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產品特性(xìng)Product characteristics

 中國電子行(háng)業(yè)儀器優(yōu)質(zhì)供(gōng)應商——堅融實(shí)業JETYOO INDUSTRIAL
，Support，銷售Sale，服務Service
，3S公(gōng)司(sī)
，提供(gōng)解決方案(àn)，測試測量技術(shù)改進(jìn)，技術(shù)培訓，采購管理(lǐ)，售後維(wéi)修(xiū)服務(wù)。

美(měi)國(guó)吉(jí)時利keithley源表(biǎo)2400係列(liè)研究領(lǐng)域(yù)：
各種(zhǒng)器(qì)件(jiàn)的(dí)I-V功(gōng)能測(cè)試(shì)和(hé)特征(zhēng)分(fēn)析(xī)
，包括(kuò)：
 離散和(hé)無(wú)源元件 
–兩(liǎng)抽頭器件——傳(chuán)感(gǎn)器(qì)，磁盤(pán)驅動器(qì)頭，金(jīn)屬氧化(huà)物可(kě)變(biàn)電(diàn)阻（MOV），二(èr)極管(guǎn)，齊納(nà)二(èr)極管，電(diàn)容，熱敏(mǐn)電阻
–三抽(chōu)頭(tóu)器件——小(xiǎo)信(xìn)號(hào)雙(shuāng)極結型晶體管（BJT），場效(xiào)應(yīng)晶體(tǐ)管(guǎn)（FET）等(děng)等(děng) 
 簡單IC器件——光學器(qì)件，驅動器(qì)，開(kāi)關，傳(chuán)感器(qì)
 集成器件——小(xiǎo)規(guī)模(mó)集(jí)成(chéng)（SSI）和(hé)大規(guī)模(mó)集(jí)成（LSI）
–模擬IC 
–射(shè)頻集(jí)成(chéng)電路（RFIC）
–集(jí)成電(diàn)路（ASIC）
–片上(shàng)係統（SoC）器(qì)件
 光(guāng)電器件
，例(lì)如發(fā)光(guāng)二(èr)極管(guǎn)（LED），激光二(èr)極(jí)管，高(gāo)亮(liàng)度LED（HBLED），垂(chuí)直(zhí)腔麵發射激(jī)光(guāng)器（VCSEL），顯示器(qì)
 圓片(piàn)級可(kě)靠(kào)性(xìng)
- NBTI，TDDB，HCI，電(diàn)遷(qiān)移(yí)
 太陽能(néng)電池
 電(diàn)池(chí)
暫態抑(yì)製器件
IC，RFIC，MMIC
激光二極管(guǎn)，激光(guāng)二(èr)極管模塊，LED，光(guāng)電檢測(cè)器(qì)
電(diàn)路(lù)保(bǎo)護器件(jiàn):
TVS，MOV，熔(róng)絲
安(ān)全氣囊
連(lián)接器(qì)，開(kāi)關(guān)，繼電器
碳(tàn)納米管
半(bàn)導體(tǐ)納米綫(xiàn)
碳(tàn)納米(mǐ)管(guǎn) FET
納米(mǐ)傳感(gǎn)器和陣(zhèn)列(liè)
單電子(zǐ)晶(jīng)體管
分子(zǐ)電子(zǐ)
有機電子
基本運放電路
二極管和電(diàn)路
晶體(tǐ)管電路

測(cè)試(shì)：
漏(lòu)流
低(dī)壓(yā)，電阻
LIV
IDDQ
I-V特征分(fēn)析(xī)
隔離與軌跡電阻(zǔ)
溫度係數(shù)
正向電(diàn)壓，反向擊(jī)穿，漏電(diàn)流(liú)
直(zhí)流(liú)參數(shù)測試
直流電源(yuán)
HIPOT
介質(zhì)耐(nài)受(shòu)性

雙極結(jié)型晶(jīng)體(tǐ)管設(shè)計
結(jié)型(xíng)場(cháng)效應(yīng)晶體(tǐ)管(guǎn)設計
金屬氧(yǎng)化物(wù)半(bàn)導體(tǐ)場(cháng)效(xiào)應晶(jīng)體管設計
太(tài)陽能電池和 LED 設計
高(gāo)電子遷(qiān)移率晶體管(guǎn)設計(jì)
復(fù)合(hé)半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)器件(jiàn)設計

