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美國吉時利keithley半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)器件(jiàn)實(shí)驗

日期：2012-11-30瀏覽：4497次

 美國(guó)吉時利keithley半導(dǎo)體器件(jiàn)實(shí)驗

 
 
•概(gài)述
•測(cè)量(liáng)範(fàn)例
•介紹 ACS 基礎版
•測試(shì)方案(àn)
 
•常用產品
•相關資料(liào)
•其(qí)它應用領(lǐng)域
 
美國吉(jí)時利keithley半導體器件(jiàn)實驗(yàn)概(gài)述
半導(dǎo)體(tǐ)器件 / 微(wēi)電(diàn)子(zǐ)實驗室是(shì)現代(dài)電子工程(chéng)教育(yù)課程的一(yī)個主要部分(fēn)。它(tā)允許(xǔ)大(dà)學生(shēng)應用他們在器件物(wù)理學(xué)和(hé) VLSI 課(kè)程學到的內容(róng)。在半導(dǎo)體(tǐ)器件實(shí)驗課程中，學生通(tōng)過“自(zì)己(jǐ)動手”學習(xí)半導體微米 / 納米製(zhì)造技術，工藝(yì)和(hé)電特性分析。教(jiào)育(yù)經驗包括熟(shú)悉工(gōng)藝設(shè)計(jì)，仿真和集成(chéng)。當(dāng)理解了這些概念後，學(xué)生(shēng)將(jiāng)製造(zào)，分析和(hé)評估各(gè)種半導體(tǐ)器(qì)件(jiàn)，例(lì)如(rú)二(èr)極管，雙極晶體管和場(cháng)效應晶體(tǐ)管，無源元件(jiàn)乃至集(jí)成(chéng)電(diàn)路器件。
 
對於實驗室研究(jiū)的所有半(bàn)導體器(qì)件(jiàn)，zui常(cháng)見(jiàn)的電(diàn)特性分析方法(fǎ)是：
 
MOSFET 的(dí)典型(xíng) I-V 圖
典(diǎn)型 C-V 測綫(xiàn)圖(tú)
 
1.電(diàn)流(liú)與(yǔ)電壓 （I-V） 測試顯示(shì)了(liǎo)流(liú)過(guò)的直流電流(liú)和電子(zǐ)器(qì)件(jiàn)以(yǐ)及(jí)器件兩端(duān)直流電壓之(zhī)間的關係(xì)。
2.電(diàn)容與電壓(yā) （C-V） 測(cè)試(shì)用於分(fēn)析(xī)半導體材(cái)料和(hé)結構(gòu)參(cān)數(shù)，例(lì)如(rú)表(biǎo)麵俘(fú)獲(huò)電荷(hé)密(mì)度(dù)，固定電荷和(hé)氧化層電(diàn)荷(hé)。
 
美國吉時利(lì)keithley半(bàn)導體(tǐ)器(qì)件實(shí)驗測量範(fàn)例
半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)器件 / 微電子教學實驗室(shì)典型的(dí)主題包括(kuò)製(zhì)造(zào)和(hé)分(fēn)析各(gè)種(zhǒng)器(qì)件：
 
 1. MOS 電(diàn)容器(qì)
 主題
C-V 曲(qū)綫 （高(gāo)頻：100kHz）： 
摻雜(zá)類型 – 氧化層厚度 – 平(píng)帶電壓 – 閾值電壓 – 襯底摻(chān)雜 – zui大耗盡(jìn)層(céng)寬度 – 反型層到平(píng)衡(héng)的靈(líng)敏(mǐn)度：電壓掃描率(shuài)和方向 – 光(guāng)效應(yīng)和(hé)溫(wēn)度(dù)效應(yīng)。
 
I-V 曲(qū)綫分(fēn)析：
電(diàn)荷建立 （測量電壓 - 時(shí)間(jiān)圖，用低(dī)電(diàn)流(liú)源）； 氧(yǎng)化層(céng)電容測定； 與 C-V 曲(qū)綫(xiàn)比較。
 
C-V 曲綫(xiàn) （準(zhǔn)靜態） 結(jié)合 C-V 曲綫： 
表(biǎo)麵電(diàn)位 Ψs 與(yǔ)施加(jiā)電(diàn)壓(yā)的關係 – Si （100） 的表麵(miàn)態密度 Dit = f （Ψs） 與 Si （111） 的相比：方(fāng)向和(hé)後處(chǔ)理(lǐ)退火的(dí)影響。
 
