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產(chǎn)品中心您當(dāng)前的(dí)位(wèi)置：首(shǒu)頁(yè) > 產(chǎn)品(pǐn)中(zhōng)心 > > IBGT/MOSFET/SiC/GaN測試(shì) > 碳化矽(guī)SiC，氮(dàn)化镓GaN，IGBT曲綫參數測試(shì)儀(yí)

基礎信(xìn)息Product information

產(chǎn)品名稱：碳化(huà)矽SiC，氮(dàn)化镓GaN，IGBT曲(qū)綫參(cān)數(shù)測(cè)試儀

產品型(xíng)號：

更(gēng)新時間(jiān)：2025-06-11

產品簡(jiǎn)介：

碳化矽(guī)SiC，氮化镓(jiā)GaN，IGBT曲綫參(cān)數測試儀，適(shì)用於(yú)MOSFET，CMOS，IGBT，三極管(guǎn)，二極管等(děng)材(cái)料，工藝和半(bàn)導體器件電流-電壓 (I-V)，電容-電壓 (C-V) 特性(xìng)測(cè)試。日(rì)本岩(yán)崎IWATSU半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)特性曲綫(xiàn)圖(tú)示儀(yí)3KV-15KV，400A-8000A；CS-3300，CS-3200，CS-5400，CS-5300，CS-5200，CS-10800

產品(pǐn)特性Product characteristics

專業儀器設備與(yǔ)測試方(fāng)案供應(yīng)商——上海(hǎi)堅融實(shí)業有限(xiàn)公司(sī)JETYOO INDUSTRIAL & 堅(jiān)友（上(shàng)海(hǎi)）測量儀(yí)器有(yǒu)限(xiàn)公(gōng)司JETYOO INSTRUMENTS，為原(yuán)安捷倫Agilent【現(xiàn)是德KEYSIGHT】品牌技術(shù)經理(lǐ)-堅JET與吉時利(lì)KEITHLEY【現(xiàn)泰克Tektronix】品牌產品(pǐn)經(jīng)理-融YOO共同創辦，專注工(gōng)業測試(shì)領(lǐng)域十六(liù)年，誌(zhì)在(zài)破舊立(lì)新！*進口(kǒu)儀器設(shè)備大多數廠家僅在國內設(shè)銷(xiāo)售點(diǎn)，但技術支持薄弱(ruò)甚至沒有，而(ér)代(dài)理經銷(xiāo)商(shāng)也隻(zhī)做商(shāng)務，不(bù)做售(shòu)前技(jì)術(shù)支(zhī)持/測(cè)試方案(àn)和(hé)售(shòu)後(hòu)使用(yòng)培訓/維(wéi)修校準的空白(bái)。我(wǒ)們的(dí)技術(shù)型(xíng)銷售均為(wéi)本科(kē)以(yǐ)上(shàng)學(xué)歷，且均有(yǒu)10年(nián)以上測(cè)試(shì)行(háng)業經驗(yàn)，與客(kè)戶(hù)互(hù)惠互利合作雙(shuāng)贏，重(zhòng)在協(xié)助用戶采(cǎi)購與(yǔ)技術工程(chéng)師的工作，提供(gōng)較有競(jìng)爭力(lì)的供應(yīng)鏈(liàn)管理與售前(qián)售(shòu)後技術(shù)支持(chí)。堅融(róng)實業——一(yī)家致力於為祖國用戶(hù)提供儀(yí)器設(shè)備(bèi)，測試(shì)方案，技(jì)術培(péi)訓，維修(xiū)計量(liáng)全麵(miàn)服(fú)務(wù)的(dí)儀器(qì)設備(bèi)綜合服務商。

碳(tàn)化(huà)矽SiC，氮化镓(jiā)GaN，IGBT曲綫參(cān)數(shù)測(cè)試儀，適用(yòng)於(yú)MOSFET，CMOS，IGBT，三(sān)極管，二(èr)極管等材料(liào)，工藝和半導體器件電(diàn)流-電壓 (I-V)，電(diàn)容(róng)-電(diàn)壓 (C-V) 特(tè)性測(cè)試。