分(fēn)析納(nà)米材料和實(shí)驗(yàn)器件(jiàn)
碳納米(mǐ)管(guǎn)的電測(cè)量(liáng)標(biāo)準
測(cè)量碳(tàn)納(nà)米(mǐ)管電氣特(tè)性
提高(gāo)納(nà)米(mǐ)電(diàn)子和(hé)分子電子器(qì)件的低電(diàn)流測(cè)量
在低功率和低(dī)壓(yā)應用中(zhōng)實(shí)現準(zhǔn)確，可靠的電(diàn)阻(zǔ)測量
納米(mǐ)級(jí)器(qì)件(jiàn)和材料的(dí)電氣測量(liáng)
提高超高電阻(zǔ)和電(diàn)阻率(shuài)測量(liáng)的可重復(fù)性(xìng)
一種微分(fēn)電導的(dí)改(gǎi)進(jìn)測(cè)量方(fāng)法(fǎ)
納(nà)米(mǐ)技(jì)術(shù)準確電(diàn)氣測(cè)量的技(jì)術
納(nà)米級材料(liào)的電(diàn)氣測(cè)量(liáng)
降低外部誤差源影響的儀器(qì)技(jì)術(shù)
迎(yíng)接(jiē)65nm節(jié)點(diǎn)的測(cè)量(liáng)挑戰
測量半(bàn)導(dǎo)體材(cái)料(liào)的(dí)高電阻率和霍爾(ěr)電(diàn)壓(yā)
用微(wēi)微(wēi)微安量(liáng)程(chéng)測(cè)量電流(liú)
柵(zhà)極電介質(zhì)電容電壓(yā)特性(xìng)分析(xī)
評估(gū)氧化層(céng)的(dí)可靠(kào)性

的(dí)半導(dǎo)體器件(jiàn)結(jié)構設計(jì)和(hé)試驗(yàn)低電阻，低功耗半導體器(qì)
輸(shū)出極低(dī)電流和測量(liáng)極低電壓分析現(xiàn)代(dài)材(cái)料，半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)和納(nà)米電(diàn)子元件的電阻
低阻測量(liáng)(低至10nΩ)分析導通電阻參(cān)數(shù)，互連和低(dī)功率半(bàn)導體。
用於(yú)*進CMOS技術的(dí)脈(mài)衝可(kě)靠性(xìng)測(cè)試
高K柵極電(diàn)介(jiè)質電(diàn)荷俘獲行為的(dí)脈(mài)衝特(tè)性分析
用6綫歐姆(mǔ)測量(liáng)技術進行(háng)更高準確度(dù)的(dí)電(diàn)阻測量(liáng)
配置分(fēn)立電(diàn)阻(zǔ)器(qì)驗(yàn)證測試係(xì)統
電(diàn)信激(jī)光二極管模塊的高(gāo)吞吐(tǔ)率直流(liú)生(shēng)產測試
多(duō)台數(shù)字源表(biǎo)的觸發(fā)器(qì)同步
高亮(liàng)度，可見光LED的(dí)生產(chǎn)測(cè)試
OLED顯示器的直流(liú)生產測試
在運行中(zhōng)第5次測量用(yòng)於偏置溫度(dù)不穩定(dìng)特性(xìng)分(fēn)析
數字源表的(dí)緩衝(chōng)器(qì)以及如(rú)何(hé)用這(zhè)兩(liǎng)個(gè)緩衝(chōng)器獲取多(duō)達(dá)5000點數據
連接器(qì)的(dí)生(shēng)產測(cè)試方(fāng)案(àn)
射頻功率晶(jīng)體(tǐ)管的(dí)直流電氣特性(xìng)分析

1. MOS 電容器
C-V 曲綫 (高頻(pín)：100kHz)：
摻雜類(lèi)型(xíng) – 氧化層(céng)厚(hòu)度 – 平(píng)帶電壓 – 閾值(zhí)電壓 – 襯底摻雜(zá) – zui大耗盡層(céng)寬度 – 反型(xíng)層到(dào)平(píng)衡(héng)的靈敏度：電壓掃(sǎo)描率和方(fāng)向(xiàng) – 光效(xiào)應和(hé)溫度效應。
I-V 曲綫分析(xī)：
電荷(hé)建立 (測量電壓(yā) - 時間(jiān)圖
，用(yòng)低電流源)； 氧化(huà)層電容測定； 與 C-V 曲綫比較(jiào)。
C-V 曲綫 (準(zhǔn)靜態(tài)) 結合 C-V 曲綫：
表麵(miàn)電位(wèi) Ψs 與(yǔ)施加電壓(yā)的關係(xì) – Si (100) 的表麵(miàn)態(tài)密(mì)度 Dit = f (Ψs) 與 Si (111) 的相比：方向和後處理(lǐ)退(tuì)火的影(yǐng)響。
C-V 曲(qū)綫(xiàn) (高頻：100kHz)：
移(yí)動氧(yǎng)化(huà)層(céng)電(diàn)荷密度(dù) (偏(piān)壓溫(wēn)度應(yīng)力(lì)：200°C
，10 分(fēn)鐘
，±10V)
 
