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產(chǎn)品(pǐn)中心(xīn)您(nín)當前的位置:首(shǒu)頁 > 產品(pǐn)中(zhōng)心(xīn) > 吉(jí)時(shí)利KEITHLEY/泰(tài)克Tektronix > 源(yuán)表 > 美(měi)國吉(jí)時利KEITHLEY2410源表

基(jī)礎(chǔ)信(xìn)息Product information

產(chǎn)品(pǐn)名(míng)稱(chēng):美國吉時利KEITHLEY2410源表(biǎo)

產品型號:

更新時間:2025-06-09

產品(pǐn)簡介(jiè):

專業(yè)儀器(qì)設備和測(cè)試方案供應(yīng)商——上(shàng)海堅(jiān)融實(shí)業有(yǒu)限公司JETYOO INDUSTRIAL ,堅友(上(shàng)海)測量儀器有(yǒu)限公(gōng)司JETYOO INSTRUMENTS,特別供(gōng)應(yīng)美(měi)國吉時(shí)利KEITHLEY2410源表(biǎo)

產品特(tè)性Product characteristics

     專業儀器(qì)設備和(hé)測(cè)試方(fāng)案供(gōng)應(yīng)商(shāng)——上海(hǎi)堅(jiān)融實業有限(xiàn)公(gōng)司JETYOO INDUSTRIAL & 堅友(上海)測(cè)量(liáng)儀器(qì)有(yǒu)限(xiàn)公司(sī)JETYOO INSTRUMENTS,由(yóu)前(qián)安(ān)捷倫Agilent【現 是(shì)德(dé)KEYSIGHT】產(chǎn)品工程(chéng)師——堅(jiān) JET 和 吉時(shí)利KEITHLEY【現 泰克Tektronix】忠(zhōng)實用戶使用工(gōng)程師(shī)——融 YOO於2011年共(gòng)同(tóng)創(chuàng)立(lì),誌在(zài)破舊立(lì)新(xīn)!*電(diàn)子(zǐ)測量(liáng)行(háng)業代理(lǐ)經(jīng)銷商(shāng)隻(zhī)專業做(zuò)商務(wù)銷(xiāo)售,不專(zhuān)業(yè)做售前(qián)測(cè)試方(fāng)案,不專(zhuān)業做售(shòu)後使用(yòng)培訓(xùn)的(dí)空白(bái)。我們(mén)的技術(shù)銷售(shòu)工程師均為本科以上(shàng)學(xué)歷(lì),且均有10年以上儀(yí)器(qì)行業工作(zuò)經驗,專(zhuān)業為中(zhōng)國區用(yòng)戶(hù)提供儀(yí)器設備,測(cè)試方案(àn),技(jì)術(shù)培訓和維修(xiū)服務(wù),為上(shàng)海華東地區(qū)一家以(yǐ)技術為(wéi)導向的儀器代理(lǐ)經銷商。

 

美(měi)國(guó)吉(jí)時利KEITHLEY2410源表(biǎo)高壓源(yuán)表(biǎo)功(gōng)率為(wéi)20W,能(néng)夠(gòu)提(tí)供和測量從±5μV(源)和(hé)±1μV(測量(liáng))到±1100V的(dí)電壓(yā),及從(cóng)±10pA到±1A的(dí)電流。由於具(jù)有較高(gāo)的電壓源(yuán)範圍(wéi),2410非(fēi)常適合(hé)於電(diàn)阻和電壓(yā)係數測試,變阻(zǔ)器,高(gāo)壓(yā)二極(jí)管,開關(guān),齊納(nà)管,射(shè)頻 二極管和(hé)整(zhěng)流器(qì)的(dí)測(cè)試。2410在提供1100V電壓的(dí)同時能夠測量20mA的電流,具有精確測(cè)試所(suǒ)需的特殊分辨率(shuài)。

 