日(rì)本(běn)岩(yán)崎IWATSU半導(dǎo)體(tǐ)特性(xìng)曲綫(xiàn)圖示(shì)儀(yí)3KV-15KV，400A-8000A；CS-3300，CS-3200，CS-5400，CS-5300，CS-5200，CS-10800適用於(yú)碳化矽SiC，氮化镓(jiā)GaN，IGBT，二(èr)極(jí)管，晶(jīng)體管，場效應(yīng)管(guǎn) MOS-FET，可控矽(guī) SCR，達林頓(dùn)陣(zhèn)列，光(guāng)電(diàn)耦合，壓(yā)變電(diàn)阻(zǔ) VARISTOR，繼電器 RELAY 等半導(dǎo)體器(qì)件(jiàn)反向(xiàng) 恢復特性，短(duǎn)路(lù)特性，雪(xuě)崩(bēng)測試，結(jié)電容/電阻(zǔ)測試(shì)，漏(lòu)電參數(shù)，擊穿參(cān)數，增(zēng)益參數，導(dǎo) 通(tōng)參數(shù)，混合參數，電流-電(diàn)壓(yā) (I-V)，電(diàn)容-電壓 (C-V) 特性(xìng)測(cè)試。

日本IWATSU Curve Tracer CS-3300圖(tú)示儀是(shì)曲綫(xiàn)圖(tú)示(shì)儀, 可(kě)以支持Z大峰(fēng)值(zhí)從3,000V/400A至15,000V/8,000A. CS係(xì)列不(bù)僅適(shì)用(yòng)於(yú)高(gāo)電壓或高(gāo)電流功率器件 (如 IGBT 和功率 MOSFET) 的(dí)特(tè)性測試, 還(huán)可用(yòng)於(yú)各種半導體器件 (如晶(jīng)體管, 二(èr)極(jí)管(guǎn)和 LED) 的特性測試(shì), 及電(diàn)力電子器件 (如 SiC 和(hé) GaN) 的(dí)電容(róng)測(cè)試 (選件 CS-603A/CS-605A). 測試(shì)結(jié)果(guǒ)可以存(cún)儲(chǔ)在內(nèi)存中(zhōng), 或通過標配的USB 端口(kǒu)和 LAN 接(jiē)口被(bèi)發(fā)送到 PC.

產品特(tè)點

顯示屏(píng): 8.4″ 彩色(sè)TFT液晶顯(xiǎn)示(shì)屏

正確(què)測(cè)試半導(dǎo)體(tǐ)如(rú)IGBTs, MOSFETs, 晶體管(guǎn)和二極管(guǎn)的(dí)Z佳(jiā)解決(jué)方案

采(cǎi)用(yòng)電(diàn)路圖模式顯示內部的(dí)配(pèi)綫(xiàn)狀(zhuàng)態(tài) (CONFIGURATION), 更好(hǎo)地避免(miǎn)模(mó)塊(kuài)測試(shì)時的誤操(cāo)作(附(fù)圖(tú))

WAVE模(mó)式(shì): 能確(què)認(rèn)實際(jì)印(yìn)加電流和(hé)電壓波形(xíng)的(dí)監察(chá)模式 (附圖(tú))

可(kě)以像示波(bō)器一(yī)樣(yàng)通(tōng)過(guò)觀察模塊上(shàng)實(shí)際(jì)印加電(diàn)流和(hé)電(diàn)壓(yā)的(dí)波(bō)形來(lái)確(què)定(dìng)脈(mài)寬和實(shí)際測(cè)試點(diǎn) (Timing)

可(kě)通關(guān)確認實(shí)際波形(xíng), 適(shì)時(shí)調整(zhěng)脈寬(kuān)和測(cè)試(shì)點(diǎn)

