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產(chǎn)品特性Product characteristics

中國電(diàn)子行(háng)業儀器優質供(gōng)應(yīng)商(shāng)——堅融實(shí)業(yè)JETYOO INDUSTRIAL
，Support
，銷售(shòu)Sale
，服務(wù)Service
，3S公(gōng)司(sī)
，提(tí)供(gōng)專(zhuān)業的(dí)解決方案
，測試測(cè)量技術改(gǎi)進
，技(jì)術培訓
，采購管(guǎn)理(lǐ)
，售(shòu)後維修(xiū)服務。

吉(jí)時利KEITHLEY2000
，2001,2002,2010萬(wàn)用(yòng)表應(yīng)用(yòng)領(lǐng)域：
 離(lí)散和無(wú)源(yuán)元件 
–兩抽(chōu)頭器(qì)件——傳(chuán)感器
，磁(cí)盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(qì)頭
，金(jīn)屬氧化物可(kě)變電阻（MOV）
，二極管
，齊納二極管(guǎn)
，電容(róng)
，熱(rè)敏電阻

–三抽頭(tóu)器件(jiàn)——小(xiǎo)信(xìn)號(hào)雙極(jí)結(jié)型晶(jīng)體管（BJT）
，場(cháng)效(xiào)應(yīng)晶(jīng)體(tǐ)管（FET）等等(děng) 
 簡單IC器(qì)件——光學(xué)器(qì)件
，驅動(dòng)器(qì)
，開(kāi)關
，傳感(gǎn)器
 集成器(qì)件——小規(guī)模集(jí)成（SSI）和(hé)大規模集成(chéng)（LSI）
–模擬IC 
–射(shè)頻(pín)集成電(diàn)路(lù)（RFIC）
–集(jí)成電路（ASIC）
–片上係統（SoC）器件
 光電器件(jiàn)
，例如發(fā)光二(èr)極管（LED）
，激(jī)光二(èr)極管
，高(gāo)亮度(dù)LED（HBLED）
，垂(chuí)直腔麵(miàn)發射激(jī)光器（VCSEL）
，顯示器

 圓片級(jí)可(kě)靠(kào)性(xìng)
- NBTI
，TDDB
，HCI
，電遷(qiān)移
 太陽(yáng)能電池
 電池(chí)
暫態抑(yì)製器件
IC
，RFIC
，MMIC
激光(guāng)二極(jí)管
，激光二(èr)極管(guǎn)模(mó)塊
，LED
，光電檢測(cè)器
電(diàn)路(lù)保(bǎo)護(hù)器件(jiàn):
TVS
，MOV
，熔(róng)絲
安(ān)全(quán)氣(qì)囊
連接器(qì)
，開(kāi)關
，繼電器(qì)
碳(tàn)納(nà)米(mǐ)管
半導(dǎo)體納米(mǐ)綫
碳(tàn)納米管 FET
納米傳感(gǎn)器和陣(zhèn)列(liè)
單電(diàn)子(zǐ)晶(jīng)體管(guǎn)
分(fēn)子電(diàn)子
有機(jī)電子(zǐ)
基(jī)本(běn)運(yùn)放(fàng)電路
二(èr)極(jí)管和(hé)電(diàn)路
晶體管(guǎn)電路

測試(shì)：
漏(lòu)流
低壓
，電阻
LIV
IDDQ
I-V特(tè)征分(fēn)析
隔離與軌跡(jì)電阻(zǔ)
溫度係(xì)數(shù)
正向電壓
，反向擊穿
，漏電流
直(zhí)流(liú)參數(shù)測試(shì)
直流電源
HIPOT
介(jiè)質耐受性(xìng)

雙極結型(xíng)晶(jīng)體管(guǎn)設(shè)計(jì)
結型(xíng)場效(xiào)應晶體管設(shè)計(jì)
金屬(shǔ)氧化物(wù)半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)場(cháng)效應(yīng)晶(jīng)體(tǐ)管設(shè)計(jì)
太陽能電池(chí)和 LED 設計
高(gāo)電子(zǐ)遷(qiān)移率(shuài)晶(jīng)體管(guǎn)設(shè)計
復合(hé)半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)器件設計