美國吉時利KEITHLEY2410源表(biǎo)係列應(yīng)用領域
各種器(qì)件的I-V功(gōng)能測試和(hé)特(tè)征(zhēng)分析,包(bāo)括:

• 離散和無(wú)源元(yuán)件(jiàn)

–兩抽頭(tóu)器件——傳感(gǎn)器,磁(cí)盤驅動器頭(tóu),金屬氧化(huà)物(wù)可變(biàn)電阻(MOV),二(èr)極(jí)管(guǎn),齊(qí)納(nà)二極管(guǎn),電容,熱敏電阻

–三抽(chōu)頭(tóu)器(qì)件(jiàn)——小信號(hào)雙極(jí)結型(xíng)晶體(tǐ)管(BJT),場效(xiào)應(yīng)晶體管(FET)等等

• 簡單(dān)IC器件——光(guāng)學器件(jiàn),驅動(dòng)器,開關(guān),傳(chuán)感器

• 集(jí)成器(qì)件——小規模集成(chéng)(SSI)和(hé)大(dà)規模集成(chéng)(LSI)

–模(mó)擬(nǐ)IC

–射(shè)頻集成電路(lù)(RFIC)

–集成(chéng)電(diàn)路(lù)(ASIC)

–片上係統(SoC)器件

• 光電(diàn)器(qì)件,例如(rú)發(fā)光(guāng)二極管(LED),激(jī)光二極(jí)管(guǎn),高亮(liàng)度(dù)LED(HBLED),垂直(zhí)腔麵發射(shè)激光器(VCSEL),顯示器(qì)

• 圓(yuán)片(piàn)級可(kě)靠性

- NBTI,TDDB,HCI,電遷移

• 太陽(yáng)能電池

• 電池

暫態抑製器(qì)件

IC,RFIC,MMIC

激(jī)光(guāng)二極管(guǎn),激光二(èr)極管模(mó)塊,LED,光電(diàn)檢測器

電路(lù)保護器件(jiàn):

TVS,MOV,熔絲

安(ān)全(quán)氣囊

連(lián)接(jiē)器,開關,繼電器

碳納米(mǐ)管

半導體納(nà)米(mǐ)綫(xiàn)

碳納米管 FET

納米(mǐ)傳(chuán)感器(qì)和陣列

單電子晶(jīng)體管

分子電子(zǐ)

有(yǒu)機電(diàn)子(zǐ)

基本運放電路

二極(jí)管和電(diàn)路(lù)

晶(jīng)體管(guǎn)電路

 

測試:

漏(lòu)流

低壓(yā),電阻

LIV

IDDQ

I-V特(tè)征分析(xī)

隔(gé)離與(yǔ)軌跡(jì)電(diàn)阻(zǔ)

溫度(dù)係(xì)數(shù)

正(zhèng)向(xiàng)電壓,反(fǎn)向(xiàng)擊穿,漏電流

直流參數(shù)測試(shì)

直流(liú)電(diàn)源

HIPOT

介質(zhì)耐(nài)受(shòu)性

 

雙極(jí)結型晶體管設計

結(jié)型(xíng)場效應晶(jīng)體(tǐ)管設計

金屬(shǔ)氧化(huà)物半導體(tǐ)場效(xiào)應(yīng)晶(jīng)體(tǐ)管(guǎn)設計

太(tài)陽能(néng)電(diàn)池和 LED 設(shè)計

高電子遷移率(shuài)晶體管設計

復(fù)合(hé)半導(dǎo)體器件設計

 

分析納米(mǐ)材料(liào)和實驗器(qì)件

碳納米(mǐ)管(guǎn)的(dí)電(diàn)測量(liáng)標(biāo)準(zhǔn)

測量碳(tàn)納(nà)米(mǐ)管(guǎn)電氣(qì)特(tè)性

提高(gāo)納(nà)米電(diàn)子(zǐ)和分(fēn)子(zǐ)電(diàn)子(zǐ)器件的低(dī)電流(liú)測量(liáng)

