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產品特性Product characteristics

 中(zhōng)國(guó)電(diàn)子行業儀器優(yōu)質供應商(shāng)——堅融實業(yè)JETYOO INDUSTRIAL，Support，銷售(shòu)Sale，服(fú)務(wù)Service，3S公(gōng)司，提供解決(jué)方(fāng)案，測試測量技術改(gǎi)進(jìn)，技術培訓，采(cǎi)購管理，售(shòu)後維修(xiū)服(fú)務(wù)。

吉(jí)時利KEITHLEY2400係列源(yuán)表(biǎo)研(yán)究(jiū)領域：
各(gè)種(zhǒng)器件(jiàn)的I-V功(gōng)能(néng)測試和特(tè)征(zhēng)分(fēn)析(xī)，包括(kuò)：
 離散和(hé)無源(yuán)元件 
–兩抽頭器(qì)件(jiàn)——傳(chuán)感(gǎn)器，磁盤驅動器頭(tóu)，金屬氧化物可(kě)變電(diàn)阻（MOV），二(èr)極管(guǎn)，齊納二極管(guǎn)，電容，熱敏(mǐn)電阻(zǔ)
–三抽頭(tóu)器件——小信(xìn)號(hào)雙極結型晶(jīng)體(tǐ)管(guǎn)（BJT），場效應晶(jīng)體(tǐ)管(guǎn)（FET）等等 
 簡(jiǎn)單IC器(qì)件(jiàn)——光學(xué)器件，驅動器(qì)，開關(guān)，傳(chuán)感器
 集成器件——小規模集成（SSI）和(hé)大規(guī)模(mó)集(jí)成(chéng)（LSI）
–模(mó)擬(nǐ)IC 
–射(shè)頻(pín)集(jí)成電路(lù)（RFIC）
–集(jí)成電路（ASIC）
–片上係統（SoC）器(qì)件(jiàn)
 光(guāng)電(diàn)器件，例如(rú)發光二(èr)極管(guǎn)（LED），激光(guāng)二極管，高亮(liàng)度LED（HBLED），垂(chuí)直腔(qiāng)麵發(fā)射激(jī)光器（VCSEL），顯(xiǎn)示(shì)器(qì)
 圓片級(jí)可靠性(xìng)
- NBTI，TDDB，HCI，電(diàn)遷移(yí)
 太陽能電池
 電池(chí)
暫態抑(yì)製器(qì)件
IC，RFIC，MMIC
激(jī)光二極管，激光二(èr)極(jí)管模塊(kuài)，LED，光(guāng)電檢測(cè)器
電(diàn)路保護(hù)器件(jiàn):
TVS，MOV，熔(róng)絲(sī)
安(ān)全氣囊
連接器，開(kāi)關(guān)，繼(jì)電(diàn)器(qì)
碳納(nà)米管(guǎn)
半導(dǎo)體納米綫
碳(tàn)納米(mǐ)管 FET
納(nà)米傳(chuán)感器和(hé)陣(zhèn)列
單電子晶(jīng)體(tǐ)管
分(fēn)子(zǐ)電(diàn)子
有機電(diàn)子
基本運放電路
二(èr)極管(guǎn)和(hé)電(diàn)路
晶(jīng)體管電(diàn)路

測試：
漏(lòu)流
低(dī)壓，電阻
LIV
IDDQ
I-V特(tè)征分(fēn)析(xī)
隔離(lí)與(yǔ)軌跡電阻
溫(wēn)度(dù)係(xì)數
正向電(diàn)壓，反(fǎn)向(xiàng)擊(jī)穿，漏(lòu)電(diàn)流
直(zhí)流參數(shù)測(cè)試
直流電(diàn)源(yuán)
HIPOT
介質(zhì)耐受性

