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產(chǎn)品特性Product characteristics

中(zhōng)國電子行(háng)業儀(yí)器優質供應商——堅(jiān)融實業JETYOO INDUSTRIAL，Support，銷(xiāo)售(shòu)Sale，服務Service，3S公司(sī)，提(tí)供(gōng)專業的解(jiě)決(jué)方案(àn)，測(cè)試測(cè)量技(jì)術(shù)改(gǎi)進(jìn)，技術培訓(xùn)，采(cǎi)購管理(lǐ)，售後維(wéi)修服務。

美(měi)國吉(jí)時利KEITHLEY萬用(yòng)表(biǎo)2000，2001,2002,2010，2100,2110應(yīng)用領(lǐng)域(yù)：
 離散(sàn)和無(wú)源元件 
–兩(liǎng)抽(chōu)頭器(qì)件(jiàn)——傳感器(qì)，磁盤(pán)驅動器頭，金屬氧化物可(kě)變電(diàn)阻（MOV），二(èr)極管(guǎn)，齊(qí)納二極(jí)管(guǎn)，電(diàn)容(róng)，熱(rè)敏電(diàn)阻
–三抽(chōu)頭器件(jiàn)——小信號雙極結型晶體管（BJT），場效應(yīng)晶體管(guǎn)（FET）等(děng)等(děng) 
 簡單IC器件——光學(xué)器件，驅動器，開(kāi)關(guān)，傳感器
 集成(chéng)器(qì)件——小(xiǎo)規(guī)模集成(chéng)（SSI）和(hé)大(dà)規(guī)模集成（LSI）
–模(mó)擬IC 
–射頻集成電路(lù)（RFIC）
–集成(chéng)電(diàn)路（ASIC）
–片上(shàng)係統（SoC）器件
 光電器(qì)件(jiàn)，例如(rú)發光二極管(guǎn)（LED），激光(guāng)二極(jí)管，高亮度(dù)LED（HBLED），垂直(zhí)腔(qiāng)麵(miàn)發(fā)射(shè)激光器(qì)（VCSEL），顯(xiǎn)示器
 圓片(piàn)級可(kě)靠(kào)性(xìng)
- NBTI，TDDB，HCI，電遷(qiān)移
 太陽能(néng)電池
 電池
暫(zàn)態抑製(zhì)器(qì)件
IC，RFIC，MMIC
激(jī)光二(èr)極(jí)管，激光(guāng)二(èr)極管模(mó)塊(kuài)，LED，光(guāng)電檢測器
電(diàn)路保護(hù)器(qì)件:
TVS，MOV，熔(róng)絲
安(ān)全氣(qì)囊(náng)
連接器，開(kāi)關，繼(jì)電器(qì)
碳(tàn)納(nà)米管
半(bàn)導體納米綫(xiàn)
碳(tàn)納米管 FET
納米傳感器(qì)和陣(zhèn)列
單電子(zǐ)晶(jīng)體管(guǎn)
分子電(diàn)子
有機(jī)電子(zǐ)
基本運(yùn)放電(diàn)路
二極管(guǎn)和(hé)電路(lù)
晶體(tǐ)管電路

測試(shì)：
漏流
低壓，電阻(zǔ)
LIV
IDDQ
I-V特征分(fēn)析
隔離與軌(guǐ)跡電阻
溫(wēn)度係(xì)數(shù)
正向電壓(yā)，反向擊穿，漏電(diàn)流(liú)
直流參(cān)數(shù)測(cè)試
直流(liú)電源
HIPOT
介(jiè)質(zhì)耐受(shòu)性

雙(shuāng)極(jí)結型(xíng)晶(jīng)體管(guǎn)設計
結型場(cháng)效應(yīng)晶體管(guǎn)設(shè)計(jì)
金(jīn)屬(shǔ)氧化物半(bàn)導體(tǐ)場效應(yīng)晶(jīng)體管設(shè)計
太陽(yáng)能(néng)電池和 LED 設計(jì)
高(gāo)電子(zǐ)遷移率(shuài)晶體管(guǎn)設計(jì)
復合(hé)半導體器(qì)件(jiàn)設計(jì)