避免(miǎn)示波(bō)器(qì)的探(tàn)棒影(yǐng)響(xiǎng), 可(kě)確(què)認實時的異常信號(hào)

可非常容易(yì)地(dì)確(què)認模(mó)塊發熱(rè)等引起的振蕩等熱(rè)異(yì)常(cháng)情況

可(kě)實(shí)現SiC和GaN等(děng)器件的(dí)電(diàn)容測(cè)試 (選件CS-603A/CS-605A)

可(kě)實現(xiàn)晶(jīng)圓和芯(xīn)片(piàn)上的電(diàn)容(róng)測試(shì) (探針台和(hé)選(xuǎn)件CS-603A/CS-605A)

標(biāo)配(pèi)LAN和(hé)USB接(jiē)口

日(rì)本IWATSU Curve Tracer CS-3300圖示(shì)儀產品應(yīng)用

適用於(yú)高(gāo)電(diàn)壓(yā)或(huò)高(gāo)電流功率器件(jiàn) (如IGBT和(hé)功(gōng)率MOSFET) 及(jí)半導(dǎo)體器件 (如晶體管(guǎn), 二極管和 LED) 的特(tè)性測(cè)試

電力電子(zǐ)器件(jiàn) (如(rú) SiC和GaN) 的(dí)電容測量 (選件(jiàn)CS-603A/CS-605A)

可實行晶圓(yuán)和芯片上(shàng)的電容(róng)測(cè)試(shì) (探針台和(hé)選件(jiàn)CS-603A/CS-605A)

靜(jìng)態特性(xìng)測試(shì)包(bāo)括漏電流, 飽和(hé)電(diàn)壓, VF和Vth (附圖(tú))

傳輸特(tè)性 (Vge-Ic/Vge-Vce) 和電路(lù)模塊(kuài)的測(cè)試功能

器(qì)件(jiàn)測試(shì)

可以在短時間(jiān)內(nèi)執(zhí)行(háng)多個(gè)器件(jiàn)的測(cè)試(shì)和(hé)記錄. 操作員隻需(xū)根據(jù)器件(jiàn)替(tì)換(huàn)和(hé)連接更(gēng)改來(lái)輸入樣本名稱, 以重(zhòng)復相(xiāng)同的測(cè)試(shì). 在既定條(tiáo)件(jiàn)下判斷 (通過/失敗) 將顯示每(měi)個測試與(yǔ)圖像和波形數據也將自(zì)動(dòng)存儲(chǔ)(附(fù)圖(tú))

半(bàn)導體溫(wēn)度(dù)特性(xìng)測試(shì)評估

CS-810控製(zhì)加(jiā)熱(rè)板(bǎn). 儘(jǐn)管測(cè)試(shì)需要(yào)很(hěn)長(cháng)的時間 (如溫(wēn)度測試), 仍(réng)可(kě)自動(dòng)執行(háng) (附(fù)圖(tú))

痠勞測(cè)試

在痠(suān)勞(láo)測試(shì)中(zhōng)可以(yǐ)包含各種(zhǒng)各(gè)樣的參數. CS-810 軟(ruǎn)件支持長(cháng)時(shí)間可(kě)靠性測(cè)試. 通(tōng)過曲(qū)綫圖(tú)示CS-810監察電壓和(hé)電流, 那些曲(qū)綫(xiàn)的(dí)區別(bié)能被(bèi)記錄下來. 痠勞(láo)測試(shì)可以實現多種(zhǒng)參(cān)數(shù)的(dí)自動測量(liáng). 偏置(zhì)會(huì)停止超越(yuè)電流(liú)或(huò)電壓的(dí)限製(zhì)值(zhí)並(bìng)以(yǐ)此(cǐ)設定(dìng)為(wéi)下限和(hé)上限的極限值(zhí). CS-810 軟(ruǎn)件(jiàn)測量 Ic 或 Vce (區間: 10s 至 2h) 和保(bǎo)持一定的(dí)電壓或電流(liú) (10s 至(zhì) 1,000h) (附圖)

