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產(chǎn)品特(tè)性(xìng)Product characteristics

中國(guó)電子行(háng)業(yè)儀器優質(zhì)供(gōng)應商——堅融(róng)實業(yè)JETYOO INDUSTRIAL，Support，銷售Sale，服(fú)務Service，3S公司，提供(gōng)專(zhuān)業的解(jiě)決方(fāng)案(àn)，測試測(cè)量技(jì)術(shù)改(gǎi)進，技(jì)術培訓，采購管理，售(shòu)後(hòu)維修服(fú)務(wù)。

吉時(shí)利KEITHLEY2000，2001,2002,2010萬用表應用領(lǐng)域(yù)：
 離(lí)散和(hé)無(wú)源(yuán)元(yuán)件 
–兩(liǎng)抽頭器件(jiàn)——傳感器(qì)，磁盤(pán)驅動(dòng)器頭，金(jīn)屬氧化(huà)物可變電阻(zǔ)（MOV），二極(jí)管(guǎn)，齊(qí)納(nà)二(èr)極(jí)管，電容，熱(rè)敏電(diàn)阻
–三抽頭(tóu)器(qì)件——小信(xìn)號(hào)雙極(jí)結(jié)型晶體管（BJT），場效應(yīng)晶體(tǐ)管（FET）等(děng)等 
 簡單(dān)IC器(qì)件(jiàn)——光學器(qì)件，驅動器(qì)，開(kāi)關，傳感器(qì)
 集(jí)成器(qì)件(jiàn)——小(xiǎo)規模集成(chéng)（SSI）和大(dà)規模集成（LSI）
–模(mó)擬IC 
–射(shè)頻集成電路(lù)（RFIC）
–集成電路（ASIC）
–片上(shàng)係統（SoC）器(qì)件
 光(guāng)電(diàn)器件，例如發光二極(jí)管(guǎn)（LED），激光(guāng)二極管，高亮度LED（HBLED），垂(chuí)直(zhí)腔麵發射(shè)激光(guāng)器（VCSEL），顯示器(qì)
 圓片(piàn)級可(kě)靠(kào)性
- NBTI，TDDB，HCI，電(diàn)遷(qiān)移
 太陽能電(diàn)池
 電池
暫態(tài)抑製器(qì)件(jiàn)
IC，RFIC，MMIC
激(jī)光二極管(guǎn)，激(jī)光(guāng)二極管模塊，LED，光電檢測(cè)器
電(diàn)路保護器(qì)件:
TVS，MOV，熔絲
安全氣囊
連接器，開關(guān)，繼電(diàn)器
碳(tàn)納米管
半導體納(nà)米(mǐ)綫
碳納(nà)米管(guǎn) FET
納米傳(chuán)感器(qì)和(hé)陣列
單電(diàn)子(zǐ)晶體管
分子電子(zǐ)
有機電子(zǐ)
基本運放(fàng)電路(lù)
二極(jí)管(guǎn)和電(diàn)路(lù)
晶體(tǐ)管(guǎn)電路

測(cè)試：
漏(lòu)流
低(dī)壓(yā)，電阻
LIV
IDDQ
I-V特征(zhēng)分析
隔離與軌跡(jì)電阻(zǔ)
溫度係(xì)數
正(zhèng)向電(diàn)壓，反(fǎn)向擊(jī)穿(chuān)，漏電(diàn)流
直(zhí)流(liú)參數測(cè)試(shì)
直流電源
HIPOT
介質(zhì)耐(nài)受性

雙(shuāng)極結型晶體管設計
結型場效(xiào)應晶體(tǐ)管設計
金(jīn)屬(shǔ)氧化(huà)物(wù)半(bàn)導體場效應(yīng)晶(jīng)體管(guǎn)設計
太陽能電池和 LED 設(shè)計
高(gāo)電子(zǐ)遷(qiān)移(yí)率晶(jīng)體(tǐ)管(guǎn)設(shè)計
復(fù)合半(bàn)導(dǎo)體器件設(shè)計

