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技術(shù)文(wén)章您(nín)當前(qián)的(dí)位置：首頁 > 技(jì)術文(wén)章(zhāng) > 美國吉時利(lì)keithley納米(mǐ)科學(xué)研究實驗

美國(guó)吉(jí)時利(lì)keithley納米科(kē)學(xué)研究實驗

日期(qī)：2012-11-30瀏覽：4607次(cì)

 美國(guó)吉時利keithley納(nà)米(mǐ)科(kē)學研究(jiū)實驗(yàn)

•概述(shù)•測(cè)量(liáng)範例(lì)•測試(shì)方(fāng)案(àn)
•帶(dài)給(gěi)納米科學(xué)研究(jiū)人員的(dí)主(zhǔ)要(yào)好處(chǔ)•納(nà)米(mǐ)聯盟(méng)合作(zuò)夥伴(bàn)資(zī)源(yuán)•常用(yòng)產品(pǐn)
•相關資料•其它(tā)應(yīng)用(yòng)領(lǐng)域(yù)
 
美(měi)國吉時利keithley納米科學(xué)研究實驗(yàn)概述(shù)
正如數字革(gé)命(mìng)和現代(dài)生物學，納米技術(shù)日益成為(wéi)科(kē)學技術向前(qián)發展趨勢的主導(dǎo)技(jì)術(shù)。納(nà)米(mǐ)級科學和(hé)工程將(jiāng)基(jī)礎研究和(hé)教(jiào)育的(dí)進步，電子和(hé)光(guāng)電器件(jiàn)的進步以(yǐ)及(jí)半(bàn)導(dǎo)體製造(zào)，生(shēng)物(wù)技術(shù)，替代(dài)能(néng)源和工(gōng)業製造(zào)的(dí)顯(xiǎn)著變化。
3 端(duān)納米(mǐ)綫(xiàn)晶(jīng)體管
（圖(tú)片由美(měi)國德(dé)州大學達拉斯(sī)分(fēn)校(xiào)提供） 
美(měi)國吉時(shí)利keithley6430 型(xíng)亞(yà) fA 程(chéng)控源(yuán)表® Measures currents with 400aA （400X10-18A） Sensitivity 
 
納(nà)米(mǐ)級材料和(hé)器(qì)件的製造通常始於(yú)化學(xué)，生(shēng)物學或半(bàn)導(dǎo)體器件(jiàn) / 微電(diàn)子實驗(yàn)室。納米(mǐ)級(jí)材(cái)料和器件的電氣(qì)測量不僅(jǐn)揭(jiē)示了電特性(xìng)，還(huán)揭示了(liǎo)納米(mǐ)微粒(lì)的(dí)狀態(tài)密度(dù)等一般特性。這(zhè)些(xiē)基本特性(xìng)可用於預測和(hé)控製(zhì)物理特性，例如抗(kàng)拉(lā)強度(dù)，顏(yán)色(sè)以及電導性和導(dǎo)熱(rè)性。然(rán)而，進(jìn)行有(yǒu)意(yì)義的測(cè)量需要高(gāo)靈敏度(dù)的(dí)儀器(qì)以及(jí)復雜的探(tàn)頭(tóu)技術(shù)。於納米(mǐ)技術(shù)研究(jiū)的儀(yí)器(qì)不斷(duàn)增(zēng)加，但是用(yòng)戶必須了解所(suǒ)需(xū)的(dí)測(cè)量類型，以及(jí)哪(nǎ)種測(cè)試係統特點(diǎn)將(jiāng)增加速度和準(zhǔn)確(què)度(dù)。
 
對(duì)於(yú)實驗室(shì)中研(yán)究的(dí)許(xǔ)多(duō)納(nà)米(mǐ)級(jí)材(cái)料(liào)和器件，zui常見的電氣特性分析(xī)方法是電流(liú)與電(diàn)壓 （I-V） 測(cè)試(shì)。電流-電壓(yā)特(tè)性是顯(xiǎn)示(shì)電子(zǐ)器件上的直(zhí)流(liú)電流(liú)與(yǔ)其兩端(duān)的(dí)直流電(diàn)壓之間(jiān)關係(xì)的一幅圖(tú)。電氣工程師使(shǐ)用這些(xiē)圖確(què)定器(qì)件的(dí)基(jī)本參數(shù)並對電子(zǐ)電路(lù)的行(háng)為建模。通(tōng)常，工(gōng)程(chéng)師(shī)將特(tè)性(xìng)分析(xī)圖稱為(wéi) I-V曲綫，從(cóng)而(ér)指用於(yú)電(diàn)流和電(diàn)壓(yā)的標準符(fú)號。典(diǎn)型的(dí)碳(tàn)納米(mǐ)管(guǎn)MOSFET 的漏電壓(yā)與漏電(diàn)流 I-V 曲綫(xiàn)看起來像(xiàng)左(zuǒ)邊的曲綫(xiàn)。
 