在低功率(shuài)和(hé)低(dī)壓應用(yòng)中實現準確(què),可(kě)靠(kào)的電(diàn)阻測量(liáng)

納(nà)米級器(qì)件(jiàn)和材料(liào)的電(diàn)氣(qì)測量(liáng)

提(tí)高(gāo)超高電阻(zǔ)和電(diàn)阻(zǔ)率測量(liáng)的可(kě)重復性

一(yī)種微分電導(dǎo)的(dí)改(gǎi)進測量方法

納米技術準確電氣測(cè)量(liáng)的(dí)技術

納米級(jí)材料的(dí)電(diàn)氣測(cè)量(liáng)

降低外部誤差(chà)源(yuán)影(yǐng)響的(dí)儀(yí)器(qì)技(jì)術

迎接65nm節點的測(cè)量(liáng)挑戰(zhàn)

測量半導體材料(liào)的高電(diàn)阻(zǔ)率(shuài)和霍爾(ěr)電(diàn)壓

用微微微安量(liáng)程測量電(diàn)流

柵(zhà)極電(diàn)介質電(diàn)容電(diàn)壓特性分析(xī)

評估氧(yǎng)化(huà)層的可(kě)靠(kào)性

 

半導體(tǐ)器件(jiàn)結構(gòu)設(shè)計(jì)和(hé)試驗低電(diàn)阻,低功(gōng)耗半導體(tǐ)器(qì)

輸出(chū)極低(dī)電(diàn)流(liú)和(hé)測量極(jí)低(dī)電壓分析現代(dài)材料(liào),半(bàn)導體(tǐ)和納(nà)米(mǐ)電(diàn)子(zǐ)元(yuán)件的(dí)電阻(zǔ)

低(dī)阻(zǔ)測量(低至10nΩ)分析導通(tōng)電阻參數,互(hù)連(lián)和低(dī)功(gōng)率半導(dǎo)體。

用於(yú)*進(jìn)CMOS技(jì)術的脈(mài)衝可(kě)靠(kào)性測(cè)試

高K柵極電介質(zhì)電荷(hé)俘(fú)獲(huò)行(háng)為的(dí)脈衝特(tè)性分析(xī)

用6綫(xiàn)歐姆(mǔ)測(cè)量技(jì)術(shù)進行更(gēng)高準確(què)度的(dí)電阻測量

配置分立電(diàn)阻(zǔ)器(qì)驗證(zhèng)測試係統(tǒng)

電信(xìn)激光二(èr)極(jí)管(guǎn)模塊的(dí)高吞(tūn)吐率直流生產測試

多台數(shù)字源表(biǎo)的觸發器同(tóng)步(bù)

高亮度,可見光LED的生(shēng)產測試

OLED顯(xiǎn)示器(qì)的直流(liú)生(shēng)產(chǎn)測試

在(zài)運行中第5次(cì)測量用(yòng)於偏置(zhì)溫度不(bù)穩定(dìng)特性分析(xī)

數字源表的緩衝器以及如何用(yòng)這兩(liǎng)個(gè)緩(huǎn)衝(chōng)器獲(huò)取(qǔ)多(duō)達5000點數據

連接器的(dí)生產測試方(fāng)案

射(shè)頻功率晶體管的直流(liú)電氣(qì)特性(xìng)分(fēn)析

 

1. MOS 電(diàn)容器(qì)

C-V 曲(qū)綫 (高頻:100kHz):

摻雜類型 – 氧化(huà)層厚度 – 平(píng)帶電壓 – 閾值(zhí)電壓 – 襯底摻(chān)雜 – 耗盡(jìn)層寬度 – 反型層(céng)到平衡(héng)的靈敏度(dù):電壓(yā)掃描(miáo)率和方(fāng)向 – 光效應(yīng)和(hé)溫度(dù)效(xiào)應。