分(fēn)析(xī)納(nà)米材(cái)料和實(shí)驗器件(jiàn)
碳納米(mǐ)管的電測(cè)量(liáng)標(biāo)準
測(cè)量碳納米(mǐ)管(guǎn)電氣特性
提高納(nà)米電(diàn)子和(hé)分子電子器件的(dí)低電流測量
在低(dī)功(gōng)率(shuài)和低壓(yā)應用中實現準確(què)，可(kě)靠的電阻測量
納米(mǐ)級器(qì)件(jiàn)和材料的(dí)電氣(qì)測量(liáng)
提高超高電阻和(hé)電阻(zǔ)率測量(liáng)的可(kě)重(zhòng)復性
一(yī)種(zhǒng)微分電(diàn)導(dǎo)的(dí)改進(jìn)測(cè)量方(fāng)法
納米技(jì)術準確電(diàn)氣測量(liáng)的技術
納(nà)米級(jí)材(cái)料的(dí)電(diàn)氣測量
降(jiàng)低外(wài)部(bù)誤差(chà)源影響的(dí)儀(yí)器技術(shù)
迎(yíng)接65nm節點(diǎn)的測量挑戰
測(cè)量半導體材料(liào)的高電(diàn)阻率(shuài)和霍(huò)爾(ěr)電壓
用(yòng)微微(wēi)微(wēi)安量(liáng)程測量電流(liú)
柵極電(diàn)介(jiè)質(zhì)電容(róng)電壓(yā)特性分析(xī)
評估(gū)氧化層(céng)的可靠性

的半導(dǎo)體器件結(jié)構設(shè)計和(hé)試驗低電阻(zǔ)，低(dī)功耗半導(dǎo)體器
輸出極(jí)低電流和(hé)測(cè)量(liáng)極(jí)低(dī)電壓(yā)分析(xī)現代材(cái)料，半導體(tǐ)和(hé)納米電子元件(jiàn)的電(diàn)阻
低(dī)阻(zǔ)測量(低至(zhì)10nΩ)分(fēn)析導通電阻參數(shù)，互連(lián)和(hé)低功(gōng)率(shuài)半(bàn)導體(tǐ)。
用(yòng)於*進CMOS技術的(dí)脈(mài)衝可(kě)靠性測(cè)試
高K柵極電介質(zhì)電(diàn)荷俘(fú)獲行(háng)為的(dí)脈衝(chōng)特性分析
用6綫歐姆測(cè)量技(jì)術進(jìn)行更(gēng)高(gāo)準(zhǔn)確(què)度的(dí)電(diàn)阻測(cè)量
配(pèi)置(zhì)分(fēn)立電(diàn)阻(zǔ)器驗證(zhèng)測試係統(tǒng)
電信激光(guāng)二極管(guǎn)模塊的高吞(tūn)吐(tǔ)率直(zhí)流生(shēng)產測(cè)試
多(duō)台(tái)數字(zì)源(yuán)表的(dí)觸發(fā)器同步
高亮度，可(kě)見光LED的(dí)生產測試(shì)
OLED顯示(shì)器的直流生產測(cè)試
在運(yùn)行中(zhōng)第(dì)5次(cì)測量用於偏置(zhì)溫度不(bù)穩(wěn)定特(tè)性分析
數(shù)字源表(biǎo)的緩衝器以及(jí)如何用這(zhè)兩(liǎng)個緩衝器(qì)獲取多達5000點數據
連(lián)接(jiē)器的生產測試方案
射頻(pín)功率晶體管(guǎn)的(dí)直流電(diàn)氣(qì)特(tè)性分析(xī)

1. MOS 電(diàn)容器(qì)
C-V 曲綫 (高頻：100kHz)：
摻雜類型 – 氧(yǎng)化層(céng)厚度(dù) – 平(píng)帶電壓 – 閾值(zhí)電壓 – 襯底摻(chān)雜 – zui大耗盡層(céng)