雙(shuāng)極結型晶體(tǐ)管(guǎn)設(shè)計
結型(xíng)場(cháng)效應晶體管(guǎn)設計
金屬氧化物半(bàn)導體場(cháng)效應(yīng)晶體(tǐ)管設計(jì)
太(tài)陽能電池(chí)和 LED 設(shè)計(jì)
高電子遷移(yí)率晶體管(guǎn)設計
復(fù)合半導(dǎo)體(tǐ)器件(jiàn)設計(jì)

分析(xī)納米(mǐ)材(cái)料和實(shí)驗器件(jiàn)
碳納米管(guǎn)的電測(cè)量標(biāo)準
測量碳(tàn)納(nà)米管(guǎn)電(diàn)氣特(tè)性
提高(gāo)納米電(diàn)子和分子(zǐ)電(diàn)子器件(jiàn)的(dí)低電(diàn)流測(cè)量
在低(dī)功(gōng)率(shuài)和低壓應(yīng)用中實現準(zhǔn)確，可(kě)靠的電阻(zǔ)測量
納(nà)米級器件和材料的電(diàn)氣測量
提(tí)高(gāo)超高電(diàn)阻(zǔ)和電(diàn)阻(zǔ)率(shuài)測量的(dí)可(kě)重(zhòng)復性
一(yī)種(zhǒng)微(wēi)分電導(dǎo)的改進測量方(fāng)法(fǎ)
納(nà)米(mǐ)技術(shù)準(zhǔn)確電(diàn)氣測量(liáng)的技術
納米級材料的電(diàn)氣(qì)測量
降低(dī)外(wài)部(bù)誤(wù)差(chà)源(yuán)影響的(dí)儀(yí)器技術(shù)
迎(yíng)接65nm節點的測量挑戰
測量(liáng)半(bàn)導體(tǐ)材(cái)料的(dí)高電阻率和霍爾(ěr)電壓
用微微微安(ān)量(liáng)程測(cè)量電流
柵極電(diàn)介(jiè)質(zhì)電(diàn)容電壓(yā)特性分(fēn)析
評(píng)估氧化層的可靠(kào)性(xìng)

的半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)器件(jiàn)結構(gòu)設計(jì)和試驗(yàn)低(dī)電阻，低功(gōng)耗半導(dǎo)體器(qì)
輸出極(jí)低(dī)電流和測量(liáng)極低(dī)電壓(yā)分(fēn)析現(xiàn)代材(cái)料，半導(dǎo)體(tǐ)和(hé)納米(mǐ)電(diàn)子(zǐ)元件的電(diàn)阻(zǔ)
低阻測量(liáng)(低至10nΩ)分析(xī)導(dǎo)通電(diàn)阻(zǔ)參數(shù)，互連和(hé)低(dī)功(gōng)率(shuài)半(bàn)導體。
用於*進(jìn)CMOS技術的脈衝(chōng)可(kě)靠(kào)性測(cè)試
高K柵極電介(jiè)質電荷(hé)俘獲(huò)行為(wéi)的脈衝特性分(fēn)析(xī)
用6綫(xiàn)歐(ōu)姆(mǔ)測量(liáng)技術(shù)進行(háng)更高(gāo)準(zhǔn)確(què)度(dù)的電阻測量
配置分立電阻(zǔ)器驗證測試係(xì)統
電信(xìn)激光(guāng)二(èr)極管模塊(kuài)的高吞吐率(shuài)直流生(shēng)產測(cè)試
多(duō)台數字源表的(dí)觸發器(qì)同步
高亮度，可見光LED的(dí)生產測(cè)試
OLED顯示器(qì)的(dí)直流生產測試
在(zài)運(yùn)行(háng)中第5次(cì)測量(liáng)用(yòng)於偏置(zhì)溫(wēn)度(dù)不穩定(dìng)特性分析
數(shù)字(zì)源(yuán)表的緩衝(chōng)器(qì)以(yǐ)及如何(hé)用這兩個(gè)緩(huǎn)衝(chōng)器獲取多(duō)達(dá)5000點(diǎn)數(shù)據(jù)
連(lián)接(jiē)器(qì)的生(shēng)產測試(shì)方案
射頻功率(shuài)晶體管的直流(liú)電(diàn)氣(qì)特性分析(xī)