I-V 曲(qū)綫分析:

電(diàn)荷(hé)建立 (測(cè)量電壓 - 時間圖(tú),用低電(diàn)流源(yuán)); 氧化層電容(róng)測定; 與 C-V 曲(qū)綫比較(jiào)。

C-V 曲(qū)綫 (準靜(jìng)態(tài)) 結合(hé) C-V 曲(qū)綫(xiàn):

表(biǎo)麵電(diàn)位(wèi) Ψs 與施加(jiā)電(diàn)壓(yā)的關(guān)係(xì) – Si (100) 的表(biǎo)麵態密度(dù) Dit = f (Ψs) 與 Si (111) 的相比(bǐ):方(fāng)向和後處理(lǐ)退火的影響。

C-V 曲綫 (高(gāo)頻(pín):100kHz):

移(yí)動(dòng)氧化(huà)層(céng)電(diàn)荷密度 (偏(piān)壓(yā)溫度(dù)應力(lì):200°C,10 分鐘(zhōng),±10V)

 

2. 雙(shuāng)極結(jié)型(xíng)晶(jīng)體管

    主題(tí)

   正向共發射極輸出(chū)特(tè)性(xìng):Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測量。

   正向 CE 輸(shū)入(rù)特(tè)性(xìng):Ib = f (Vbe) 對於(yú)幾個 Vce 正(zhèng)值。

   正向 Gummel 曲(qū)綫(xiàn): log Ic, log Ib = f(Vbe >0).

   確定(dìng)增益 βf = Ic/Ib 和 af。

   Βf 與 log(Ic) 的(dí)關係: 低(dī)注(zhù)入(rù)和高(gāo)注入的(dí)效果。

   非理(lǐ)想特性(xìng):爾利電壓。

   反向 CE 輸(shū)出特(tè)性: Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).

   反向 CE 傳(chuán)輸特(tè)性:Ib=f(Vbe) 對(duì)於幾(jī)個(gè)Vce負值。

   反(fǎn)向 Gummel 曲(qū)綫(xiàn): logIe, logIb=f(Vbc>0).

   確定(dìng)增(zēng)益(yì) βr = Ie/Ib 和(hé) ar。

   Βr 與 log(Ie) 的關係: 低注入和高注入的(dí)效(xiào)果(guǒ)。

   Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定(dìng),對於(yú)給定的(dí) Ib 電流。

   Ebers Moll 模型構(gòu)建並且與(yǔ)實驗(yàn)做(zuò)比較。

   BE 和 CE 結的(dí) C-V 特性(xìng)分析。基區(qū)摻雜(zá)濃(nóng)縮(suō)。

 

3. 亞微(wēi)米集(jí)成(chéng) MOSFET

輸(shū)出(chū)特性(xìng):IDS = f(VDS,VGS):

p型 MOSFET (增強(qiáng)或耗盡(jìn)),溝道長(cháng)度調製(zhì)參數(λ) 在飽和(hé)區域 (VDS<–3V) 有(yǒu)效溝道(dào)長(cháng)度與 VDS 的(dí)關(guān)係。

傳(chuán)輸特(tè)性(xìng)

襯底偏壓特性

亞閾值(zhí)特(tè)性(xìng)

襯底電(diàn)流(liú)特性

 

VCSEL測(cè)試(shì),光伏電池的I-V特(tè)性,IDDQ測(cè)試和(hé)待(dài)機電(diàn)流(liú)測試(shì),產(chǎn)生(shēng)電流(liú) (或電(diàn)壓) 脈衝,提升多引腳器(qì)件的生產量,創建可擴(kuò)縮,多引腳,多(duō)功(gōng)能IC測試係統,激(jī)光二極管模(mó)塊和VCSEL進(jìn)行高(gāo)吞(tūn)吐率直流(liú),二(èr)極(jí)管生產(chǎn)測(cè)試,高(gāo)亮(liàng)度,可(kě)見(jiàn)光LED,驗(yàn)證(zhèng)變阻器(qì),電(diàn)池(chí)放電(diàn)/充電周期(qī),配(pèi)置電阻(zǔ)網(wǎng)絡,大電(diàn)流變阻器(qì),熱(rè)敏電阻(zǔ)的(dí)生產(chǎn)測(cè)試(shì)