與探針(zhēn)台共用時(shí), 可(kě)實現晶圓測試 (附圖)

碳化(huà)矽SiC，氮化(huà)镓GaN，IGBT曲綫(xiàn)參數測(cè)試(shì)儀產品功(gōng)能(néng)

電子電(diàn)力元件或(huò)器件測試波形特性的功能(néng)顯示(shì) (附圖)

配備選(xuǎn)件 CS-603A (3kV) 或 CS-605A (5kV), 可(kě)實現電子(zǐ)電力(lì)器(qì)件(jiàn)如SiC和(hé)GaN等的電(diàn)容(róng)測試

在3kV (CS-603A)/5 kV (CS-605A) 作自(zì)動(dòng)與掃描(miáo)電容(róng)測試

曲(qū)綫圖示儀的(dí)測(cè)試適(shì)配器(qì)可(kě)用於(yú)各(gè)種器(qì)件封裝(zhuāng)類型(xíng)

測(cè)試參(cān)數(shù)包括:

Cies, Ciss (輸入(rù)電容)

Coss (輸出(chū)電容(róng))

Cres, Crss (反(fǎn)向傳輸電(diàn)容(róng))

Ct (端子間(jiān)的電(diàn)容(róng))

Cgs, Cge/Cgd, Ccg/Cds, Cce (已(yǐ)計算(suàn))

Rg (柵極(jí)電阻)

可實行(háng)晶圓和芯(xīn)片上的電容測試 (探(tàn)針台(tái)和選(xuǎn)件(jiàn)CS-603A/CS-605A)

具(jù)有外部(bù)聯(lián)鎖(suǒ)功能(néng)的恒溫(wēn)箱高(gāo)低(dī)溫(wēn)試(shì)驗

與電(diàn)腦全(quán)自動(dòng)化結(jié)合(hé)

CS-810半導(dǎo)體參數測試(shì)軟件 (選(xuǎn)件)

通過對主(zhǔ)機(jī)的(dí)遠(yuǎn)程控製, 可實現各種自動測(cè)試的軟件. 傳(chuán)統上(shàng)通(tōng)過曲(qū)綫圖(tú)示儀難(nán)以進(jìn)行的疲勞測試(shì). 加熱實驗(yàn)或同時控製恒(héng)溫箱(xiāng)進行多(duō)溫度點實驗(yàn)都可使(shǐ)用本軟(ruǎn)件(jiàn)來(lái)實(shí)現 (附圖(tú))

USB 存儲器

圖(tú)像: 數據(jù)和(hé)設置(zhì)條(tiáo)件

格式: TIFF, BMP, PNG保存(cún)格式 (背(bèi)景(jǐng)可選(xuǎn)擇(zé)為(wéi)黑色或白色(sè), 彩色或單(dān)色)

波(bō)形(xíng)數(shù)據: 文本文件和二進(jìn)製文(wén)件

遠程(chéng)控(kòng)製工具

如(rú)因保(bǎo)密需要(yào)而(ér)冇(mǎo)法使用USB存(cún)儲器時, 可以(yǐ)通(tōng)過安(ān)裝在(zài)PC的(dí)遠(yuǎn)程控(kòng)製工具(jù)進行(háng)數(shù)據(jù)存(cún)取

以太(tài)網(wǎng)

標準配(pèi)置 (主機背麵(miàn))

測(cè)試(shì)點(diǎn)數可調整.可(kě)根據需要的掃(sǎo)描速度及(jí)分辨(biàn)率來(lái)設置(zhì). 根據不(bù)同用途可改(gǎi)變(biàn)掃(sǎo)描方(fāng)向. 同時具(jù)有(yǒu)客(kè)戶(hù)功(gōng)能(néng), 可以僅(jǐn)對某(mǒu)一段(duàn)進行(háng)掃描, 特別(bié)是在自(zì)動測試時可(kě)以實現高(gāo)速且高分辨率的測試(附(fù)圖)