2. 雙(shuāng)極結(jié)型晶(jīng)體管(guǎn)
     主(zhǔ)題
   正向共發射極(jí)輸出(chū)特性(xìng)：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測量。
   正(zhèng)向 CE 輸(shū)入特(tè)性：Ib = f (Vbe) 對(duì)於(yú)幾(jī)個(gè) Vce 正值。
   正向(xiàng) Gummel 曲(qū)綫： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
   確定增益 βf = Ic/Ib 和 af。
   Βf 與 log(Ic) 的(dí)關(guān)係： 低(dī)注入和高注入(rù)的(dí)效果。
   非(fēi)理想特(tè)性：爾利電壓(yā)。
   反向 CE 輸(shū)出(chū)特(tè)性(xìng)： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
   反向 CE 傳輸特(tè)性：Ib=f(Vbe) 對於(yú)幾個Vce負值。
   反(fǎn)向(xiàng) Gummel 曲綫： logIe, logIb=f(Vbc>0).
   確定增益(yì) βr = Ie/Ib 和 ar。
   Βr 與 log(Ie) 的關(guān)係： 低(dī)注(zhù)入和(hé)高(gāo)注入的效果(guǒ)。
   Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確(què)定
，對於(yú)給定的 Ib 電流。
   Ebers Moll 模型構(gòu)建並(bìng)且與實驗做(zuò)比(bǐ)較(jiào)。
   BE 和(hé) CE 結的(dí) C-V 特(tè)性分析(xī)。基區(qū)摻雜(zá)濃縮。
 
3. 亞微(wēi)米(mǐ)集成 MOSFET
輸(shū)出特(tè)性：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增強(qiáng)或耗盡)
，溝道(dào)長(cháng)度調製參(cān)數(shù)(λ) 在飽(bǎo)和(hé)區(qū)域(yù) (VDS<–3V) 有效溝道長(cháng)度與(yǔ) VDS 的關(guān)係。
傳輸(shū)特(tè)性(xìng)：
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k.  
Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
襯底偏壓特(tè)性： 
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
亞閾值特性：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.
襯底(dǐ)電流(liú)特性(xìng)：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使用長溝(gōu)道(dào)和短(duǎn)溝道公(gōng)式(shì)的輸(shū)出(chū)特性模型：比較實驗(yàn)結果。