美(měi)國吉時利(lì)keithley納(nà)米科學(xué)研(yán)究實驗(yàn)測(cè)量範(fàn)例(lì)
 
新材(cái)料研(yán)究(jiū)
4 綫連(lián)接至碳(tàn)納(nà)米管 
（圖(tú)片(piàn)重新(xīn)製作以示對 Zyvex 公(gōng)司的尊(zūn)重(zhòng)） 
 
在器(qì)件開發過程中，類似(sì)納(nà)米綫(xiàn)，碳納米(mǐ)管(guǎn)和納米晶(jīng)體的(dí)結構(gòu)常常(cháng)表(biǎo)現(xiàn)出(chū)與眾(zhòng)不同(tóng)的特(tè)點。分析(xī)這(zhè)些(xiē)特點而(ér)不損(sǔn)壞*的(dí)結(jié)構(gòu)需(xū)要(yào)能對源進行(háng)嚴格(gé)控製的(dí)係統，以防(fáng)止(zhǐ)器(qì)件(jiàn)自發熱。吉時(shí)利測量(liáng)儀器將這種(zhǒng)嚴格控製與超(chāo)快測量速度和(hé)靈(líng)敏度(dù)結(jié)合在(zài)靈活(huó)，模塊化(huà)的(dí)結(jié)構(gòu)中從(cóng)而很容(róng)易適應不(bù)斷變化的測試要求。
 
測量(liáng)這些(xiē)材料(liào)的(dí)一種(zhǒng)zui常用(yòng)的(dí)測(cè)量技術是使用(yòng) 4 綫或 “Kelvin” 測量。采(cǎi)用 Kelvin 測(cè)量技(jì)術時(shí)，需要第二(èr)組探(tàn)頭用於(yú)感測。因為這些(xiē)探頭中的(dí)電流(liú)可(kě)忽略(lüè)不計，所(suǒ)以隻用測量(liáng) DUT 兩端的(dí)壓降(jiàng)，如下(xià)圖所(suǒ)示(shì)。因此，電阻測(cè)量或 I-V 曲(qū)綫發生(shēng)就(jiù)更(gēng)準確(què)了。
 
美(měi)國(guó)吉時利(lì)keithley4200-SCS 型(xíng)半導(dǎo)體特性分(fēn)析(xī)係(xì)統中(zhōng)的吉時利交互式(shì)測試環境(jìng) （KITE） 允(yǔn)許任何納(nà)米科(kē)學領(lǐng)域的(dí)研究人員培養(yǎng)輕鬆，快捷(jié)地配置測(cè)量測試的(dí)能力。KITE 是一款用於(yú)納米(mǐ)材(cái)料(liào)和(hé)器(qì)件以及(jí)半導體器件(jiàn)特性(xìng)分析(xī)的應(yīng)用(yòng)程序(xù)。測(cè)試(shì)中的(dí)源(yuán)和(hé)測量功(gōng)能(néng)由源測量單元（輸出(chū)並(bìng)測量直流電壓(yā)和(hé)電流(liú)的電子(zǐ)儀器(qì)） 提供。測試(shì)能力(lì)的(dí)擴(kuò)展可(kě)以通過各種外(wài)部組(zǔ)件的支持(chí)實現。這(zhè)是碳納米(mǐ)管 I-V 測試的設置範例(lì)以及(jí)單壁碳納米(mǐ)管的 I-V 掃(sǎo)描結(jié)果：
 
這(zhè)幅(fú)圖(tú)說明了采(cǎi)用吉時(shí)利(lì) 4200-SCS 和 KITE 獲得(dé)的碳(tàn)納米管 I-V 曲(qū)綫
（感謝(xiè) Zyvex 公司）
 