分(fēn)析納(nà)米(mǐ)材(cái)料(liào)和實驗(yàn)器件
碳(tàn)納(nà)米(mǐ)管的電測量標準(zhǔn)
測量碳(tàn)納(nà)米(mǐ)管電氣特性(xìng)
提高納米電子和分子(zǐ)電子(zǐ)器件(jiàn)的低電流測量(liáng)
在(zài)低功率和低(dī)壓應用(yòng)中(zhōng)實現準(zhǔn)確(què)，可(kě)靠(kào)的電(diàn)阻(zǔ)測(cè)量(liáng)
納米級器件和(hé)材(cái)料的電(diàn)氣(qì)測(cè)量
提高超高電阻和電(diàn)阻率(shuài)測量的可重(zhòng)復(fù)性(xìng)
一(yī)種微分電(diàn)導的(dí)改(gǎi)進(jìn)測量(liáng)方法
納(nà)米技術(shù)準(zhǔn)確(què)電氣測(cè)量的(dí)技(jì)術(shù)
納(nà)米(mǐ)級材料的電氣測量
降低外部(bù)誤(wù)差源影(yǐng)響(xiǎng)的(dí)儀器技術
迎接65nm節點的(dí)測(cè)量挑戰
測(cè)量半導(dǎo)體材料(liào)的(dí)高電阻率(shuài)和霍(huò)爾電(diàn)壓
用微(wēi)微微(wēi)安(ān)量(liáng)程測(cè)量電流
柵極電介(jiè)質電容(róng)電(diàn)壓特(tè)性分(fēn)析(xī)
評(píng)估(gū)氧化層(céng)的(dí)可靠(kào)性

的(dí)半導體器件結(jié)構設計和(hé)試驗低電阻，低功(gōng)耗(hào)半導體器(qì)
輸出極低(dī)電流(liú)和測量(liáng)極低(dī)電壓分析(xī)現(xiàn)代(dài)材料(liào)，半(bàn)導體(tǐ)和納(nà)米電子(zǐ)元(yuán)件(jiàn)的電阻
低阻(zǔ)測(cè)量(低(dī)至10nΩ)分(fēn)析(xī)導通電阻(zǔ)參數(shù)，互連和低功率半導(dǎo)體(tǐ)。
用於(yú)*進CMOS技術(shù)的脈(mài)衝可靠性(xìng)測試
高(gāo)K柵極電介(jiè)質(zhì)電荷俘(fú)獲行為的(dí)脈(mài)衝(chōng)特性分析
用(yòng)6綫歐姆(mǔ)測量(liáng)技(jì)術(shù)進(jìn)行更高準(zhǔn)確(què)度(dù)的電(diàn)阻測量
配(pèi)置分立電(diàn)阻器(qì)驗證測試係統
電信激光二極(jí)管(guǎn)模(mó)塊的高(gāo)吞吐(tǔ)率直流(liú)生產測(cè)試(shì)
多(duō)台數字(zì)源(yuán)表(biǎo)的觸發(fā)器同步(bù)
高(gāo)亮(liàng)度，可(kě)見(jiàn)光(guāng)LED的生(shēng)產測試(shì)
OLED顯(xiǎn)示器的直流(liú)生產測試(shì)
在(zài)運行中(zhōng)第(dì)5次(cì)測(cè)量用於偏(piān)置溫(wēn)度(dù)不(bù)穩定特(tè)性分析
數字(zì)源表的(dí)緩衝(chōng)器(qì)以及(jí)如何用這兩(liǎng)個緩(huǎn)衝器獲取(qǔ)多(duō)達5000點(diǎn)數據(jù)
連(lián)接(jiē)器(qì)的(dí)生產測試(shì)方案
射頻(pín)功率晶(jīng)體管(guǎn)的直(zhí)流(liú)電(diàn)氣特(tè)性分析(xī)