 

(SourceMeter) 選(xuǎn)型指南 

型(xíng)號

 2400

 2410

 2420

 2425

 2440

 2400-C

 2410-C

 2420-C

 2425-C

 2440-C

 2400-LV

 

 

 

 

 描述

 通(tōng)用型(xíng)

 高(gāo)壓型(xíng)

 3A

 高(gāo)功率(shuài)

 5A

 電流(liú)

 

 是(shì)

 

 

 是(shì)

 source/sink

 電壓

 是(shì)

 是(shì)

 是(shì)

 

 是(shì)

 source/sink

 輸出功率

 22W

 22W

 66W

 110W

 55W

 輸出電(diàn)壓

 ±1µV/±21或210V

 ±1µV/±1100V

 ±1µV/±63V

 ±1µV/±105V

 ±1µV/±42V

 (min./max.)

 輸出(chū)電流

 ±10pA/±1.05A

 ±100pA/±3.15A

 ±100pA/±5.25A

 (min./max.)

 電阻

 <0.2Ω至>200MΩ

 <2.0Ω至(zhì)>200MΩ

 基(jī)本(běn)精度(dù)I

 0.035%

 0.035%

 0.035%

 0.035%

 0.035%

 基(jī)本精(jīng)度(dù)V

 0.015%

 0.015%

 0.015%

 0.015%

 0.015%

 基(jī)本精度Ω

 0.06%

 0.07%

 0.06%

 0.06%

 0.06%

 帶接(jiē)觸檢測

 2400-C型(xíng)
 帶(dài)此功(gōng)能

 2410-C型(xíng)
 帶(dài)此功能

 2420-C型(xíng)
 帶(dài)此功(gōng)能

 2425-C型(xíng)
 帶此功能

 2440-C型(xíng)
 帶此功(gōng)能

 功能(-C)

 典型應用

 電(diàn)阻性元件,

 電(diàn)壓(yā)係數(shù),

 功率電阻(zǔ),

 半導(dǎo)體(tǐ)功(gōng)率元件,

 5安培Pump激光二(èr)

 二極管,

 變(biàn)阻(zǔ)器(qì),

 電熱調節器,

 DC/AC轉(zhuǎn)換(huàn)器,

 極管

 光(guāng)電(diàn)元件,

 高壓二(èr)極管及(jí)保(bǎo)

 太陽能電池,

 大(dà)功率元件,

 

 IDDQ測試

 護裝(zhuāng)置,安(ān)全(quán)氣

 電池(chí),

 IDDQ測試

 

 

 囊充氣(qì)裝置

 二極(jí)管,

 

 

 

 

 IDDQ測試

 

 

 隨(suí)機附件

 測(cè)試綫,LabVIEW軟件驅(qū)動(可供下載(zǎi)),LabTracer軟件(可供下(xià)載(zǎi))

 

 

型(xíng)號(hào)

2400
2400-C

2410
2410-C

2420
2420-C

2425
2425-C

2430
2430-C

描述(shù)

General Purpose

High Voltage

3A

High Power

1000W Pulse

電流(liú)Source/Sink

*

*

*

*

*

電壓(yā)Source/Sink

*

*

*

*

*

輸出功率

20W

20W

60W

100W

1000W*

輸出電(diàn)流(liú)

 

 

 

 

 

Min.

±50pA

±50pA

±500pA

±500pA

±500pA

Max.

±1.05A

±1.05A

±3.15A

±3.15A

±10.0A

輸出電壓

 

 

 

 

 

Min.