實(shí)驗器件的開發
由一(yī)係(xì)列(liè)金納(nà)米粒子(zǐ)形成的器件。照片由(yóu)芝(zhī)加哥(gē)大學的 K. Elteto 和 X.M. Lin 提(tí)供。 
在(zài)器件開(kāi)發過程(chéng)中，類似(sì)納米綫，碳(tàn)納(nà)米管和(hé)納(nà)米晶體的(dí)結(jié)構常常(cháng)表現出與眾不(bù)同的特(tè)點(diǎn)。分析這些特(tè)點而(ér)不損壞*的(dí)結(jié)構(gòu)需(xū)要(yào)能(néng)對源進(jìn)行嚴格控製(zhì)的(dí)係統(tǒng)，以防止(zhǐ)器件(jiàn)自發(fā)熱。吉(jí)時利(lì)測(cè)量儀器(qì)將這種嚴格(gé)控製與(yǔ)超快測量速(sù)度(dù)和(hé)靈敏(mǐn)度結合(hé)在(zài)靈(líng)活，模(mó)塊(kuài)化的(dí)結(jié)構中從(cóng)而很(hěn)容(róng)易適(shì)應不(bù)斷(duàn)變化的測試要求。
 
低電平脈衝測(cè)量涉及輸(shū)出(chū)電(diàn)流(liú)脈(mài)衝(chōng)並(bìng)測量(liáng)所產(chǎn)生的(dí)電壓。因為美(měi)國(guó)吉時(shí)利keithley6221 / 2812A 的(dí)組合(hé)用於(yú)解決在低(dī)信號(hào)電(diàn)平(píng)，低(dī)電平噪(zào)聲條(tiáo)件(jiàn)下(xià)的脈衝(chōng)特性分(fēn)析(xī)問題(tí)。然(rán)而(ér)，6221 / 2182A 組(zǔ)合(hé)與以(yǐ)往所(suǒ)有的(dí)測試(shì)配置(zhì)在一(yī)些重要(yào)方麵不(bù)相同。一(yī)個區別(bié)是所有(yǒu)脈衝測(cè)量(liáng)都(dū)是(shì)差(chà)分 （或相對） 測量(liáng)。這(zhè)意(yì)味著(zhuó)會給測量信號增(zēng)加(jiā)誤(wù)差(chà) （例如(rú)偏(piān)移(yí)，漂(piāo)移，噪(zào)聲(shēng)和熱電(diàn)的 EMF） 的背(bèi)景(jǐng)電(diàn)壓被(bèi)消(xiāo)除(chú)了(liǎo)。
 
由於(yú)熱電壓(yā)和儀(yí)表偏移產(chǎn)生(shēng)的(dí)直流(liú)偏(piān)移會給測量的電壓帶來嚴重誤差。
 
使(shǐ)用(yòng) delta 模(mó)式測(cè)量技術(shù)消(xiāo)除(chú)偏移(yí)。
 
 
進行相對(duì)測量消除(chú)偏移(yí)誤差(chà)。
測(cè)量(liáng)的 delta 電壓對(duì)電流(liú)脈(mài)衝產(chǎn)生正(zhèng)確的電壓(yā)響應。
兩點(diǎn) delta 模(mó)式(shì)測(cè)量的(dí)操(cāo)作是(shì)輸出電(diàn)流脈(mài)衝並且在(zài)每次脈(mài)衝之前和脈衝(chōng)期(qī)間各進(jìn)行一(yī)次測量。得(dé)到(dào)這(zhè)兩次測量(liáng)的(dí)差值就(jiù)消(xiāo)除了任何恒(héng)定(dìng)的(dí)熱(rè)電偏移(yí)，保留了真實(shí)的電壓值(zhí)。然(rán)而(ér)，兩點(diǎn)測量法不能(néng)消除隨時間(jiān)漂(piāo)移的熱電偏移(yí)。使(shǐ)用(yòng) delta 方(fāng)法(fǎ)中的第三個測量點(diǎn)就能消(xiāo)除(chú)漂(piāo)移(yí)的(dí)偏移量。
 