分析(xī)納米材料和實(shí)驗器件(jiàn)
碳納(nà)米管(guǎn)的電(diàn)測量標(biāo)準
測量(liáng)碳納(nà)米(mǐ)管(guǎn)電(diàn)氣特性(xìng)
提高(gāo)納米電子和分(fēn)子電(diàn)子(zǐ)器件的低(dī)電(diàn)流(liú)測量
在低功(gōng)率和(hé)低(dī)壓應用(yòng)中實(shí)現準(zhǔn)確(què)
，可(kě)靠的電阻(zǔ)測(cè)量
納(nà)米級器(qì)件和材料(liào)的(dí)電(diàn)氣測(cè)量(liáng)
提(tí)高超(chāo)高電阻(zǔ)和電阻率(shuài)測(cè)量的可重復性(xìng)
一(yī)種(zhǒng)微(wēi)分(fēn)電導的(dí)改(gǎi)進測量方(fāng)法
納(nà)米技術(shù)準(zhǔn)確(què)電(diàn)氣測(cè)量的技術
納(nà)米級材料的電(diàn)氣(qì)測量
降低外(wài)部誤差(chà)源(yuán)影(yǐng)響(xiǎng)的(dí)儀器技術
迎(yíng)接65nm節(jié)點的測量(liáng)挑(tiāo)戰(zhàn)
測(cè)量半導體材料(liào)的(dí)高(gāo)電阻(zǔ)率(shuài)和霍爾電壓(yā)
用(yòng)微微微(wēi)安(ān)量(liáng)程測量(liáng)電(diàn)流(liú)
柵極(jí)電介質電(diàn)容電(diàn)壓(yā)特性分(fēn)析(xī)
評估氧(yǎng)化(huà)層的(dí)可靠(kào)性(xìng)

的(dí)半(bàn)導體器(qì)件(jiàn)結(jié)構(gòu)設計(jì)和(hé)試驗(yàn)低電阻(zǔ)
，低功耗半導(dǎo)體器
輸(shū)出(chū)極(jí)低電流(liú)和(hé)測量極(jí)低電(diàn)壓(yā)分析現代(dài)材料(liào)
，半(bàn)導體和(hé)納米電子元件的電(diàn)阻(zǔ)
低阻測量(liáng)(低至(zhì)10nΩ)分(fēn)析(xī)導通電(diàn)阻參數(shù)
，互連和(hé)低功率半導體。
用於*進CMOS技術的脈(mài)衝可靠性(xìng)測(cè)試
高(gāo)K柵極(jí)電(diàn)介質(zhì)電(diàn)荷俘(fú)獲(huò)行(háng)為的脈衝特(tè)性分析
用6綫歐姆(mǔ)測量(liáng)技術(shù)進行(háng)更(gēng)高準確度(dù)的(dí)電(diàn)阻(zǔ)測量(liáng)
配置分立電阻器驗證測(cè)試係(xì)統(tǒng)
電信(xìn)激光二(èr)極管(guǎn)模塊的高吞吐率直流生(shēng)產測(cè)試(shì)
多台數(shù)字(zì)源表的(dí)觸(chù)發(fā)器同步(bù)
高亮度
，可見(jiàn)光LED的生產測試
OLED顯示器(qì)的(dí)直流(liú)生產(chǎn)測試
在運行中(zhōng)第5次測量(liáng)用於(yú)偏置溫(wēn)度(dù)不穩定特(tè)性分(fēn)析
數字源(yuán)表(biǎo)的緩(huǎn)衝器(qì)以及(jí)如(rú)何用這兩個(gè)緩(huǎn)衝器獲取多達5000點(diǎn)數(shù)據(jù)
連(lián)接器的(dí)生產測(cè)試方案
射(shè)頻功率晶體管的(dí)直流(liú)電氣特性分析

1. MOS 電容器
C-V 曲(qū)綫 (高頻(pín)：100kHz)：
摻(chān)雜類(lèi)型 – 氧化(huà)層(céng)厚度(dù) – 平帶(dài)電壓 – 閾值(zhí)電壓 – 襯(chèn)底摻雜 – zui大(dà)耗盡層