1. MOS 電容器
C-V 曲綫(xiàn) (高頻(pín)：100kHz)：
摻雜(zá)類(lèi)型 – 氧(yǎng)化(huà)層(céng)厚(hòu)度 – 平帶電(diàn)壓(yā) – 閾值(zhí)電壓(yā) – 襯底(dǐ)摻雜(zá) – zui大耗(hào)盡(jìn)層(céng)寬度(dù) – 反(fǎn)型(xíng)層到平衡的靈(líng)敏度：電(diàn)壓掃描率和(hé)方(fāng)向 – 光效應(yīng)和溫度效應。
I-V 曲(qū)綫分析：
電(diàn)荷(hé)建立 (測(cè)量(liáng)電(diàn)壓(yā) - 時(shí)間圖(tú)，用低(dī)電流源)； 氧化(huà)層電容(róng)測定； 與 C-V 曲綫比較(jiào)。
C-V 曲(qū)綫 (準(zhǔn)靜態) 結合 C-V 曲(qū)綫(xiàn)：
表(biǎo)麵(miàn)電位 Ψs 與施加電壓(yā)的關(guān)係 – Si (100) 的表麵態密度(dù) Dit = f (Ψs) 與 Si (111) 的相(xiāng)比：方向(xiàng)和後(hòu)處(chǔ)理退(tuì)火的影響。
C-V 曲綫 (高頻(pín)：100kHz)：
移動(dòng)氧化層電荷(hé)密度(dù) (偏壓溫(wēn)度(dù)應(yīng)力：200°C，10 分鐘，±10V)
 
2. 雙(shuāng)極(jí)結型(xíng)晶(jīng)體管
     主題(tí)
   正向共(gòng)發射極(jí)輸(shū)出特性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測(cè)量(liáng)。
   正向 CE 輸入特(tè)性：Ib = f (Vbe) 對(duì)於(yú)幾個 Vce 正值。
   正(zhèng)向 Gummel 曲(qū)綫(xiàn)： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
   確定增益 βf = Ic/Ib 和(hé) af。
   Βf 與(yǔ) log(Ic) 的關係： 低注入(rù)和高注入(rù)的(dí)效(xiào)果(guǒ)。
   非(fēi)理想特性(xìng)：爾利(lì)電(diàn)壓(yā)。
   反(fǎn)向 CE 輸出特性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
   反向(xiàng) CE 傳輸(shū)特性：Ib=f(Vbe) 對於幾個Vce負值。
   反(fǎn)向 Gummel 曲綫(xiàn)： logIe, logIb=f(Vbc>0).
   確定(dìng)增益 βr = Ie/Ib 和 ar。
   Βr 與 log(Ie) 的(dí)關係： 低注入(rù)和高注(zhù)入的效果(guǒ)。
   Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定(dìng)，對(duì)於給定的(dí) Ib 電(diàn)流(liú)。
   Ebers Moll 模型(xíng)構建(jiàn)並且與(yǔ)實(shí)驗(yàn)做(zuò)比較(jiào)。
   BE 和(hé) CE 結的(dí) C-V 特(tè)性分(fēn)析(xī)。基區(qū)摻雜(zá)濃(nóng)縮。
 