一(yī)種(zhǒng)可選的第三個測量點(diǎn)能幫助(zhù)消除移動的(dí)偏(piān)移量。
第(dì)三個測(cè)量點(diǎn)是可選(xuǎn)的，但是(shì)並不可取。例如(rú)，取(qǔ)決於(yú)器件(jiàn)的定時(shí)特(tè)性，如果輸出(chū)的電(diàn)流脈衝對(duì)器(qì)件(jiàn)有(yǒu)長(cháng)期效應，那麼由於(yú) DUT 脈(mài)衝帶(dài)來(lái)的(dí)熱量(liáng)，用於取(qǔ)消移動偏移(yí)的第三測量點(diǎn)可能(néng)包(bāo)含(hán)誤差，因(yīn)此弊(bì)大(dà)於利。
 
測(cè)試(shì)方案
吉(jí)時利(lì)測量儀器在納米(mǐ)技(jì)術(shù)研(yán)究和開發(fā)環(huán)境(jìng)中的(dí)應用不斷擴大(dà)。這(zhè)裏示出(chū)的應用僅是吉時利測(cè)量儀(yí)器(qì)和係統(tǒng)適合的(dí)納(nà)米技術測試(shì)和測(cè)量任務節(jié)選(xuǎn)。如(rú)果(guǒ)您(nín)的(dí)測(cè)試(shì)需要輸(shū)出或(huò)測(cè)量(liáng)低(dī)電(diàn)平(píng)信號(hào)，那(nà)麼吉時利(lì)測(cè)量(liáng)儀器(qì)能幫(bāng)助(zhù)您(nín)更準(zhǔn)確，更(gēng)經(jīng)濟有效地執行(háng)這(zhè)些操(cāo)作。
 
4200-SCS 半導體特(tè)性分(fēn)析係(xì)統(tǒng)
特(tè)點(diǎn)：
符(fú)合 IEEE P1650-2005 標(biāo)準；
易於使(shǐ)用，基(jī)於(yú) Windows 操作(zuò)；
完(wán)整，集成(chéng)方(fāng)案；
無(wú)以倫比的靈活性和適應性。
吉時利zui初(chū)開發 4200-SCS 是用於半(bàn)導體工(gōng)業，但(dàn)是納(nà)米技(jì)術研究人(rén)員(yuán)很(hěn)快就發現 4200-SCS 對(duì)於納米級材(cái)料(liào)和器件(jiàn)的開發(fā)和研(yán)究非常(cháng)有效(xiào)。今(jīn)天(tiān)，4200-SCS *的(dí)特性(xìng)分(fēn)析係(xì)統(tǒng)是用於(yú)*納(nà)米技(jì)術研(yán)究和教(jiào)育(yù)實驗(yàn)室的(dí)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)工具，其應用領域從(cóng)材(cái)料(liào)研(yán)究和(hé)納米結(jié)構(gòu)開發到納(nà)米電子器件的(dí)I-V特(tè)性分(fēn)析。4200-SCS 係統(tǒng)深(shēn)受(shòu)歡迎的部分原(yuán)因是(shì)吉(jí)時(shí)利(lì)不(bù)斷致(zhì)力於(yú)增強其硬(yìng)件和軟(ruǎn)件性能(néng)以滿足(zú)新興測試(shì)需求。吉時(shí)利不(bù)斷(duàn)致(zhì)力(lì)於提(tí)高(gāo) 4200-SCS 的(dí)性能(néng)確保(bǎo)不斷為您(nín)提供(gōng)經濟有效的係統升(shēng)級途(tú)徑到(dào)的測量(liáng)性能。
 