1. MOS 電(diàn)容器(qì)
C-V 曲綫(xiàn) (高頻：100kHz)：
摻雜類(lèi)型 – 氧(yǎng)化層(céng)厚(hòu)度 – 平帶(dài)電(diàn)壓 – 閾值電壓 – 襯(chèn)底(dǐ)摻(chān)雜(zá) – zui大耗(hào)盡層(céng)

寬度 – 反型層到(dào)平衡的(dí)靈敏度：電壓掃(sǎo)描(miáo)率和方向(xiàng) – 光(guāng)效應和(hé)溫度效(xiào)應。
I-V 曲綫分析(xī)：
電荷建(jiàn)立(lì) (測量(liáng)電(diàn)壓 - 時間圖(tú)，用低電(diàn)流源(yuán))
； 氧化層電(diàn)容測定
； 與 C-V 曲綫

比(bǐ)較(jiào)。
C-V 曲綫 (準(zhǔn)靜(jìng)態(tài)) 結(jié)合(hé) C-V 曲綫(xiàn)：
表麵(miàn)電位 Ψs 與(yǔ)施加(jiā)電(diàn)壓(yā)的關(guān)係 – Si (100) 的表麵態(tài)密(mì)度 Dit = f (Ψs) 與 

Si (111) 的相比：方(fāng)向和後(hòu)處(chǔ)理退(tuì)火(huǒ)的影(yǐng)響。
C-V 曲綫 (高(gāo)頻：100kHz)：
移動氧化(huà)層電荷密(mì)度 (偏(piān)壓溫度應力(lì)：200°C，10 分鐘，±10V)
 
2. 雙(shuāng)極結(jié)型晶(jīng)體管
     主(zhǔ)題
   正向(xiàng)共(gòng)發射極輸(shū)出(chū)特性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測(cè)量。
   正向(xiàng) CE 輸入(rù)特(tè)性：Ib = f (Vbe) 對於(yú)幾個 Vce 正值。
   正向(xiàng) Gummel 曲綫： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
   確(què)定增益 βf = Ic/Ib 和 af。
   Βf 與 log(Ic) 的關(guān)係(xì)： 低(dī)注入(rù)和高注入的效(xiào)果(guǒ)。
   非理(lǐ)想(xiǎng)特(tè)性：爾(ěr)利電壓。
   反向(xiàng) CE 輸出(chū)特(tè)性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
   反向(xiàng) CE 傳(chuán)輸特(tè)性(xìng)：Ib=f(Vbe) 對於(yú)幾(jī)個Vce負(fù)值。
   反向 Gummel 曲(qū)綫(xiàn)： logIe, logIb=f(Vbc>0).
   確(què)定(dìng)增益 βr = Ie/Ib 和 ar。
   Βr 與(yǔ) log(Ie) 的(dí)關係： 低注入和高注(zhù)入(rù)的效果(guǒ)。
   Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定，對(duì)於給定的 Ib 電流。
   Ebers Moll 模(mó)型構建(jiàn)並且與(yǔ)實(shí)驗(yàn)做(zuò)比較。
   BE 和 CE 結(jié)的(dí) C-V 特性分(fēn)析。基區摻雜(zá)濃(nóng)縮。
 
3. 亞(yà)微米(mǐ)集(jí)成(chéng) MOSFET
輸(shū)出(chū)特(tè)性：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增(zēng)強或耗盡)，溝道長度(dù)調製參數(λ) 在飽和區(qū)域 (VDS<–3V) 有效(xiào)

溝(gōu)道長度與(yǔ) VDS 的關(guān)係(xì)。
傳輸(shū)特性：
襯(chèn)底(dǐ)偏(piān)壓特(tè)性(xìng)： 
亞閾(yù)值特性：
襯(chèn)底電流(liú)特性：
使(shǐ)用(yòng)長溝道和短(duǎn)溝(gōu)道公式的輸出(chū)特性模(mó)型(xíng)：比(bǐ)較實驗結果(guǒ)。