3. 亞(yà)微(wēi)米集成 MOSFET
輸出(chū)特性：IDS = f(VDS,VGS):
p型(xíng) MOSFET (增強或耗盡)，溝(gōu)道(dào)長(cháng)度調製參(cān)數(λ) 在(zài)飽(bǎo)和(hé)區(qū)域(yù) (VDS<–3V) 有效溝(gōu)道(dào)長度與(yǔ) VDS 的(dí)關係。
傳(chuán)輸特性(xìng)：
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k.  
Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
襯底偏壓特(tè)性： 
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
亞(yà)閾(yù)值(zhí)特性：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.
襯(chèn)底電流特(tè)性：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使用長(cháng)溝(gōu)道(dào)和(hé)短(duǎn)溝道公式(shì)的(dí)輸出(chū)特性(xìng)模(mó)型(xíng)：比較實驗(yàn)結(jié)果(guǒ)。

美(měi)國(guó)吉(jí)時利KEITHLEY2400數(shù)字(zì)源表進行VCSEL測試(shì)
美(měi)國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2400測(cè)量光(guāng)伏電池(chí)的I-V特性
美國吉(jí)時利(lì)KEITHLEY2400係列(liè)數(shù)字源表的(dí)SCPI應用轉換為2600係列源表的腳本應用
美(měi)國(guó)吉時利KEITHLEY2400係列數(shù)字(zì)源表(biǎo)進(jìn)行IDDQ測試(shì)和(hé)待(dài)機電流(liú)測(cè)試(shì)
使(shǐ)用兩(liǎng)台美國吉時利KEITHLEY2400型數(shù)字源表(biǎo)輸出2A電流
美(měi)國吉(jí)時利KEITHLEY2400或(huò)其(qí)它(tā)非脈(mài)衝模(mó)式(shì)源表產生(shēng)電(diàn)流 (或(huò)電(diàn)壓) 脈衝
美(měi)國吉(jí)時(shí)利KEITHLEY2400係列數(shù)字源(yuán)表(biǎo)提(tí)升(shēng)多(duō)引腳器(qì)件的(dí)生(shēng)產(chǎn)量
美(měi)國吉(jí)時利(lì)KEITHLEY2400數字源表創(chuàng)建可擴(kuò)縮，多引(yǐn)腳，多(duō)功(gōng)能(néng)IC測試(shì)係(xì)統(tǒng)
美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2402數字(zì)源(yuán)表對激(jī)光(guāng)二(èr)極管模塊(kuài)和VCSEL進(jìn)行(háng)高吞吐(tǔ)率直流生產(chǎn)測試(shì)
美國吉(jí)時利KEITHLEY2400係列(liè)數字(zì)源表(biǎo)進行(háng)二(èr)極(jí)管生產測(cè)試(shì)
美國(guó)吉(jí)時(shí)利KEITHLEY2400係列(liè)數字源(yuán)表進行高(gāo)亮(liàng)度，可(kě)見(jiàn)光(guāng)LED的(dí)生(shēng)產(chǎn)測試
美國吉時(shí)利(lì)KEITHLEY2400係(xì)列數字源(yuán)表進行IDDQ測(cè)試(shì)和待機(jī)電(diàn)流測試(shì)
美(měi)國(guó)吉時利KEITHLEY2400 數字源表驗證(zhèng)變阻(zǔ)器
美(měi)國吉時(shí)利KEITHLEY2400係(xì)列源表進行(háng)電池(chí)放(fàng)電(diàn)/充(chōng)電周(zhōu)期
美(měi)國(guó)吉(jí)時(shí)利KEITHLEY2400配置電阻網絡的生產測(cè)試係(xì)統
美國吉時(shí)利KEITHLEY2430 1kW 脈(mài)衝(chōng)源表(biǎo)進行(háng)大電流變阻器(qì)的(dí)生(shēng)產(chǎn)測試
美國吉(jí)時(shí)利KEITHLEY2400數(shù)字源(yuán)表進行熱(rè)敏電(diàn)阻的(dí)生產測試(shì)