美(měi)國吉(jí)時(shí)利(lì)KEITHLEY2400數(shù)字源表進行(háng)VCSEL測試
美國吉時(shí)利KEITHLEY2400測量光伏電池的I-V特(tè)性
美國吉時(shí)利(lì)KEITHLEY2400係列數字(zì)源表的(dí)SCPI應(yīng)用(yòng)轉(zhuǎn)換為2600係列(liè)源表(biǎo)的腳(jiǎo)本(běn)應(yīng)用(yòng)
美(měi)國(guó)吉時利KEITHLEY2400係列數字(zì)源表(biǎo)進(jìn)行(háng)IDDQ測(cè)試和(hé)待機電流(liú)測試
使(shǐ)用(yòng)兩台美國吉(jí)時利(lì)KEITHLEY2400型(xíng)數字源(yuán)表輸(shū)出(chū)2A電流(liú)
美國吉(jí)時(shí)利KEITHLEY2400或(huò)其(qí)它(tā)非脈衝(chōng)模式源表產生電流 (或電(diàn)壓) 脈衝(chōng)
美國吉(jí)時(shí)利KEITHLEY2400係列數字源表提(tí)升多(duō)引(yǐn)腳(jiǎo)器(qì)件(jiàn)的生產(chǎn)量
美國吉(jí)時利KEITHLEY2400數(shù)字源(yuán)表(biǎo)創建可擴縮(suō)，多(duō)引(yǐn)腳，多功能IC測試係(xì)統
美國(guó)吉(jí)時(shí)利KEITHLEY2402數字源表對激(jī)光二極(jí)管模(mó)塊(kuài)和VCSEL進行高吞吐率直流生(shēng)產測試
美國(guó)吉(jí)時利(lì)KEITHLEY2400係(xì)列(liè)數(shù)字源表進行(háng)二(èr)極管生產測(cè)試(shì)
美國吉時利KEITHLEY2400係列數(shù)字(zì)源表進行高(gāo)亮(liàng)度，可見光(guāng)LED的(dí)生(shēng)產(chǎn)測試(shì)
美國吉時(shí)利KEITHLEY2400係列(liè)數(shù)字源(yuán)表(biǎo)進(jìn)行(háng)IDDQ測(cè)試(shì)和待(dài)機(jī)電流(liú)測(cè)試
美國(guó)吉時利KEITHLEY2400 數(shù)字(zì)源表(biǎo)驗證變阻(zǔ)器
美國吉時(shí)利KEITHLEY2400係(xì)列源表進(jìn)行電(diàn)池放(fàng)電(diàn)/充電周期(qī)
美國吉(jí)時利(lì)KEITHLEY2400配(pèi)置(zhì)電(diàn)阻(zǔ)網(wǎng)絡的(dí)生(shēng)產測試(shì)係統
美國(guó)吉時利(lì)KEITHLEY2430 1kW 脈(mài)衝(chōng)源表進行大(dà)電流(liú)變阻器(qì)的生(shēng)產測試
美(měi)國吉(jí)時(shí)利KEITHLEY2400數字源(yuán)表(biǎo)進(jìn)行(háng)熱(rè)敏電(diàn)阻的生(shēng)產(chǎn)測試

美國(guó)吉時利keithley源(yuán)表2430脈衝(chōng)數(shù)字源(yuán)表SourceMeter（數(shù)字源(yuán)表）係(xì)列是專(zhuān)為那些要(yào)求(qiú)緊密結合(hé)激勵源(yuán)和測量功能(néng)
，要求精(jīng)密(mì)電(diàn)壓(yā)源(yuán)並同(tóng)時進(jìn)行電流與電(diàn)壓測(cè)量(liáng)的測試應用而設(shè)計的。所有源(yuán)表均(jūn)由一(yī)個精密的，低(dī)噪聲，高(gāo)穩(wěn)定(dìng)的(dí)帶回讀功能的(dí)直(zhí)流電(diàn)源(yuán)和(hé)一(yī)個(gè)低噪聲，高重復(fù)性，高(gāo)輸入(rù)阻(zǔ)抗的(dí)5 1/2位(wèi)多功能(néng)表組(zǔ)成
，形(xíng)成了緊湊(còu)的(dí)單通道直流參(cān)數(shù)測(cè)試儀。其(qí)功能相(xiāng)當於(yú)電壓源(yuán)，電(diàn)流源(yuán)，電(diàn)壓(yā)表，電流表(biǎo)和電(diàn)阻表的(dí)綜合體。通信(xìn)，半導體，計算(suàn)機(jī)，汽(qì)車(chē)與(yǔ)醫療(liáo)行業的(dí)元件(jiàn)與模塊(kuài)製造商都(dū)將(jiāng)發現
，源(yuán)表(biǎo)儀(yí)器對於(yú)各種特征分析與生產(chǎn)過程測(cè)試(shì)都(dū)實用(yòng)價(jià)值。
 
    美國(guó)吉時(shí)利(lì)keithley 2430脈衝數(shù)字(zì)源(yuán)表1kW脈(mài)衝模式(shì)源(yuán)表具有與(yǔ)2425型100W源表相同的直(zhí)流(liú)電源和(hé)測量範圍(wéi)
，另外(wài)提(tí)供(gōng)了*的1kW脈(mài)衝模(mó)式
，將電流上限擴展到10A。這一模(mó)式(shì)使得(dé)美國吉時(shí)利(lì)keithley 2430脈衝(chōng)數字(zì)源(yuán)表(biǎo)非常(cháng)適合於(yú)測(cè)量多種高(gāo)功率器(qì)件(jiàn)（包(bāo)括多(duō)層(céng)變阻(zǔ)器(qì)MLV和半導體(tǐ)元件）的擊穿(chuān)電壓(yā)。在(zài)這些(xiē)器(qì)件(jiàn)的(dí)生(shēng)產測(cè)試(shì)過(guò)程(chéng)中
，人們通(tōng)常在(zài)高(gāo)達10A的大(dà)電流脈衝(chōng)下(xià)測(cè)量(liáng)擊(jī)穿電(diàn)壓。並(bìng)有高達10A@100V（脈衝式(shì)）的(dí)可編程雙極電(diàn)壓(yā)和電(diàn)流源(yuán)
，同時(shí)具有(yǒu)所有2400係(xì)列(liè)的(dí)高速測(cè)試功能(néng)。
 