寬(kuān)度 – 反(fǎn)型層到平衡的靈(líng)敏(mǐn)度：電壓掃描率(shuài)和方向(xiàng) – 光(guāng)效應(yīng)和(hé)溫度效應。
I-V 曲綫分析：
電荷建立 (測量(liáng)電(diàn)壓(yā) - 時間圖
，用低(dī)電流(liú)源(yuán))； 氧化(huà)層電(diàn)容(róng)測定(dìng)； 與 C-V 曲綫(xiàn)

比較。
C-V 曲綫 (準靜(jìng)態(tài)) 結合 C-V 曲綫：
表麵(miàn)電位 Ψs 與施加電壓的關係 – Si (100) 的(dí)表麵態(tài)密(mì)度 Dit = f (Ψs) 與(yǔ) 

Si (111) 的(dí)相比：方向和後處(chǔ)理退火的(dí)影響(xiǎng)。
C-V 曲綫 (高頻(pín)：100kHz)：
移(yí)動氧(yǎng)化(huà)層電荷密度(dù) (偏壓溫度(dù)應(yīng)力：200°C
，10 分(fēn)鐘(zhōng)
，±10V)
 
2. 雙(shuāng)極(jí)結型晶(jīng)體(tǐ)管
     主(zhǔ)題
   正(zhèng)向(xiàng)共發(fā)射極輸(shū)出特性(xìng)：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測(cè)量(liáng)。
   正向 CE 輸(shū)入(rù)特(tè)性(xìng)：Ib = f (Vbe) 對(duì)於幾(jī)個(gè) Vce 正(zhèng)值。
   正(zhèng)向 Gummel 曲(qū)綫： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
   確定增益(yì) βf = Ic/Ib 和 af。
   Βf 與(yǔ) log(Ic) 的(dí)關係： 低注入和(hé)高注入的效果。
   非理想(xiǎng)特(tè)性：爾利電(diàn)壓。
   反向 CE 輸出(chū)特性(xìng)： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
   反向 CE 傳輸特(tè)性(xìng)：Ib=f(Vbe) 對於幾(jī)個(gè)Vce負(fù)值。
   反向 Gummel 曲綫(xiàn)： logIe, logIb=f(Vbc>0).
   確(què)定(dìng)增(zēng)益(yì) βr = Ie/Ib 和(hé) ar。
   Βr 與 log(Ie) 的關(guān)係： 低(dī)注(zhù)入(rù)和(hé)高注入(rù)的效果。
   Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確(què)定(dìng)
，對於給(gěi)定(dìng)的 Ib 電流。
   Ebers Moll 模(mó)型構(gòu)建並且與實驗(yàn)做比較(jiào)。
   BE 和 CE 結(jié)的 C-V 特性分析(xī)。基區(qū)摻雜(zá)濃縮(suō)。
 
3. 亞微米(mǐ)集成 MOSFET
輸出特(tè)性(xìng)：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增(zēng)強或耗(hào)盡)
，溝(gōu)道長度調(tiáo)製參數(λ) 在飽(bǎo)和區(qū)域(yù) (VDS<–3V) 有效

溝道(dào)長(cháng)度與 VDS 的關(guān)係(xì)。
傳(chuán)輸特性(xìng)：
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS 

= –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the 

transconductance factor k.  
Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
襯底(dǐ)偏壓(yā)特性(xìng)： 
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region 

(VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
亞(yà)閾值特(tè)性(xìng)：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier 

Lowering (VT shift) effect.
襯底電流特(tè)性(xìng)：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection 

effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使用(yòng)長溝(gōu)道和(hé)短(duǎn)溝(gōu)道公式的(dí)輸出特性(xìng)模型：比(bǐ)較(jiào)實驗結果(guǒ)。