用(yòng)戶(hù)友(yǒu)好的測量(liáng)屏(píng)幕(mù)

圖(tú)形(xíng)配置(zhì)屏(píng)幕晶(jīng)體(tǐ)管V-I特性示(shì)例（跟(gēn)蹤(zōng)模式）

圖形(xíng)配(pèi)置(zhì)選(xuǎn)擇晶體(tǐ)管(guǎn)I-V特(tè)性示例(lì)（Trace模式）

大(dà)電流(liú)脈衝(chōng)模式(shì)（波(bō)模式(shì)）下的Vbe和Ic波形

高電(diàn)流脈衝模式（波模(mó)式）下的(dí)Vbe和(hé)Ic波(bō)形(xíng)

IWATSU半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)特(tè)性曲綫圖示儀CS-3100，CS-3200，CS-3300規(guī)格參(cān)數指標

項目

CS-3100

CS-3200

CS-3300

集電(diàn)極(jí)電源

模(mó)式(shì)

高(gāo)電(diàn)壓

AC，±全波整(zhěng)流，± DC，±LEAKAGE

大(dà)電流

脈(mài)衝

zui大(dà)峰值功率(shuài)

120 mW，1.2 W，12 W，120 W，390 W

*可(kě)以選(xuǎn)擇390 W（不含(hán)3000 V範圍(wéi)下的zui大峰(fēng)值(zhí)電(diàn)壓設(shè)置）。

大電(diàn)流(liú)模(mó)式（400 W，4 kW）

大電流(liú)模式（400 W，4 kW，10 kW）

高電壓(yā)模式

zui大峰(fēng)值電(diàn)流（zui大峰值脈衝電流）	zui大峰值電壓
75 mA (150 mA)	3000 V（2500 V，AC）
750 mA (1.5 A)	300 V
7.5 A (15 A)	30 V

環(huán)路校正

測試台的集電極(jí)引腳(jiǎo)與(yǔ)接(jiē)地之(zhī)間的雜(zá)散(sàn)電容由(yóu)高電壓(yā)模(mó)式下(xià)的硬(yìng)件提(tí)供補償，還可提供數字(zì)補(bǔ)償。

大電(diàn)流(liú)模式(shì)（脈(mài)衝）

zui大峰(fēng)值(zhí)電(diàn)流	zui大峰值電壓
400 A	40 V
40 A	40 V

zui大峰(fēng)值(zhí)電流(liú)	zui大峰值(zhí)電(diàn)壓(yā)
1000 A	40 V
400 A	40 V
40 A	40 V

脈衝寬度(dù)/測量點

脈衝寬(kuān)度(dù)可(kě)在50 - 400 μs範(fàn)圍內(nèi)變(biàn)化(huà)。

可以測量(liáng)點(diǎn)（分辨率(shuài)為10 μs/步進）。

數據(jù)點上限

每次跟蹤可以(yǐ)20 - 1000個(gè)點。

階(jiē)梯信(xìn)號(hào)發生器

電流模式

幅度範圍：50 nA - 200 mA，共(gòng)21個(gè)範(fàn)圍，步進(jìn)為1-2-5

zui大(dà)電(diàn)流：±2A/偏移(yí)：步進幅度(dù)設置(zhì)的±10倍

電壓模式

幅(fú)度範(fàn)圍：50 mV - 2 V，共6個範(fàn)圍(wéi)，步進為(wéi)1-2-5

zui大電(diàn)壓(yā)：±40V/偏(piān)移：步(bù)進(jìn)幅(fú)度(dù)設(shè)置的±10倍

步(bù)進率(shuài)

梯(tī)形波：50 Hz或60 Hz的(dí)2倍

（AC模式(shì)下為(wéi)50 Hz或(huò)60 Hz）

梯形波：50 Hz或(huò)60 Hz的2倍（AC模式下為(wéi)50 Hz或60 Hz）

脈(mài)衝：脈(mài)衝變(biàn)化範圍為80ms - 1000 ms。

（zui低(dī)頻率受zui大(dà)峰(fēng)值功耗設置限製(zhì)。）

脈(mài)衝步進

脈衝(chōng)寬(kuān)度(dù)可(kě)在50μs - 400 μs範(fàn)圍內變(biàn)化（分辨(biàn)率為10μs）。

步(bù)進(jìn)數

0 - 20步(bù)