帶(dài)給納米(mǐ)科(kē)學(xué)研(yán)究人員的主(zhǔ)要好處(chǔ)
1.精(jīng)密，有(yǒu)把握地分析(xī)納(nà)米材料和(hé)實驗器件的(dí)能力；
2.直(zhí)流，脈(mài)衝(chōng)，射(shè)頻測(cè)試(shì)：擴(kuò)展(zhǎn)您的能力，拓展(zhǎn)發現(xiàn)的(dí)潛(qián)力；
3.可配(pèi)置(zhì)，可擴縮，可升級：現在能工作，以後能成長；
4.脈(mài)衝測試(shì)zui小(xiǎo)化焦耳熱效應；
5.4200-SCS 符(fú)合(hé)並且(qiě)支(zhī)持世(shì)界*項用(yòng)於(yú)碳(tàn)納(nà)米管(guǎn)的電測(cè)量(liáng)標(biāo)準(zhǔn) —— IEEE P1650-2005 標(biāo)準(zhǔn)：“測量碳納(nà)米(mǐ)管(guǎn)電(diàn)氣特性的(dí) IEEE 標準(zhǔn)測試方法”。
6.吉時(shí)利高速和簡(jiǎn)潔的(dí)測試方(fāng)案能讓(ràng)生物學(xué)家，化(huà)學(xué)家(jiā)，物(wù)理(lǐ)學家或其他(tā)研(yán)究人員(yuán)簡便地(dì)進(jìn)行(háng)復雜測(cè)量。
7.吉時利(lì)產品被(bèi)您(nín)的同(tóng)行(háng)在(zài)久(jiǔ)負盛名的納(nà)米(mǐ)科(kē)學研(yán)究期刊中廣泛(fàn)使(shǐ)用和引(yǐn)用，例(lì)如(rú)：
- 《納(nà)米(mǐ)快報》（Nano Letters）- 《納米技術(shù)》（Nanotechnology）- 《IEEE 納(nà)米(mǐ)技(jì)術(shù)匯刊》（IEEE Transactions on Nanotechnology）
- 《先進(jìn)材料》（Advanced Materials）- 《自然》（Nature）- 《應(yīng)用(yòng)物理快報(bào)》（Applied Physics Letters）
 
納(nà)米聯(lián)盟合作夥(huǒ)伴資(zī)源(yuán)
納米(mǐ)工程(chéng)功(gōng)能(néng)材(cái)料(liào)研(yán)究中(zhōng)心 （FENA）西部(bù)納米(mǐ)電(diàn)子(zǐ)研究(jiū)所 （WIN）加州納米(mǐ)係(xì)統研(yán)究(jiū)院 （合(hé)作夥伴(bàn)）
 
常用產品(pǐn)
此部分(fēn)的(dí)鏈接(jiē)將您(nín)帶到每款儀器的(dí)產品網(wǎng)頁，其(qí)中包含(hán)手冊，軟(ruǎn)件和(hé)驅動的快速鏈接(jiē)。
美國吉時利keithley4200 型半(bàn)導體特(tè)性分析(xī)係(xì)統
4200-SCS 型半導體特性(xìng)分析係(xì)統(tǒng)
4200-CVU 型集成 C-V 選件(jiàn)用於 4200-SCS
4200- PIV-A 型脈衝 C-V 選件用(yòng)於4200-SCS
 
數字源(yuán)表(biǎo)
2400 型(xíng)通(tōng)用數(shù)字(zì)源表(biǎo)
2410 型高(gāo)壓(yā)源(yuán)表(biǎo)
2420 型(xíng) 3A 源(yuán)表
2425 型(xíng)高功(gōng)率(shuài)源(yuán)表(biǎo)
2430 型脈衝源表
2440 型 源表
2601 型高(gāo)吞(tūn)吐量源表(biǎo)
2602 型雙通(tōng)道高(gāo)吞(tūn)吐量源表
美國(guó)吉時(shí)利keithley2611 型(xíng)高(gāo)壓(yā)和脈(mài)衝(chōng)輸(shū)出源表(biǎo)
美(měi)國(guó)吉(jí)時利keithley2612 型雙(shuāng)通道高(gāo)壓和(hé)脈衝輸(shū)出源表(biǎo)
美(měi)國吉時(shí)利keithley2635 型低電(diàn)流和脈(mài)衝(chōng)輸出源表
美(měi)國(guó)吉時(shí)利keithley2636 型(xíng)雙(shuāng)通(tōng)道低(dī)電流和脈衝輸(shū)出源表(biǎo)
美國吉(jí)時(shí)利keithley6430 型亞 fA 程控(kòng)源表(biǎo)
 
電流源(yuán) / 納(nà)伏表(biǎo)
美國吉時(shí)利(lì)keithley6220 型(xíng)直流電流源
美(měi)國吉(jí)時(shí)利keithley6221 型(xíng)交流和直流(liú)電流源
美國吉時利keithley2182A 型(xíng)納伏(fú)表
 