美國2440吉(jí)時(shí)利keithley數字(zì)源(yuán)表係(xì)列特別(bié)適用於需要精密電壓(yā)源和(hé)電(diàn)流源驅動(dòng)，同時進(jìn)行電流(liú)與電壓測(cè)量的測試(shì)應(yīng)用。所(suǒ)有源表都提供(gōng)精(jīng)密的電壓和(hé)電(diàn)流源測(cè)量能力。每(měi)個(gè)源(yuán)表均由(yóu)一(yī)個高穩(wěn)定的直(zhí)流源(yuán)和一個真(zhēn)儀(yí)器級的5位半多(duō)功(gōng)能表(biǎo)組(zǔ)成。該電源特性包括：低(dī)噪聲(shēng)，高(gāo)精度和(hé)回(huí)讀功能。萬用表功能包括(kuò)高(gāo)重(zhòng)復(fù)性(xìng)和低(dī)噪音(yīn)。其結(jié)果形(xíng)成了一個緊(jǐn)湊(còu)的單(dān)通(tōng)道直流參數測試儀(yí)。在操作中(zhōng)，這些(xiē)儀器(qì)可以(yǐ)作為一(yī)個電壓(yā)源，電流(liú)源，電壓表(biǎo)，電流表(biǎo)和歐姆(mǔ)表(biǎo)。通(tōng)信，半導體(tǐ)，計算機(jī)，汽車(chē)與醫療(liáo)行業(yè)的(dí)元(yuán)件(jiàn)與模(mó)塊(kuài)製造(zào)商都將(jiāng)發(fā)現，數字(zì)源(yuán)表對於(yú)各種(zhǒng)特征(zhēng)分析與生(shēng)產(chǎn)過程測試(shì)都(dū)實用(yòng)價(jià)值。
 
    2410型(xíng)高(gāo)壓源表(biǎo)功率為20W，能夠提供和測(cè)量從(cóng)±5μV（源(yuán)）和±1μV（測(cè)量(liáng)）到±1100V的(dí)電壓(yā)，及(jí)從(cóng)±10pA到(dào)±1A的電流。由(yóu)於具有(yǒu)較高的電(diàn)壓(yā)源(yuán)範圍(wéi)，2410非(fēi)常適(shì)合於電阻和電壓係數測(cè)試，變(biàn)阻(zǔ)器，高(gāo)壓二極(jí)管，開關，齊(qí)納(nà)管，射(shè)頻(pín)二極管和整(zhěng)流(liú)器的測(cè)試。2410在提(tí)供(gōng)1100V電(diàn)壓的(dí)同時能夠測量(liáng)20mA的電(diàn)流，具有精確測(cè)試所(suǒ)需的特(tè)殊(shū)分(fēn)辨率(shuài)。
 
    2420型高(gāo)壓源表(biǎo)功率為(wéi)60W，能(néng)夠提供和測量從±5µV（源）和(hé)±1µV（測量）到(dào)±60V的電壓(yā)，以及(jí)從±100pA到±3A的(dí)電(diàn)流。2420的(dí)生(shēng)產測試(shì)應用必(bì)須在較高電流情況(kuàng)下(xià)進行測試的(dí)電(diàn)阻和(hé)電(diàn)阻網絡，熱敏電阻(zǔ)，太陽能電池(chí)，普通電池。
 
    2425型100W源表將(jiāng)2420的電(diàn)壓範圍(wéi)擴展到100V，在(zài)1A的電流範(fàn)圍(wéi)內具(jù)有100W的(dí)測量(liáng)功率。與2420型(xíng)高(gāo)壓(yā)源(yuán)表一樣(yàng)，2425也具(jù)有3A電(diàn)流60W功率(shuài)的(dí)測量能力(lì)。2425是(shì)針(zhēn)對中等(děng)功(gōng)率器(qì)件（例如DC-DC轉換器(qì)），電源(yuán)和其(qí)他需(xū)要(yào)60W和100W總(zǒng)直流(liú)功(gōng)率元(yuán)件的生產測試(shì)而設(shè)計(jì)的。
 