C-V 曲綫(xiàn) （高頻(pín)：100kHz）：
移(yí)動(dòng)氧化層(céng)電荷(hé)密(mì)度 （偏壓(yā)溫度應(yīng)力(lì)：200°C，10 分鐘(zhōng)，±10V）
 
 2. 雙極(jí)結型(xíng)晶體(tǐ)管
 主題(tí)
   正向(xiàng)共發(fā)射(shè)極輸(shū)出特性：Ic = f （Vce>0,Ib）, Iceo （f） 測量。
   正向(xiàng) CE 輸入(rù)特性：Ib = f （Vbe） 對於幾個(gè) Vce 正值(zhí)。
   正(zhèng)向 Gummel 曲綫： log Ic, log Ib = f（Vbe >0）.
   確定(dìng)增(zēng)益 βf = Ic/Ib 和 af。
   Βf 與 log（Ic） 的關係(xì)： 低(dī)注入和高(gāo)注入(rù)的(dí)效果。
   非理想特(tè)性(xìng)：爾利(lì)電壓。
   反向(xiàng) CE 輸出(chū)特性： Ic=f（Vce<0,Ib）, Iceo（r）.
   反向(xiàng) CE 傳輸(shū)特(tè)性：Ib=f（Vbe） 對於(yú)幾個(gè)Vce負(fù)值(zhí)。
   反(fǎn)向(xiàng) Gummel 曲綫(xiàn)： logIe, logIb=f（Vbc>0）.
   確定(dìng)增(zēng)益 βr = Ie/Ib 和 ar。
   Βr 與 log（Ie） 的(dí)關係(xì)： 低注入和(hé)高注(zhù)入(rù)的(dí)效果。
   Vce（sat） = Vbe（on） – Vbc（on） 確定，對於給定的 Ib 電流。
   Ebers Moll 模型構建並(bìng)且與實(shí)驗(yàn)做比較。
   BE 和 CE 結的(dí) C-V 特性分(fēn)析。基區摻(chān)雜濃(nóng)縮。
 
 3. 亞(yà)微(wēi)米集(jí)成 MOSFET
 主(zhǔ)題
輸出特(tè)性：IDS = f（VDS,VGS）:
p型 MOSFET （增強(qiáng)或耗盡），溝道(dào)長度調(tiáo)製參數（λ） 在(zài)飽(bǎo)和(hé)區域(yù) （VDS<–3V） 有效(xiào)溝(gōu)道長度與(yǔ) VDS 的關係(xì)。
 
傳(chuán)輸特性(xìng)： 
IDS = f（VGS） and Transconductance gm = f（VGS） in the linear region （VDS = –0.1V）: Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k. Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
 
襯底偏壓特性： 
IDS = f（VGS,VBS>0）, determination of the γ factor in the linear region （VDS = –0.1V）. Doping concentration substrate.
 
亞閾(yù)值特性：
log （IDS） = f（VGS） for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering （VT shift） effect.
 
襯底(dǐ)電流特性(xìng)：
log （Ibs） = f（VGS） for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
 
使用(yòng)長溝(gōu)道(dào)和(hé)短溝(gōu)道(dào)公式的輸出特性(xìng)模型：
比較實(shí)驗結(jié)果。
 
 
美國(guó)吉時利(lì)keithley半導體器件(jiàn)實(shí)驗介紹(shào) ACS 基礎版 
 
ACS 基礎(chǔ)版能(néng)讓(ràng)工程專(zhuān)業學生(shēng)在學習基(jī)礎(chǔ)電(diàn)子(zǐ)器(qì)件過(guò)程中(zhōng)獲(huò)得的(dí)學習效果(guǒ)並(bìng)且(qiě)幫(bāng)助(zhù)研(yán)究生(shēng)加快(kuài)下(xià)一代半導(dǎo)體(tǐ)或納(nà)米(mǐ)級器件的特性分析(xī)研究。當(dāng)配合一台(tái)或多(duō)台 2600A 係列(liè)數字源表使(shǐ)用時，ACS 基礎版成為一款*但簡單易用的元件(jiàn)特性(xìng)分析和(hé)曲綫追(zhuī)蹤工(gōng)具。它具(jù)有全麵的參(cān)數分析套件(jiàn)，因此能(néng)快(kuài)捷(jié)地提(tí)供(gōng)理解基本(běn)電(diàn)子(zǐ)器(qì)件(jiàn)如何(hé)工(gōng)作或(huò)者(zhě)理解新型器件(jiàn)或材料氣(qì)的電(diàn)特(tè)性所需的(dí)測試結果。
 