靜電計(jì) / 皮(pí)安表
美國(guó)吉時(shí)利(lì)keithley6514 型靜電(diàn)計(jì)
美國吉(jí)時利(lì)keithley6517A 型靜電(diàn)計 / 高阻(zǔ)表(biǎo)
美國(guó)吉時利(lì)keithley6485 型(xíng)皮安表
美國吉(jí)時利keithley6487 型皮(pí)安(ān)表 / 電壓源
 
電流放大器
美國吉時利keithley428 型(xíng)可(kě)編(biān)程電流放(fàng)大器
 
脈衝(chōng)發(fā)生器(qì)
美國吉時利keithley3401 型(xíng)單通道(dào)脈(mài)衝 / 碼(mǎ)型(xíng)發(fā)生器
3402 型雙(shuāng)通道脈(mài)衝 / 碼型(xíng)發生(shēng)器
 
小冊子(zǐ)
探(tàn)索(suǒ)應對未(wèi)來納米(mǐ)特性分析(xī)挑(tiāo)戰的方案(àn)
4200-SCS 半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)特性(xìng)分析係統(tǒng)
4200-CVU 集(jí)成 C-V 選(xuǎn)件用於(yú) 4200-SCS
美(měi)國吉(jí)時(shí)利keithley2600 係列數(shù)字(zì)源表(biǎo)多通(tōng)道(dào) IV 測(cè)試(shì)儀器(qì) – 用於快速(sù)研(yán)發和功(gōng)能(néng)測試的(dí)可擴縮(suō)方(fāng)案
美國吉時(shí)利keithley2400 係(xì)列數(shù)字(zì)源表係(xì)列 探索(suǒ)應(yīng)對未(wèi)來(lái)納米(mǐ)特性(xìng)分(fēn)析挑戰的(dí)方(fāng)案
吉時利(lì)脈(mài)衝方(fāng)案
精密，低(dī)電(diàn)流源用於器(qì)件測試和分(fēn)析(xī)
高準(zhǔn)確度(dù)皮安表(biǎo)適於低(dī)電流 / 高阻應用
高(gāo)準(zhǔn)確度(dù)靜(jìng)電計(jì)適於低電流 / 高阻(zǔ)應用
用，的無(wú)綫(xiàn)測(cè)試創新(xīn)測(cè)試您(nín)的信號
半導(dǎo)體(tǐ)特(tè)性分析係統 – 產品瀏(liú)覽(lǎn)
4200-SCS 半導體特(tè)性分(fēn)析(xī)係統(tǒng)
4200-CVU 集(jí)成 C-V 選件用(yòng)於(yú) 4200-SCS
4200- PIV-A 脈(mài)衝 C-V 包用(yòng)於(yú) 4200-SCS 半導體(tǐ)特性分析係統(tǒng)
 
數(shù)字源(yuán)表 – 產品瀏(liú)覽
SourceMeter® 儀器 （電流源(yuán) / 電(diàn)壓(yā)源(yuán)和(hé)測量產品）
2400 型數字(zì)源(yuán)表
2601 型和 2602 型 SourceMeter® 儀器(qì)
2611 型(xíng)和 261 2型 SourceMeter® 儀器 （200V）
2635 型和 2636 型(xíng) SourceMeter® 儀器 （低(dī)電流(liú)）
 
脈(mài)衝(chōng) / 碼型發生
3400 係(xì)列脈衝 / 碼(mǎ)型發(fā)生器
 
電流(liú)源 / 納伏(fú)表(biǎo)
美國吉(jí)時利keithley6220 / 6221 和 2182A 精密(mì)電(diàn)流源和納(nà)伏表
 