    美國(guó)吉(jí)時利keithley 2430脈(mài)衝數(shù)字源表經過編程(chéng)可以(yǐ)產(chǎn)生各種占空比(bǐ)的單個脈衝(chōng)或脈(mài)衝(chōng)序列
，脈寬(kuān)可(kě)達(dá)5ms。在1kW的功率(shuài)範圍(wéi)上
，可以通(tōng)過(guò)編程產生長度為(wéi)2.5ms占(zhān)空(kōng)比(bǐ)為8%的(dí)脈衝。當結(jié)合PC控製器以及合適的開關硬件一起使用(yòng)時
，美國吉時(shí)利keithley 2430脈(mài)衝(chōng)數(shù)字(zì)源表(biǎo)能(néng)夠(gòu)為(wéi)高功(gōng)率(shuài)器件測試(shì)提供廉價的，高(gāo)產能的解決(jué)方案，全麵(miàn)集成半(bàn)架式(shì)的(dí)機殼外形(xíng)。其他提供(gōng)類似性(xìng)能的解決(jué)方案(àn)
，例如分(fēn)立(lì)半(bàn)導體元(yuán)件測(cè)試器要比(bǐ)2430花更多(duō)4倍(bèi)的成(chéng)本(běn)
，顯(xiǎn)著地占用(yòng)更大(dà)的機(jī)架空(kōng)間(jiān)。
 
 
2430脈衝(chōng)數字源(yuán)表特點
 2400係(xì)列提(tí)供(gōng)寬(kuān)動態(tài)範圍：10pA to 10A
，1µV to 1100V
，20W to 1000W
四(sì)象限工(gōng)作(zuò)
0.012%的精(jīng)確(què)度(dù)
，51/2的分辨率(shuài)
可程(chéng)控電流驅(qū)動(dòng)和電(diàn)壓測(cè)量鉗(qián)位(wèi)的(dí) 6位綫(xiàn)電阻(zǔ)測(cè)量
在4?數位時(shí)通過(guò)GPIB達1700讀(dú)數(shù)/秒
內置(zhì)快速(sù)失敗/通過(guò)測試(shì)比(bǐ)較器
可選(xuǎn)式(shì)接(jiē)觸檢查功能（2430-C型）
數(shù)字(zì)I/O提(tí)供快速分(fēn)選與機械手連接 GPIB, RS-232, 和觸發(fā)式連接麵(miàn)板 
 
 
2430脈衝數字源(yuán)表主(zhǔ)要(yào)指標
  型號(hào) 2430，2430-C
 描述(shù) 脈衝(chōng)型
 電(diàn)流(liú)source/sink 是(shì)
 電壓(yā)source/sink 是
 輸出(chū)功率 1100W（脈(mài)衝式）
 輸出電壓（min./max.） ±1µV/±105V
 輸出(chū)電流（min./max.） ±100pA/±10.5A（脈衝式）
 電阻(zǔ) <0.2Ω至(zhì)>200MΩ
 基本(běn)精(jīng)度(dù)I 0.035%
 基本精度(dù)V 0.015%
 基本精(jīng)度Ω 0.06%
 接(jiē)觸(chù)檢查功(gōng)能（-C型(xíng)） 2430-C型帶此(cǐ)功(gōng)能(néng)
 典型應用(yòng) 大(dà)功(gōng)率(shuài)脈(mài)衝(chōng)測(cè)試，變(biàn)阻器(qì)及其它電路(lù)保護裝置(zhì)
 隨(suí)機附(fù)件 測試(shì)綫，LabVIEW軟件(jiàn)驅(qū)動（可(kě)供下載），LabTracer軟件(jiàn)（可供(gōng)下(xià)載(zǎi)）

（SourceMeter®） 選型(xíng)指(zhǐ)南(nán)