 
當您(nín)需(xū)要(yào)快(kuài)速獲取(qǔ)電子(zǐ)器件(jiàn)或(huò)封(fēng)裝產(chǎn)品的某(mǒu)些數據時，為 ACS 基礎版(bǎn)開發(fā)並(bìng)基(jī)於(yú)向導(dǎo)的(dí)用戶接口能(néng)像(xiàng)常見的 FET 曲綫跟蹤(zōng)測(cè)試那(nà)樣容(róng)易地查找和運行您需要(yào)的測(cè)試。與傳統模(mó)擬(nǐ)曲綫跟蹤(zōng)軟(ruǎn)件非常類似，ACS 基(jī)礎版能快速產生(shēng)電(diàn)子(zǐ)器件(jiàn)或封裝產品的(dí)一(yī)係(xì)列曲(qū)綫(xiàn)，而且能(néng)靈(líng)活，容(róng)易地對結(jié)果進(jìn)行(háng)保(bǎo)存，比較(jiào)和(hé)關(guān)聯。
 
主(zhǔ)要(yào)特(tè)性和(hé)優點：
測量(liáng)時間(jiān)短 – 安裝簡單，直觀(guān)的(dí)測(cè)試(shì)選擇(zé)向導(dǎo)並且內(nèi)建(jiàn)測(cè)試；
無需編寫代(dài)碼 - ACS 具(jù)有直(zhí)觀的 GUI 能快速簡化(huà) I-V 測試，分(fēn)析和結(jié)果；
優化器件(jiàn)測試，驗證和分(fēn)析(xī)應(yīng)用(yòng)；
硬件靈活(huó)性(xìng) – 動(dòng)態地加入或(huò)移(yí)除(chú)設備以(yǐ)滿足(zú)獨立測(cè)試(shì)的需(xū)要(yào)；
預裝應(yīng)用庫(kù) – 一組極豐富的(dí)超(chāo)快(kuài)，易於訪問的測試庫；
模塊化的靈(líng)活(huó)軟件(jiàn)架構(gòu)便於擴展(zhǎn)係統(tǒng)並(bìng)使係(xì)統應用能滿足(zú)的(dí)測(cè)試(shì)需要(yào)；
免費可(kě)選(xuǎn)後台軟件許可，能容易地在另(lìng)一台PC上開(kāi)發新的測(cè)試序列，無需掛起正(zhèng)在(zài)執(zhí)行工作的係統。
 
 
測(cè)試(shì)方(fāng)案(àn)
 
半(bàn)導體器件(jiàn)實(shí)驗(yàn)室的(dí)核心(xīn)是參(cān)數分析(xī)儀(yí)。簡單易用的 Model 4200-SCS半(bàn)導體特性分析(xī)係統(tǒng)能進行(háng)實(shí)驗(yàn)室級的直(zhí)流和脈(mài)衝器件特性分(fēn)析，實時繪(huì)製(zhì)以(yǐ)及(jí)高(gāo)精(jīng)密和亞飛(fēi)安分辨(biàn)率的(dí)分析。4200-SCS 結合(hé)了 4200-CVU 的集成選件，現(xiàn)能讓半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)測(cè)試用戶靈活(huó)地創建集(jí)成了 DC，脈(mài)衝(chōng)和(hé) C-V 測試功能的方案(àn)，所有(yǒu)功(gōng)能都囊括在節省空間的機殼中和集成的測試(shì)環境中(zhōng)。
 
 
為了簡單，快(kuài)速地(dì)測(cè)量二(èr)極管，晶體管(guǎn)，運(yùn)放等有(yǒu)源器件和(hé)的(dí)半(bàn)導(dǎo)體器(qì)件結構(gòu)，吉時(shí)利(lì)的 2400 係(xì)列 SourceMeter®儀器(qì)和 2600 係列(liè)數(shù)字(zì)源(yuán)表在(zài)一台儀器(qì)中集成(chéng)了精密(mì)電源，真電流(liú)源和 DMM 等多種測試功能。2600 係列還包(bāo)含(hán)任意波(bō)形發(fā)生器(qì)，帶(dài)測(cè)量(liáng)功能(néng)的(dí)電(diàn)壓或電流(liú)脈衝發(fā)生器，電(diàn)子負載(zǎi)和觸(chù)發(fā)控製器。
 