靜電(diàn)計 / 皮安(ān)表
低電流(liú)高(gāo)電(diàn)阻產品
 
產(chǎn)品(pǐn)數(shù)據
4200-SCS 半導(dǎo)體特性(xìng)分(fēn)析(xī)係統技術(shù)數(shù)據手冊
44200-SCS 型半導體特性分析係統
4200-CVU 型(xíng)集(jí)成 C-V 選件(jiàn)用於(yú) 4200-SCS
美國吉時利keithley2400 係列數字(zì)源(yuán)表(biǎo)係列
美國吉時利keithley2600 係(xì)列數(shù)字源表多通道 I-V 測(cè)試方案
美國吉(jí)時(shí)利(lì)keithley6430 型亞 fA 程控(kòng)源表(biǎo)
美(měi)國吉時利keithley2182A 型(xíng)納(nà)伏(fú)表(biǎo)
美國(guó)吉時利(lì)keithley6220 型(xíng)直(zhí)流(liú)電(diàn)流(liú)源(yuán)和(hé) 6221 型(xíng)交(jiāo)流(liú)和直(zhí)流(liú)電流(liú)源(yuán)
美國吉時(shí)利keithley6485 型(xíng)皮安(ān)表(biǎo)
美(měi)國(guó)吉(jí)時利keithley6487 型(xíng)皮安(ān)表 / 電(diàn)壓源
美國吉時(shí)利(lì)keithley6514 型可編(biān)程靜(jìng)電(diàn)計(jì)
美(měi)國吉(jí)時(shí)利(lì)keithley6517A 型靜(jìng)電計(jì) / 高阻(zǔ)表
65 型高電(diàn)阻(zǔ)率測量(liáng)包(bāo)
428-PROG 型可編程電流放大器
3400 係列(liè)脈衝 / 碼型(xíng)發(fā)生器(qì)
 
美國(guó)吉時(shí)利keithley白皮書(shū)
納(nà)米(mǐ)科技(jì)測(cè)試的(dí)挑(tiāo)戰(zhàn)
提高納(nà)米電子和分(fēn)子(zǐ)電子(zǐ)器件的低(dī)電流(liú)測量
在低(dī)功(gōng)率(shuài)和(hé)低(dī)壓(yā)應用(yòng)中(zhōng)實(shí)現(xiàn)準確，可靠的(dí)電(diàn)阻(zǔ)測量
納米(mǐ)級(jí)器件和(hé)材料的電氣測(cè)量(liáng)
提(tí)高(gāo)超高電阻(zǔ)和電阻(zǔ)率測量的(dí)可重(zhòng)復性
一種微(wēi)分(fēn)電(diàn)導的改進測量方法
納米技術(shù)準確電(diàn)氣測量的(dí)技(jì)術(shù)
納(nà)米級材(cái)料(liào)的電(diàn)氣(qì)測量
降低外部誤差(chà)源(yuán)影響的儀(yí)器技(jì)術(shù)
迎接 65nm 節(jié)點的(dí)測(cè)量(liáng)挑(tiāo)戰
用於測量(liáng)半(bàn)導體材料(liào)的(dí)高電阻率(shuài)和霍爾電壓的測量(liáng)儀(yí)器(qì)和(hé)技(jì)術
電(diàn)子計數(shù)：如何用微微微安量(liáng)程測(cè)量(liáng)電流
低壓測量技術
基於(yú)吉(jí)時(shí)利(lì) 4200-SCS 的(dí)局域網實驗(yàn)室用(yòng)於(yú)微電子(zǐ)工(gōng)程(chéng)教育(yù)
納米(mǐ)技術在(zài)半(bàn)導體(tǐ)行業(yè)中的(dí)作用
為大學(xué)生(shēng)製(zhì)造(zào)實驗室(shì)設(shè)計特(tè)性分析係統(tǒng)
用 6 綫歐姆測(cè)量技術實現更高準確(què)度的電(diàn)阻測量
新型儀(yí)器(qì)能(néng)穩住鎖定(dìng)狀態
 
應(yīng)用(yòng)筆記
4200-SCS
#2239 用(yòng) 4200 進(jìn)行(háng)柵(zhà)極電(diàn)介(jiè)質電容(róng) - 電壓特性分(fēn)析(xī)
#2240 評(píng)估氧(yǎng)化層(céng)的(dí)可(kě)靠(kào)性(xìng)
#2241 用低噪(zào)聲 4200-SCS 進(jìn)行超(chāo)低電(diàn)流(liú)測量(liáng)
#2475 用 4200-SCS 實(shí)現(xiàn) 4 探針(zhēn)電(diàn)阻(zǔ)率和(hé)霍爾(ěr)電壓測(cè)量(liáng)
#2481 利(lì)用 4200-SCS 和 Zyvex S100 納(nà)米控製器(qì)實現納(nà)米綫(xiàn)和納米(mǐ)管的 I-V 測量(liáng)
#2851 用(yòng) 4200-SCS 半(bàn)導(dǎo)體特性分析(xī)係統和 3400 係(xì)列脈(mài)衝 / 碼型(xíng)發生器進(jìn)行電荷泵測(cè)量
#2876 使用 4200-SCS 半(bàn)導體特性(xìng)分(fēn)析係(xì)統(tǒng)對(duì)太陽能 / 光(guāng)伏(fú)電池進(jìn)行(háng) I-V 和(hé) C-V 測(cè)量
基於 4200-SCS 半導(dǎo)體特(tè)性(xìng)分析(xī)係(xì)統的 MOS 電容 C-V 特(tè)性分析
麵向 CMOS 晶體(tǐ)管的(dí) 4200 脈(mài)衝(chōng) IV 測(cè)量
 