寬度(dù) – 反(fǎn)型(xíng)層到平衡的靈(líng)敏度：電壓(yā)掃描率和方(fāng)向 – 光(guāng)效(xiào)應(yīng)和溫(wēn)度(dù)效(xiào)應。
I-V 曲綫(xiàn)分析：
電荷建(jiàn)立 (測量電(diàn)壓 - 時(shí)間圖(tú)，用低電(diàn)流(liú)源)； 氧化層(céng)電容測定； 與 C-V 曲綫

比(bǐ)較。
C-V 曲(qū)綫(xiàn) (準(zhǔn)靜(jìng)態) 結合 C-V 曲綫：
表麵電(diàn)位(wèi) Ψs 與施(shī)加(jiā)電壓(yā)的關(guān)係 – Si (100) 的表(biǎo)麵(miàn)態密(mì)度 Dit = f (Ψs) 與 

Si (111) 的(dí)相比(bǐ)：方向和(hé)後處理(lǐ)退火(huǒ)的影響(xiǎng)。
C-V 曲綫(xiàn) (高(gāo)頻：100kHz)：
移(yí)動氧化層(céng)電荷密度(dù) (偏壓溫度應力：200°C，10 分鐘，±10V)
 
2. 雙極結(jié)型晶(jīng)體管
     主(zhǔ)題
   正(zhèng)向(xiàng)共發射(shè)極輸(shū)出特性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測(cè)量。
   正向 CE 輸(shū)入特(tè)性：Ib = f (Vbe) 對於幾(jī)個 Vce 正值。
   正(zhèng)向 Gummel 曲綫： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
   確(què)定(dìng)增益 βf = Ic/Ib 和(hé) af。
   Βf 與 log(Ic) 的關(guān)係(xì)： 低(dī)注入和(hé)高注(zhù)入的效(xiào)果。
   非(fēi)理(lǐ)想(xiǎng)特(tè)性：爾利電(diàn)壓。
   反(fǎn)向 CE 輸出特(tè)性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
   反(fǎn)向 CE 傳(chuán)輸特性(xìng)：Ib=f(Vbe) 對(duì)於幾個(gè)Vce負值。
   反向 Gummel 曲(qū)綫(xiàn)： logIe, logIb=f(Vbc>0).
   確定增益 βr = Ie/Ib 和 ar。
   Βr 與 log(Ie) 的關係： 低(dī)注入和(hé)高注入(rù)的效果。
   Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定，對於(yú)給(gěi)定的(dí) Ib 電流。
   Ebers Moll 模型構(gòu)建並且與(yǔ)實驗做(zuò)比(bǐ)較(jiào)。
   BE 和 CE 結的(dí) C-V 特(tè)性(xìng)分(fēn)析。基區摻(chān)雜濃(nóng)縮(suō)。
 
3. 亞(yà)微米(mǐ)集成(chéng) MOSFET
輸(shū)出特(tè)性(xìng)：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增強或(huò)耗盡)，溝道長(cháng)度調製參(cān)數(shù)(λ) 在飽和區域 (VDS<–3V) 有效

溝道長度與(yǔ) VDS 的(dí)關(guān)係。
傳(chuán)輸(shū)特(tè)性(xìng)：
襯(chèn)底(dǐ)偏(piān)壓特性： 
亞閾(yù)值特性：
襯底(dǐ)電(diàn)流特性(xìng)：
使(shǐ)用長溝(gōu)道和短溝(gōu)道公(gōng)式的輸出(chū)特(tè)性模型：比較(jiào)實(shí)驗結(jié)果。