AUX輸出(chū)

範圍

關閉(bì)，-40V - +40 V，按100mV分辨率變(biàn)化

垂直(zhí)軸

集電(diàn)極(jí)電(diàn)流(liú)

範(fàn)圍

高電壓(yā)模式：1 μA/div - 2 A/div，共20個範圍，步(bù)進為1-2-5。

高電流模式：100 mA/div - 50 A/div，共9個範圍(wéi)，步進(jìn)為1-2-5。

高(gāo)電(diàn)流模式：100 mA/div - 100 A/div，共10個範圍，步進為1-2-5。

精度

2%讀(dú)數(shù) + 0.05 × VERT/div設置(zhì)值(zhí)或更低(dī)（下(xià)麵的內部環(huán)路校正錯(cuò)誤(wù)必(bì)須(xū)加(jiā)至(zhì)左邊(biān)的(dí)公式(shì)中(zhōng)。）

3 kV範圍(wéi)：6 μA，300 V 範(fàn)圍：1 μA, 30 V 範圍：0.5 μA（僅針對各電壓(yā)範圍(wéi)麵積(jī)的(dí)10%或(huò)以(yǐ)上(shàng)。）

發射(shè)極電流(liú)（泄漏）

範(fàn)圍

1 nA/div - 2 mA/div，共(gòng)20個範圍(wéi)，步進(jìn)為(wéi)1-2-5

精度

2%讀數+ 0.05 × VERT/div設置(zhì)值 + 1 nA 或(huò)更低(dī)

水(shuǐ)平(píng)軸

集電(diàn)極電壓

範圍

高電壓(yā)模式(shì)：50 mV/div - 500 V/div，共13個範(fàn)圍(wéi)，步(bù)進(jìn)為(wéi)1-2-5

高電流模式(shì)：50 mV/div - 5 V/div，共(gòng)7個(gè)範圍，切(qiē)換(huàn)步(bù)進(jìn)為1-2-5

精度

2%讀數(shù) + 0.05 × HORIZ/div 設置值(zhí)或(huò)更高(gāo)

基極/發(fā)射(shè)極(jí)電壓(yā)

範(fàn)圍

50 mV/div - 5 V/div，共7個(gè)範(fàn)圍(wéi)，步(bù)進(jìn)為(wéi)1-2-5

精度(dù)

2%讀數(shù) + 0.05 × HORIZ/div 設置值或(huò)更(gēng)高(gāo)

其他

監視器

8.4英(yīng)寸彩色(sè)TFT液(yè)晶屏（SVGA 800 x 600像素）

數(shù)據保存/讀取(qǔ)

內置：存(cún)儲器(qì)（設置(zhì)：256，REF波(bō)形： 4）

外(wài)置(zhì)：移動存儲器(qì)（連(lián)接(jiē)至USB端口）

（設(shè)置(zhì)，波形(xíng)保存(cún)/再(zài)調(tiáo)用，屏幕(mù)硬(yìng)拷貝）

USB

1個端口(USB1.1)

遠(yuǎn)程(chéng)控製(zhì)

通(tōng)過局域網(wǎng)進行遠程控(kòng)製：1個端口(100BASE-TX)

電源/功耗

電源輸入(rù)範圍(wéi)：100 - 240 V AC，

50/60 Hz 功(gōng)耗：500 VA

配(pèi)件(jiàn)

CS-301（S型測(cè)試台），

CS-500（測試(shì)適配器），

操作(zuò)手冊(cè)，

電(diàn)源綫(xiàn)