數字(zì)源(yuán)表
#804 用(yòng) 2400 係列數字源(yuán)表進行 IDDQ 測(cè)試和待(dài)機電(diàn)流測(cè)試
#1953 使用 2420 測(cè)量光伏(fú)電(diàn)池(chí)的(dí) I-V 特(tè)性
#2217 多(duō)台數字源表(biǎo)的觸發器同(tóng)步(bù)
#2218 高(gāo)亮度(dù)，可見(jiàn)光 LED 的生產(chǎn)測(cè)試
#2402 OLED 顯(xiǎn)示(shì)器的直流(liú)生(shēng)產測試(shì)
#2616 將(jiāng) 2400 係(xì)列(liè)數字(zì)源(yuán)表(biǎo)的 SCPI 應(yīng)用(yòng)轉換為 2600 係(xì)列(liè)源表的(dí)腳(jiǎo)本應(yīng)用
#2647 用(yòng) 2600 係(xì)列數(shù)字源表進(jìn)行 IDDQ 測(cè)試(shì)和待(dài)機電流(liú)測試
#2814 在運(yùn)行(háng)中第(dì) 5 次(cì)測量用於偏(piān)置溫(wēn)度不穩定特(tè)性(xìng)分析(xī)
使用(yòng)兩台 2400 型(xíng)數(shù)字(zì)源表輸出 2A 電(diàn)流(liú)
技術筆(bǐ)記(jì)：數字源表的(dí)緩(huǎn)衝器以及如(rú)何(hé)用這(zhè)兩(liǎng)個緩衝器獲(huò)取多達(dá) 5000 點數據(jù)
我能否(fǒu)用 2400 或(huò)其它非脈(mài)衝模(mó)式(shì)源(yuán)表產生電流 （或(huò)電壓） 脈衝？
排(pái)除(chú) SCPI 常(cháng)見錯(cuò)誤
使用(yòng)吉時(shí)利(lì)數字源(yuán)表(biǎo)和 LabTracer 軟件的器件(jiàn)特(tè)性(xìng)分析(xī)技術(shù)
 
脈衝發生器(qì)
#2851 用(yòng) 4200-SCS 半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)特(tè)性分析係統和 3400 係(xì)列脈衝 / 碼(mǎ)型(xíng)發生器(qì)進行電荷泵(bèng)測量(liáng)
 
電流源(yuán) / 納(nà)伏表
#1132 理(lǐ)解低壓(yā)測(cè)量技術
#2611 基於 6221 / 2182A 組(zǔ)合(hé)的(dí)低電平脈(mài)衝電(diàn)氣特(tè)性(xìng)分析
#2615 使用(yòng)四(sì)點共(gòng)綫探(tàn)針(zhēn)和 6221 電(diàn)流(liú)源(yuán)確(què)定電(diàn)阻率(shuài)和(hé)電導率(shuài)類型(xíng)
 
靜電計 / 皮(pí)安(ān)表
#312 高(gāo)阻測(cè)量
#314 體(tǐ)電阻率和表(biǎo)麵電(diàn)阻(zǔ)率(shuài)
#1671 低(dī)電流(liú)測量
#2464 用 6517A 對惰性氣體(tǐ)或(huò)高(gāo)度真(zhēn)空(kōng)中的小晶體進行高(gāo)電阻測(cè)量
#2615 使(shǐ)用(yòng)四點(diǎn)共(gòng)綫(xiàn)探針和 6221 電(diàn)流(liú)源確定電阻率(shuài)和電導(dǎo)率類型
 
其它應(yīng)用(yòng)領域
半導(dǎo)體(tǐ)器件(jiàn)實(shí)驗室
電(diàn)路(lù) / 基礎(chǔ)電子(zǐ)實驗(yàn)室

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