美(měi)國(guó)吉(jí)時(shí)利萬用表KEITHLEY2002
    用戶在實(shí)際應(yīng)用(yòng)中(zhōng)通(tōng)常需(xū)要具(jù)有較高(gāo)分辨(biàn)率(shuài)，準確(què)度和靈敏度，以(yǐ)及高(gāo)產(chǎn)能(néng)的(dí)產(chǎn)品。現在有兩款吸引(yǐn)力(lì)的(dí)數字(zì)多(duō)用(yòng)表可(kě)供(gōng)選(xuǎn)擇(zé)。吉時(shí)利(lì)推出的(dí)KEITHLEY2001型(xíng)七(qī)位半(bàn)和(hé)KEITHLEY2002型八(bā)位(wèi)半高性能數字多(duō)用表(biǎo)所具(jù)備(bèi)的(dí)性能(néng)指標通常(cháng)隻能在(zài)那(nà)些價(jià)格昂貴數(shù)千(qiān)倍的測量儀器(qì)上(shàng)才(cái)能獲(huò)得(dé)，不僅如此，它們的功能(néng)比常(cháng)規的數字(zì)多(duō)用(yòng)表更加豐(fēng)富。
 
 keithley2002八位(wèi)半吉(jí)時利(lì)數(shù)字(zì)多用(yòng)表(biǎo)特點(diǎn)
七(qī)位半 （KEITHLEY2001型(xíng)）或八位半 （KEITHLEY2002型）分(fēn)辨(biàn)率
高(gāo)速的多功能測量(liáng)性能
多種(zhǒng)內置測量(liáng)功(gōng)能
內置的10通道掃描器選件
兼容IEEE－488.2和(hé)SCPI接口
KEITHLEY2002型(xíng)具備(bèi)HP3458A仿(fǎng)真模式 
 
美國(guó)吉時利萬(wàn)用表KEITHLEY2002主要(yào)指(zhǐ)標(biāo)

標配(pèi)件 
1751型2綫通(tōng)用(yòng)測試探頭(tóu)（適(shì)用於(yú)175A，197A，2000，2001，2002，2010，2015，2016） 

額外(wài)選(xuǎn)購配件(jiàn) 
1600A型40kV，1000：1分壓探頭(tóu)，長度(dù)為(wéi)2米（6.6 ft），（適用(yòng)於數字(zì)多用(yòng)表） 
1651型50A電流(liú)分(fēn)流器（適用於(yú)數(shù)字多(duō)用表(biǎo)） 
1681型(xíng)2綫通(tōng)用夾(jiā)式測(cè)試綫(xiàn)組(zǔ)（適用於數(shù)字(zì)多(duō)用(yòng)表） 
1754型2綫通(tōng)用10片裝(zhuāng)測試綫(xiàn)套件（適用於175A，197A，2000，2001，2002，2010） 
4288-1型單機(jī)架(jià)安(ān)裝(zhuāng)套件（適用於428，486，487，776，2700，2000係(xì)列(liè)，2182，2300 係列，2400係列，2500係列，6514，6517A，7001，6430，6485） 
4288-2型(xíng)雙(shuāng)機(jī)架(jià)安(ān)裝(zhuāng)套件（適(shì)用(yòng)於(yú)428，486，487，776，2000係列(liè)，2182，2300 係列，2400係(xì)列，6514，6517A，7001，2700，6430，6485） 
5804型Kelvin（4綫(xiàn)）10件(jiàn)裝的通用(yòng)測試(shì)綫套件(jiàn)（適用於580，2400係列，數字多用表(biǎo)） 
5805型(xíng)Kelvin（4綫）帶彈(dàn)簧(huáng)的探(tàn)頭(tóu)，長(cháng)度為0.9米（3 ft）（適用(yòng)於(yú)580，數(shù)字多用(yòng)表） 
5805-12型(xíng)Kelvin（4綫）帶(dài)彈(dàn)簧(huáng)的探頭，長度(dù)為3.6米（12 ft）（適用於數字多(duō)用表） 
5806型Kelvin（4綫）特(tè)大號鱷魚(yú)夾測試綫，長度為(wéi)0.9米（3 ft）（適用於(yú)580，2400係列(liè)，數(shù)字多用表） 
5807-7螺旋狀(zhuàng)彈簧尖頭測試(shì)綫(xiàn)（適用於580，數(shù)字(zì)多(duō)用表(biǎo)） 
7007-1：雙層屏(píng)蔽高級GPIB接(jiē)口(kǒu)電纜(lǎn)，長度1米(mǐ)（3.3ft）（用(yòng)於GPIB互(hù)連） 
7007-2：雙層屏蔽高級(jí)GPIB接口(kǒu)電纜(lǎn)，長度(dù)2米(mǐ)（6.6ft）（用(yòng)於GPIB互連(lián)） 
7009-5型(xíng)屏(píng)蔽RS-232電(diàn)纜，長度為1.5米（5 ft）（適(shì)用2000，2010，6517A，2400係列） 
KUSB-488A型(xíng)IEEE-488.2 USB-GPIB接口適(shì)配器，適(shì)用(yòng)USB接(jiē)口，內置2米（6.6ft）電纜 
8620型通用(yòng)4綫數字多用表短(duǎn)路插(chā)頭(tóu) 