美國(guó)吉(jí)時利(lì)KEITHLEY萬用(yòng)表2001概述

    用(yòng)戶(hù)在(zài)實(shí)際(jì)應(yīng)用(yòng)中通(tōng)常需要(yào)具(jù)有(yǒu)較(jiào)高(gāo)分(fēn)辨率
，準(zhǔn)確度和靈敏度(dù)
，以及(jí)高產能的(dí)產品。現在(zài)有(yǒu)兩(liǎng)款(kuǎn)吸引(yǐn)力的數字多用表(biǎo)可(kě)供選(xuǎn)擇。吉時(shí)利推出的keithley2001型七位(wèi)半(bàn)和(hé)keithley2002型八(bā)位(wèi)半(bàn)高性能數字多(duō)用(yòng)表所(suǒ)具(jù)備(bèi)的(dí)性能指(zhǐ)標(biāo)通常隻能(néng)在(zài)那(nà)些(xiē)價格昂(áng)貴數千(qiān)倍的測(cè)量(liáng)儀器(qì)上才能(néng)獲得(dé)
，不(bù)僅如(rú)此(cǐ)
，它(tā)們(mén)的(dí)功(gōng)能(néng)比(bǐ)常規(guī)的(dí)數字多用表更加(jiā)豐富。
 
 keithley2001七位半吉(jí)時利數字多用(yòng)表特點
七位半 （2001型）或(huò)八(bā)位半(bàn) （2002型）分辨率(shuài)
高(gāo)速的多功能測量(liáng)性能(néng)
多種(zhǒng)內(nèi)置測(cè)量(liáng)功能(néng)
內置的10通道(dào)掃(sǎo)描器選(xuǎn)件(jiàn)
兼容IEEE－488.2和SCPI接口
2002型(xíng)具備HP3458A仿(fǎng)真(zhēn)模(mó)式(shì) 
 
美國吉(jí)時利KEITHLEY萬用(yòng)表2001主(zhǔ)要指(zhǐ)標

 標(biāo)配件(jiàn)

1751型(xíng)2綫通用(yòng)測試(shì)探(tàn)頭(tóu)（適用於175A
，197A
，2000
，2001
，2002
，2010
，2015
，2016） 

選購配件(jiàn)
槽(cáo)口蓋板
MEM1：32k存儲(chǔ)器
MEM2：128k存(cún)儲器(qì)
2000-SCAN：10通道通(tōng)用掃描卡(qiǎ)
2001-TCSCAN：9通道(dào)掃(sǎo)描卡(qiǎ)用(yòng)於(yú)冷端補(bǔ)償(cháng)的溫(wēn)度(dù)測量
，電壓(yā)
，電阻(zǔ)和(hé)/或(huò)頻(pín)率測(cè)量(liáng)
2001-SCAN型：10通道掃描(miáo)卡(qiǎ)
，帶8個(gè)繼電器(qì)輸(shū)入和(hé)2個固(gù)態(tài)輸入
 
keithley2001七(qī)位(wèi)半吉時利(lì)數(shù)字(zì)多(duō)用表(biǎo)配(pèi)套(tào)產品(pǐn)
7001
，7001型(xíng)80通道(dào)程(chéng)控開(kāi)關(guān)控(kòng)製器
7002
，7002型400通道(dào)程控開關控製器

keithley美(měi)國(guó)吉(jí)時(shí)利萬用表係(xì)列產品(pǐn)
keithley2000-20型六(liù)位(wèi)半數字多(duō)用(yòng)表（帶20通(tōng)道掃(sǎo)描卡）
keithley2000/2000-SCAN型(xíng)
，2000型(xíng)六(liù)位半數字(zì)多(duō)用表(biǎo)（帶2000-SCAN型(xíng)10通道掃描卡(qiǎ)）
keithley2001型高性能七位半數(shù)字多用表(biǎo)
，帶(dài)8k存(cún)儲(chǔ)器
keithley2010型(xíng)七位半(bàn)低(dī)噪聲(shēng)自(zì)動變(biàn)量(liáng)程(chéng)數字多(duō)用表
keithley2700型(xíng)數(shù)字多(duō)用表(biǎo)
，數據(jù)采集
，數據(jù)記錄係(xì)統(tǒng)
，帶2個插槽(cáo)
keithley2750型(xíng)數字(zì)多用表(biǎo)/數據(jù)采(cǎi)集/開關(guān)/數(shù)據記錄(lù)係統(tǒng)
keithley2002/ MEM1型(xíng)高性(xìng)能(néng)八位(wèi)半(bàn)數字多(duō)用表（帶(dài)32k內存(cún)）
keithley2002/ MEM2型高性(xìng)能八(bā)位(wèi)半數字多用(yòng)表(biǎo)（帶128k內存）