 
當設計(jì)和試驗(yàn)低電阻，低功耗半導體器時，管理(lǐ)電源對(duì)於(yú)防止器(qì)件損壞(huài)而言至(zhì)關重要。分析(xī)現(xiàn)代(dài)材(cái)料(liào)，半(bàn)導體和(hé)納米(mǐ)電子元件(jiàn)的電阻需要(yào)輸出極低電(diàn)流和測量極低(dī)電(diàn)壓的能(néng)力。吉(jí)時利的(dí) delta 模式 （電(diàn)流反轉(zhuǎn)極性） 電(diàn)阻(zǔ)測(cè)量(liáng)功(gōng)能結合了 6220 或 6221 的(dí)低(dī)電流 DC 源能力以及2182A 的(dí)低壓測量精度，從(cóng)而非常(cháng)適(shì)合於(yú)低阻(zǔ)測量 （低(dī)至 10 nΩ） 適於分析導通(tōng)電阻(zǔ)參(cān)數，互連(lián)和低(dī)功率半導體(tǐ)。
 
 
 
可(kě)免費(fèi)下(xià)載(zǎi)的 LabTracer® 2.0 軟(ruǎn)件(jiàn)允許用(yòng)戶快速，簡單(dān)地(dì)配(pèi)置和控(kòng)製多(duō)達8條2600係列或2400係(xì)列(liè)源(yuán)表(biǎo)的通(tōng)道(dào)用(yòng)於曲綫(xiàn)追(zhuī)蹤或(huò)器件(jiàn)特(tè)性(xìng)分析(xī)。它具有簡單的圖形(xíng)用(yòng)戶(hù)接口(kǒu)用(yòng)於(yú)設置，控製(zhì)，數據采(cǎi)集(jí)和繪製(zhì)數字源表的 DUT 數據。當(dāng)LabTracer與數字(zì)源(yuán)表(biǎo)結合(hé)使(shǐ)用(yòng)時，就能為實驗室(shì)的用(yòng)戶提(tí)供(gōng)*，易(yì)用和經濟(jì)的(dí)機箱(xiāng)方案。3400 係列脈衝(chōng)/碼型發生(shēng)器(qì)具有(yǒu)碼(mǎ)型發生和全麵控(kòng)製脈(mài)衝幅度，上(shàng)升時(shí)間(jiān)，下(xià)降時間(jiān)，寬(kuān)度和(hé)占(zhān)空(kōng)比等各種脈衝(chōng)參數能力(lì)，因而非常適(shì)合(hé)納(nà)米(mǐ)電(diàn)子(zǐ)研(yán)究人員，半(bàn)導(dǎo)體器(qì)件研究人(rén)員，射(shè)頻器件設計工(gōng)程師(shī)和(hé)教(jiào)育(yù)工(gōng)作者等(děng)用(yòng)戶的(dí)需要(yào)。
 
常用產品(pǐn)
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美(měi)國吉時利(lì)keithley4200半(bàn)導體特(tè)性分析(xī)係統
美國吉時(shí)利keithley4200-SCS型半導(dǎo)體(tǐ)特(tè)性分(fēn)析係統
美國(guó)吉(jí)時(shí)利keithley4200-CVU型集(jí)成C-V選件用於4200-SCS
美(měi)國吉時利keithley4200- PIV-A型(xíng)脈衝C-V選(xuǎn)件用於4200-SCS
 
數字源(yuán)表(biǎo)
美國(guó)吉時(shí)利(lì)keithley2400型通用數字(zì)源表
美國(guó)吉時(shí)利keithley2410型(xíng)高壓源表
美國吉時利(lì)keithley2420型(xíng)3A源表(biǎo)
美國(guó)吉(jí)時(shí)利keithley2425型(xíng)高功(gōng)率源表
美(měi)國(guó)吉(jí)時利(lì)keithley2430型(xíng)脈衝源(yuán)表(biǎo)
美國(guó)吉時(shí)利keithley2440型(xíng) 源(yuán)表
美(měi)國(guó)吉(jí)時(shí)利keithley2601型高(gāo)吞吐量(liáng)源(yuán)表
美(měi)國吉(jí)時利keithley2602型(xíng)雙通道(dào)高(gāo)吞吐(tǔ)量源表(biǎo)
美國吉時(shí)利(lì)keithley2611型高(gāo)壓和脈衝(chōng)輸(shū)出源表
美(měi)國吉時利keithley2612型雙(shuāng)通道(dào)高壓(yā)和脈(mài)衝輸(shū)出源(yuán)表
美(měi)國吉時利keithley2635型低(dī)電流(liú)和(hé)脈(mài)衝輸出源表
美國吉時(shí)利keithley2636型雙(shuāng)通道(dào)低(dī)電流和脈衝輸出(chū)源(yuán)表(biǎo)
 