keithley2002美(měi)國(guó)吉時利萬用(yòng)表選購(gòu)配(pèi)件(jiàn)
槽(cáo)口蓋板
MEM1：32k存儲器
MEM2：128k存儲(chǔ)器(qì)
2000-SCAN：10通(tōng)道通用掃(sǎo)描(miáo)卡(qiǎ)
2001-TCSCAN：9通道(dào)掃(sǎo)描卡用於(yú)冷端(duān)補(bǔ)償(cháng)的溫(wēn)度(dù)測量(liáng)，電(diàn)壓(yā)，電阻和/或頻(pín)率測量
2001-SCAN型：10通道掃(sǎo)描卡，帶8個(gè)繼電器(qì)輸入(rù)和2個固態輸(shū)入

 
keithley2002美國吉時利萬用(yòng)表配套(tào)產(chǎn)品(pǐn)
7001，7001型(xíng)80通道(dào)程控開關控製器
7002，7002型(xíng)400通(tōng)道(dào)程(chéng)控開(kāi)關(guān)控製(zhì)器

keithley美(měi)國吉(jí)時(shí)利(lì)萬用表(biǎo)係列(liè)產品(pǐn)
KEITHLEY2000-20型六位(wèi)半數字(zì)多(duō)用(yòng)表（帶(dài)20通(tōng)道掃(sǎo)描(miáo)卡(qiǎ)）
KEITHLEY2000/2000-SCAN型，2000型(xíng)六位(wèi)半數(shù)字多用表(biǎo)（帶(dài)2000-SCAN型(xíng)10通(tōng)道掃(sǎo)描(miáo)卡）
KEITHLEY2001型(xíng)高性能(néng)七位半(bàn)數(shù)字(zì)多用(yòng)表，帶(dài)8k存(cún)儲器
KEITHLEY2010型七(qī)位半低噪聲自動變(biàn)量程數字(zì)多(duō)用表(biǎo)
KEITHLEY2700型數(shù)字多用(yòng)表(biǎo)，數據(jù)采集，數(shù)據(jù)記錄(lù)係(xì)統(tǒng)，帶(dài)2個(gè)插(chā)槽
KEITHLEY2750型數字(zì)多用表/數據采集(jí)/開(kāi)關(guān)/數(shù)據記錄(lù)係(xì)統
KEITHLEY2002/ MEM1型(xíng)高性(xìng)能(néng)八位(wèi)半(bàn)數字(zì)多(duō)用(yòng)表(biǎo)（帶32k內(nèi)存(cún)）
KEITHLEY2002/ MEM2型(xíng)高(gāo)性能八(bā)位半(bàn)數字(zì)多用表(biǎo)（帶128k內(nèi)存(cún)）