±5µV

±5µV

±5µV

±5µV

±5µV

Max.

±210V

±1100V

±63V

±100V

±100V

電(diàn)阻

<0.2?to>200?

<0.2?to>200M?

<0.2? to>200M?

<0.2? to>200M?

<0.2? to>200M?

基本準(zhǔn)確(què)度

 

 

 

 

 

I

0.035%

0.035%

0.035%

0.035%

0.035%

V

0.015%

0.015%

0.015%

0.015%

0.015%

Ω

0.06%

0.07%

0.06%

0.06%

0.06%

典型(xíng)應(yīng)用(yòng)

Resistive devices

Diodes

Optoelectronic components

IDDQ testing

Voltage  coefficient

Varistors

High voltagediodes andprotection devices

Airbag inflators

Power resistors

Thermistors

Solar cells

Batteries

Diodes

IDDQ testing

Power semiconductors

DC/DC converters

High power components

IDDQ testing

 

標(biāo)配(pèi)自(zì)帶配(pèi)件(jiàn)
8605型(xíng)高性能模塊(kuài)化(huà)測試綫,長(cháng)度為(wéi)0.9米(3 ft),(適用於2000,2001,2002,2010,2400係列(liè))

 

額外(wài)付費(fèi)選配(pèi)件(jiàn) 
1754型2綫(xiàn)通(tōng)用(yòng)10片(piàn)裝測試綫套件(jiàn)(適用(yòng)於175A,197A,2000,2001,2002,2010) 
2499-DIGIO數字(zì)I/O擴展器配件(jiàn)(2400係列(liè)) 
4288-1型單(dān)機架(jià)安裝套件(jiàn)(適(shì)用於428,486,487,776,2700,2000係(xì)列,2182,2300 係列,2400係(xì)列,2500係列(liè),6514,6517A,7001,6430,6485) 
4288-2型雙機架安裝套件(適用於(yú)428,486,487,776,2000係(xì)列(liè),2182,2300 係列,2400係(xì)列,6514,6517A,7001,2700,6430,6485) 
5804型(xíng)Kelvin(4綫(xiàn))10件裝的(dí)通用測(cè)試(shì)綫套(tào)件(適(shì)用(yòng)於580,2400係列,數字(zì)多用表(biǎo)) 
5805型(xíng)Kelvin(4綫)帶彈(dàn)簧(huáng)的探頭,長(cháng)度(dù)為(wéi)0.9米(3 ft)(適(shì)用(yòng)於580,數(shù)字(zì)多用(yòng)表) 
5806型(xíng)Kelvin(4綫)特大號(hào)鱷魚夾測試綫,長(cháng)度(dù)為0.9米(3 ft)(適用於580,2400係列(liè),數(shù)字(zì)多用(yòng)表) 
7007-1:雙層(céng)屏(píng)蔽高(gāo)級GPIB接口電纜(lǎn),長度1米(3.3ft)(用(yòng)於(yú)GPIB互連) 
7007-2:雙(shuāng)層(céng)屏蔽高級(jí)GPIB接口(kǒu)電(diàn)纜,長(cháng)度2米(6.6ft)(用於GPIB互(hù)連(lián)) 
7009-5型屏(píng)蔽RS-232電(diàn)纜,長(cháng)度(dù)為1.5米(mǐ)(5 ft)(適用於(yú)2000,2010,6517A,2400係列) 
8501-1型DIN至DIN觸發連(lián)接(jiē)電纜(lǎn),長度為1米(3.3 ft),(適用(yòng)於(yú)6517A,2400係列,KPC-TM,觸發連接輸(shū)入) 