脈衝發(fā)生器
美(měi)國吉時利(lì)keithley3401型單(dān)通道(dào)脈衝(chōng) / 碼型發(fā)生(shēng)器(qì)
美國吉時(shí)利keithley3402型雙(shuāng)通道脈衝 / 碼型(xíng)發(fā)生器(qì)
 
電(diàn)流源 / 納(nà)伏表
美(měi)國吉時利(lì)keithley6220型直流電(diàn)流源
美(měi)國(guó)吉時(shí)利keithley6221型交流和直(zhí)流(liú)電(diàn)流源(yuán)
美(měi)國(guó)吉時利(lì)keithley2182A納伏表
 
小(xiǎo)冊子
美國(guó)吉(jí)時利keithley4200-SCS型半導體特性(xìng)分析(xī)係統
美(měi)國吉時利keithley4200-CVU集成(chéng) C-V 選件(jiàn)用於 4200-SCS
美國吉時(shí)利keithley2600係列數(shù)字(zì)源(yuán)表多(duō)通道IV測試(shì)儀 – 用(yòng)於快速研(yán)發和(hé)功能測(cè)試的可(kě)擴縮方案(àn)
美(měi)國吉時利keithley2400係列數(shù)字(zì)源表(biǎo)係列
美國吉時利keithley吉時利脈(mài)衝(chōng)方案
美國吉(jí)時利(lì)keithley精密，低(dī)電流(liú)源(yuán)用(yòng)於(yú)器(qì)件測試(shì)和分析
 
半(bàn)導體(tǐ)特性分析係統
美(měi)國(guó)吉時(shí)利keithley4200-SCS型半導(dǎo)體特(tè)性分析係(xì)統產(chǎn)品介紹
美(měi)國吉時(shí)利keithley4200-CVU型集成(chéng) C-V 選件(jiàn)用於4200-SCS產品瀏覽(lǎn)
美國吉時(shí)利keithley4200-PIV-A型(xíng)脈衝(chōng)I-V 包用(yòng)於(yú)4200-SCS半導體(tǐ)特性分析(xī)係(xì)統產(chǎn)品瀏覽
 
數字源(yuán)表產品介紹(shào)
美國吉時(shí)利(lì)keithley SourceMeter®儀器（電(diàn)流(liú)源(yuán) / 電壓源和測量產品）
美(měi)國吉(jí)時(shí)利keithley2400型數(shù)字源表
美國(guó)吉(jí)時(shí)利keithley2601型(xíng)和2602型(xíng) SourceMeter®儀器
美國(guó)吉(jí)時利keithley2611型(xíng)和2612型 SourceMeter®儀器（200V）
美(měi)國吉時利keithley2635型和(hé) 2636型(xíng) SourceMeter®儀(yí)器（低電(diàn)流）
 
美國吉(jí)時(shí)利(lì)keithley產(chǎn)品(pǐn)數據
美國吉時(shí)利keithley4200-SCS半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)特(tè)性(xìng)分析係統技術數據(jù)手(shǒu)冊
美(měi)國吉時利(lì)keithley4200-SCS型半導體特性(xìng)分(fēn)析(xī)係統(tǒng)
美(měi)國(guó)吉(jí)時(shí)利keithley4200-CVU型(xíng)集成C-V選(xuǎn)件用於4200-SCS
美國(guó)吉時利keithley3400係列脈(mài)衝 / 碼型發(fā)生(shēng)器(qì)
美國吉時(shí)利keithley2182A型(xíng)納伏(fú)表
美國(guó)吉時(shí)利keithley6220型直流電(diàn)流(liú)源和 6221型交(jiāo)流和直流(liú)電(diàn)流源(yuán)
 
白皮(pí)書4200-SCS
基(jī)於吉時利(lì)4200-SCS 的局(jú)域網實驗室用於(yú)微電子(zǐ)工程教育
縮短HCI測試(shì)時間(jiān)的白(bái)皮(pí)書(shū)
用於(yú)先進(jìn)CMOS技術的脈衝(chōng)可靠(kào)性測(cè)試(shì)
高(gāo)K柵極電介(jiè)質(zhì)電荷俘獲行為(wéi)的(dí)脈衝特(tè)性(xìng)分(fēn)析
 
