±（0.015%+225µV）
 2.00000V 10µV >1014Ω ±（0.02%+350µV）
 20.0000V 100µV >1014Ω ±（0.015%+5mV）
 200.000V 1mV >1014Ω ±（0.015%+50mV）
 電流測量(liáng)
 量程 顯(xiǎn)示分辨(biàn)率(shuài) 輸(shū)入(rù)端(duān)壓(yā)降(jiàng) 準確度(dù)（1年(nián)）
 23℃±5℃
 100.00pA 1fA <1mV ±（0.15%+120fA）
 1.00000nA 10fA <1mV ±（0.15%+240fA）
 10.0000nA 100fA <1mV ±（0.15%+3pA）
 100.000nA 1pA <1mV ±（0.06%+40pA）
 1.00000µA 10pA <1mV ±（0.025%+400pA）
 10.0000µA 100pA <1mV ±（0.025%+1.5nA）
 100.000µA 1nA <1mV ±（0.02%+25nA）
 1.00000mA 10nA <1mV ±（0.02%+200nA）
 10.0000mA 100nA <1mV ±（0.02%+2.5µA）
 100.000mA 1µA <1mV ±（0.02%+20µA）
 1.00000A 10µA <1mV ±（0.03%+1.5mA）
 1.50000A 10µA <1mV ±（0.05%+3.5mA）
 10.0000A 100µA <1mV ±（0.4%+25mA）
 典(diǎn)型應用 I-V功能(néng)測試和特(tè)性(xìng)分析
，
 晶圓(yuán)級(jí)可(kě)靠(kào)性(xìng)測試
，
 測(cè)試(shì)集(jí)成電路(lù)如RFIC，ASIC，SOC
，
 測試光電(diàn)器件(jiàn)如LED，VCSEL和顯(xiǎn)示器(qì)
，
 測試(shì)納(nà)米材(cái)料和器件(jiàn)。
 
 
附件(jiàn)提(tí)供(gōng)
2600-ALG-2：帶(dài)鱷(è)魚夾的(dí)低(dī)噪(zào)聲三(sān)同(tóng)軸測試(shì)導(dǎo)綫2m（2636A配2條(tiáo)
，2635A配(pèi)1條）
，
2600-IAC:安(ān)全互鎖(suǒ)適配(pèi)器(qì)接頭
，
CA-180-3A：TSP-Link/以太(tài)網綫(xiàn)（每(měi)台(tái)2條(tiáo)）
，
TSP Express軟件工具(jù)（嵌(qiàn)入式(shì)）
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Test Script Builder軟(ruǎn)件(jiàn)（CD內(nèi)提供）。