CS-302（M型測試(shì)台(tái)），

CS-500（測試(shì)適(shì)配(pèi)器），

綫束(shù)，

操作(zuò)手(shǒu)冊，

電(diàn)源(yuán)綫

機械部分

尺寸(mm)

424 (長) x 555.2 (寬(kuān)) x 221 (H)（不含(hán)外部凸出(chū)部分(fēn)）

424 (長) x 555.2 (寬) x 354.5 (H)

（不含外部凸(tū)出部分）

重量(liáng)

約30 kg（不(bù)含(hán)選配(pèi)件(jiàn)）

約45 kg（不(bù)含選配件(jiàn)）

環境條件(jiàn)

工(gōng)作溫(wēn)度(dù)：0 - +40 °C，

保證性能溫度(dù)：+10 - +35 ℃

CS-3100，CS-3200，CS-3300功能

觀察(chá)I-V曲(qū)綫(xiàn)以及(jí)電壓(yā)和電流的應(yīng)用(yòng)波形

電流(liú)和(hé)電(diàn)壓脈衝(chōng)在(zài)高電(diàn)流(liú)模(mó)式下的(dí)應用

應(yīng)用(yòng)電流和電壓(yā)的(dí)脈衝寬度以及(jí)測量點(diǎn)額定(dìng)可設定為(wéi)50 - 400 μs之間（CS-3200和(hé)CS-3300）。

MOSFET“電(diàn)流(liú)"和“電(diàn)壓"特性測量示例(lì)

可(kě)選擇(zé)“掃(sǎo)描類別(bié)"(SWEEP TYPE)

“掃描(miáo)類別(bié)"包括“下(xià)"(DOWN)，“上"(UP)和“定(dìng)製(zhì)"(CUSTOM)（所(suǒ)有模(mó)式(shì)）。

如“定製"模式，可以掃描(miáo)值(zhí)之間(jiān)的範圍。

CS-800半導體參(cān)數搜(sōu)索（可(kě)選）

該主控(kòng)裝置軟件選項支持電壓和(hé)電流限(xiàn)製功(gōng)能(néng)，以(yǐ)及自動(dòng)Vth測(cè)量功(gōng)能。

限製掃(sǎo)描(LIMIT SWEEP)

如(rú)果在(zài)“掃(sǎo)描(miáo)"操(cāo)作前(qián)了電壓和電流限(xiàn)值，操作(zuò)會(huì)在(zài)超過限值後的(dí)下一個(gè)測量(liáng)點停止(zhǐ)執(zhí)行。

Vth和hFE設置(zhì)

Vth和(hé)hFE可(kě)以自(zì)動(dòng)測量(liáng)。

Vth自(zì)動測(cè)量示(shì)例(lì)。

遠程(chéng)工(gōng)具

如(rú)果因安全原(yuán)因不允(yǔn)許(xǔ)使(shǐ)用(yòng)USB存儲器，可以(yǐ)通過局(jú)LAN將屏(píng)幕(mù)截圖，CSV格式測(cè)量(liáng)結果(guǒ)及其(qí)他數(shù)據(jù)直接(jiē)傳(chuán)輸到個人(rén)電腦(nǎo)上。

免費(fèi)提(tí)供遠程(chéng)操(cāo)作軟件(jiàn)。但使用該(gāi)軟件(jiàn)時(shí)必(bì)須(xū)安(ān)裝NI VISA庫(kù)（需(xū)要(yào)收費(fèi)）。

CS-810半導體(tǐ)參數測量（選件）

這是一款電(diàn)腦(nǎo)應用程(chéng)序，用(yòng)於通(tōng)過(guò)局域網將配有(yǒu)CS-800的(dí)主(zhǔ)控裝(zhuāng)置(zhì)連接到(dào)個人電腦上（可(kě)選）。該(gāi)應(yīng)用程(chéng)序可(kě)以(yǐ)根(gēn)據個人電腦的測量條件進行自(zì)動(dòng)測(cè)量，並確定數(shù)據(jù)的正確(què)性(xìng)。