 
美國(guó)2440吉(jí)時(shí)利(lì)keithley數字(zì)源表特(tè)點(diǎn)
2400係(xì)列(liè)提(tí)供(gōng)寬(kuān)動(dòng)態範(fàn)圍：10pA至(zhì)10A，1µV至1100V，20W至(zhì)1000W
四象限工(gōng)作(zuò)
0.012%的(dí)精確度，51/2分(fēn)辨率
可程控(kòng)電(diàn)流驅(qū)動和電(diàn)壓(yā)測(cè)量(liáng)鉗位(wèi)的(dí) 6位綫電阻測量(liáng)
在(zài)4½數(shù)位時通過GPIB達1700讀(dú)數/秒
內置快(kuài)速失(shī)敗(bài)/通(tōng)過(guò)測試(shì)比(bǐ)較器
可選接(jiē)觸檢查功能（-C機型）
數字(zì)I/O提(tí)供(gōng)快(kuài)速(sù)分選(xuǎn)與(yǔ)機(jī)械手連接(jiē) GPIB，RS-232，和觸(chù)發式連接麵(miàn)板
 
 
美(měi)國(guó)2440吉時(shí)利(lì)keithley數(shù)字(zì)源表主(zhǔ)要指標
 型號 2400 2410 2420 2425 2440
 2400-C 2410-C 2420-C 2425-C 2440-C
 2400-LV 　 　 　 　
 描(miáo)述 通用(yòng)型 高壓(yā)型 3A 高(gāo)功(gōng)率(shuài) 5A
 電(diàn)流 是 是(shì) 是 是(shì) 是
 source/sink
 電(diàn)壓 是 是 是 是(shì) 是
 source/sink
 輸(shū)出功率(shuài) 22W 22W 66W 110W 55W
 輸(shū)出電壓(yā) ±1µV/±21或(huò)210V ±1µV/±1100V ±1µV/±63V ±1µV/±105V ±1µV/±42V
 （min./max.）
 輸出電流 ±10pA/±1.05A ±100pA/±3.15A ±100pA/±5.25A
 （min./max.）
 電阻 <0.2Ω至>200MΩ <2.0Ω至>200MΩ
 基(jī)本(běn)精度I 0.035% 0.035% 0.035% 0.035% 0.035%
 基本精(jīng)度(dù)V 0.015% 0.015% 0.015% 0.015% 0.015%
 基本精度(dù)Ω 0.06% 0.07% 0.06% 0.06% 0.06%
 帶接(jiē)觸檢測
 2400-C型(xíng)
 帶此功能 2410-C型(xíng)
 帶此功能 2420-C型(xíng)
 帶此功能 2425-C型
 帶此(cǐ)功能 2440-C型
 帶(dài)此功能(néng)
 功(gōng)能(néng)（-C）
 典(diǎn)型(xíng)應用 電阻性(xìng)元(yuán)件， 電壓(yā)係數(shù)， 功率電(diàn)阻， 半(bàn)導體(tǐ)功率(shuài)元(yuán)件， 5安(ān)培Pump激光二
 二(èr)極管(guǎn)， 變(biàn)阻器， 電(diàn)熱(rè)調(tiáo)節器(qì)， DC/AC轉(zhuǎn)換(huàn)器(qì)， 極管
 光(guāng)電元件(jiàn)， 高壓(yā)二(èr)極(jí)管(guǎn)及保 太(tài)陽能電(diàn)池， 大功(gōng)率元件， 　
 IDDQ測(cè)試 護裝(zhuāng)置，安(ān)全(quán)氣 電池， IDDQ測(cè)試(shì) 　
　 囊(náng)充(chōng)氣裝置 二(èr)極管(guǎn)， 　 　
　 　 IDDQ測(cè)試 　 　
 隨(suí)機附(fù)件 測試綫，LabVIEW軟件(jiàn)驅(qū)動（可(kě)供下(xià)載），LabTracer軟件(jiàn)（可(kě)供(gōng)下載）