8501-2型(xíng)DIN至(zhì)DIN觸(chù)發(fā)連接電纜(lǎn),長(cháng)度為(wéi)2米(6.6 ft),(適用(yòng)於6517A,2400係列(liè),KPC-TM,觸(chù)發(fā)連接(jiē)輸入(rù)) 
8502型觸(chù)發(fā)連接至BNC中斷盒(hé)(適用於(yú)7001,7002,2000係列,2400係列,KPC-TM) 
8503型DIN至(zhì)雙BNC觸(chù)發(fā)連(lián)接電(diàn)纜,長度(dù)為1米(3.3 ft),(適(shì)用於(yú)2000,2010,2400係列,觸(chù)發(fā)連接輸(shū)入(rù)) 
8505型(xíng)公(gōng)DIN至(zhì)2 母DIN Y型適配(pèi)器(qì)電纜,長(cháng)度(dù)為0.3米(1 ft),(適(shì)用於(yú)觸發連接(jiē)) 
8606型(xíng)高(gāo)性能(néng)模塊化(huà)探頭套件(適(shì)用於2000,2001,2002,2010,2400係(xì)列) 
8607型(xíng)1kV,2根(gēn)香(xiāng)蕉插(chā)頭測(cè)試(shì)電纜,長(cháng)度(dù)為(wéi)1米(mǐ)(3.3 ft),(適(shì)用於2410,6430,6514,6517A) 
CA -18-1型屏蔽電纜(lǎn),兩(liǎng)端接(jiē)雙(shuāng)香蕉插頭,長度(dù)為(wéi)1.2米(4 ft),(適於輸入端(duān)子) 
5808型(xíng)低成(chéng)本單(dān)探針(zhēn),Kelvin探頭(tóu) 
5809型低成(chéng)本(běn)Kelvin夾測試綫(xiàn)組(zǔ) 
8620型通(tōng)用4綫數字多用表短(duǎn)路插頭(tóu) 
KPCI-488LPA,KPCI-488LPA型 IEEE-488.2 PCI Bus 插件(jiàn)板 
KUSB-488A型(xíng)IEEE-488.2 USB-GPIB接(jiē)口(kǒu)適配器,適(shì)用(yòng)於(yú)USB接(jiē)口,內置(zhì)2米(6.6ft)電纜(lǎn) 
4288-4型固(gù)定機架(jià)安裝套(tào)件(適用(yòng)於(yú)195A,196,220,224,230,230-1,263,428,486,487,595,617,740,775A,776,2000係(xì)列,2182,2300係(xì)列,2400係列,6512,6514,6517A,7001) 
4288-5型固定機(jī)架(jià)安裝套(tào)件(適用於428,486,487,2000係列(liè),2182,2300 係(xì)列,2400係列,6514,6517A,7001) 
4288-9 支架固(gù)定件(jiàn)套件(jiàn)
2499-DIGIO數(shù)字I/O擴(kuò)展器配(pèi)件(2400係列)
7001,7001型(xíng)80通道程(chéng)控開(kāi)關(guān)控製(zhì)器 
7002,7002型400通(tōng)道(dào)程控開關(guān)控製器 
7011-C型四(sì)1×10多(duō)路選通器,帶(dài)集中端(duān)接器(qì)(適(shì)用(yòng)於(yú)7001和7002) 
7011-S型四1×10多(duō)路(lù)選通器(qì),帶(dài)螺釘端(duān)子(適用(yòng)於7001和7002) 
7012-C型(xíng)4×10矩陣卡,帶集中端接(jiē)器(qì)(適用(yòng)於7001和7002) 
7012-S型4×10矩(jǔ)陣(zhèn)卡,帶(dài)螺(luó)釘端(duān)子(適用於7001和7002) 
7019-C型(xíng)6綫(xiàn)歐姆(mǔ)矩陣卡(qiǎ),帶96針集中(zhōng)端接器(適(shì)用於(yú)7001和7002) 
2182A型納伏(fú)表(biǎo) 
7053高(gāo)電流(liú),10通道(dào)掃(sǎo)描卡,具(jù)有5A接觸(chù)(適(shì)用(yòng)於(yú)7001和(hé)7002)

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