數(shù)字(zì)源表(biǎo)
為大(dà)學生半(bàn)導體製造(zào)實(shí)驗室(shì)設計(jì)特性分析係統(tǒng)
用(yòng)6綫歐姆測量技(jì)術(shù)進(jìn)行更(gēng)高準(zhǔn)確(què)度的(dí)電(diàn)阻測(cè)量
FPD技(jì)術(shù)演進帶(dài)來新(xīn)的測(cè)試現實
新(xīn)的測(cè)試定序(xù)儀器降低器件(jiàn)製(zhì)造商(shāng)的(dí)測試成(chéng)本(běn)
 
電流(liú)源 / 納伏表(biǎo)
新(xīn)型儀器能(néng)穩住鎖定(dìng)狀(zhuàng)態
在低功率(shuài)和(hé)低壓(yā)應(yīng)用中(zhōng)實現準(zhǔn)確(què)，可靠(kào)的電阻測量
一(yī)種(zhǒng)微(wēi)分(fēn)電導(dǎo)測(cè)量(liáng)的改進方(fāng)法
 
應用筆(bǐ)記
4200-SCS
#2361創(chuàng)建用於(yú) 4200-SCS 的(dí)寫探頭驅動(dòng)程(chéng)序(xù)
#2240評估氧(yǎng)化層的(dí)可靠(kào)性
#2241用低(dī)噪(zào)聲(shēng) 4200-SCS 進行超(chāo)低(dī)電(diàn)流(liú)測量
#2197熱(rè)載流子(zǐ)導致 MOSFET 器(qì)件性能(néng)退化(huà)的(dí)評(píng)估
#2239用4200進(jìn)行柵極電介質電容 - 電壓特(tè)性(xìng)分析(xī)
在集(jí)成(chéng)電(diàn)路的觸(chù)點(diǎn)級探(tàn)測晶體管
使用(yòng)吉時利4200-SCS監測(cè)MOSFET器(qì)件(jiàn)溝道熱(rè)載流(liú)子(zǐ) （CHC） 退化
利用4200-SCS和 Zyvex S100型(xíng)納(nà)米(mǐ)控製(zhì)器(qì)實現納(nà)米綫(xiàn)和納(nà)米管(guǎn)的 I-V 測(cè)量
#2475用(yòng)4200-SCS實(shí)現(xiàn)4探(tàn)針電阻率和(hé)霍爾電壓測(cè)量(liáng)
基(jī)於(yú)4200-SCS半(bàn)導體(tǐ)特(tè)性(xìng)分(fēn)析(xī)係統的MOS電容C-V特性分析
麵向CMOS晶體管的4200 脈衝(chōng)IV測(cè)量
#2876使用4200-SCS半(bàn)導體特(tè)性分析係統(tǒng)對太陽能 / 光伏(fú)電池(chí)進行 I-V 和 C-V 測量(liáng)
#2851用4200-SCS半導(dǎo)體特性分(fēn)析係統和(hé)3400係列脈(mài)衝(chōng) / 碼型發(fā)生器(qì)進行(háng)電(diàn)荷(hé)泵(bèng)測(cè)量
#2311RF功率(shuài)晶體管(guǎn)的(dí)直(zhí)流(liú)電氣特(tè)性(xìng)分析
 
 
脈衝(chōng)發(fā)生器
#2851 用 4200-SCS 半(bàn)導(dǎo)體特性(xìng)分析(xī)係(xì)統(tǒng)和(hé) 3400 係列(liè)脈衝 / 碼型發生(shēng)器進行(háng)電(diàn)荷(hé)泵測量
 
電流(liú)源 / 納伏(fú)表
#2611 基於 6221 / 2182A 組(zǔ)合的低電平脈衝(chōng)電(diàn)氣特性分(fēn)析(xī)
#2615 使用(yòng)四點共綫探針和 6221 電流(liú)源(yuán)確(què)定(dìng)電(diàn)阻率和電導率(shuài)類(lèi)型(xíng)
 
 
其它應用(yòng)領域(yù)
電路(lù)基礎(chǔ)電(diàn)子實(shí)驗室
納(nà)米科(kē)學研究(jiū)實驗室(shì)

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