吉時(shí)利(lì)高性能DMM係(xì)列(liè)的產(chǎn)品。它的(dí)高精度（38ppm）和六位半的分辨率特(tè)性，使(shǐ)之成(chéng)為通用(yòng)測量(liáng)的(dí)理想選擇。

    美(měi)國吉(jí)時(shí)利KEITHLEY2100具(jù)有11種(zhǒng)測(cè)量功能和8種(zhǒng)數學(xué)計算(suàn)功能，能夠輕鬆實現zui常用參數的(dí)測(cè)量(liáng)。憑借(jiè)其精度(dù)高(gāo)，成(chéng)本(běn)低(dī)的綜(zōng)合優勢，非(fēi)常適合於研發(fā)工(gōng)程(chéng)師，測試工程師，科研(yán)人員(yuán)以(yǐ)及學生在(zài)試驗(yàn)台或係(xì)統應用(yòng)中(zhōng)進行(háng)精準測量。
 
keithley2100美(měi)國(guó)吉(jí)時利KEITHLEY萬用表(biǎo)特(tè)點(diǎn)
用(yòng)於通用(yòng)測量(liáng)需(xū)求(qiú)的高(gāo)精度六位半(bàn)數(shù)字萬(wàn)用表，價(jià)格僅(jǐn)相當於五位半的(dí)同類產品
11種測(cè)量功(gōng)能，涵蓋zui常用的測(cè)量(liáng)參數
所(suǒ)有(yǒu)測試功能的精度(dù)滿(mǎn)足ISO的(dí)技術標(biāo)準
USB 2.0接(jiē)口兼(jiān)容TMC，支(zhī)持SCPI測(cè)試(shì)命(mìng)令(líng)
隨機配置(zhì) KI-Tool軟(ruǎn)件和Microsoft Word和Excel中(zhōng)的嵌入式軟(ruǎn)件工(gōng)具
結實耐(nài)用的結(jié)構(gòu)可適(shì)用於試驗(yàn)台與便攜(xié)式應用
前(qián)，後(hòu)麵(miàn)板(bǎn)輸(shū)入(rù)可選(xuǎn)，便於(yú)試驗台(tái)或(huò)機架式應(yīng)用
包(bāo)括啟動(dòng)軟件，USB連(lián)接(jiē)綫，電源綫，安(ān)全測試(shì)探頭(tóu)在(zài)內的全(quán)套(tào)附件，zui大限度(dù)地(dì)為用(yòng)戶節約(yuē)成(chéng)本
兼容CE 

keithley2100主(zhǔ)要指(zhǐ)標
 

美(měi)國(guó)吉時利(lì)KEITHLEY2100六(liù)位半USB數字多用(yòng)表(biǎo)可選(xuǎn)配(pèi)件(jiàn)

美(měi)國吉(jí)時(shí)利KEITHLEY4299-3型(xíng)單機(jī)通(tōng)用機架安裝套件

美(měi)國吉時利KEITHLEY4299-4型雙(shuāng)機(jī)通用機架安裝套(tào)件

美(měi)國吉時(shí)利KEITHLEY8605型高性(xìng)能(néng)模(mó)塊化測(cè)試(shì)綫，長度(dù)為(wéi)0.9米（3 ft），（適用於美國吉(jí)時(shí)利KEITHLEY2000，2001，2002，2010，2400係列）

美(měi)國吉(jí)時利(lì)KEITHLEY8606型(xíng)高(gāo)性(xìng)能(néng)模(mó)塊化探(tàn)頭套件（適(shì)用(yòng)於美(měi)國(guó)吉時利(lì)KEITHLEY2000，2001，2002，2010，2400係(xì)列(liè)）

美(měi)國(guó)吉時利(lì)KEITHLEY5808型低成(chéng)本(běn)單探針，Kelvin探頭(tóu)

係列產品

美(měi)國(guó)吉(jí)時利KEITHLEY2000型六位(wèi)半(bàn)數字(zì)多用(yòng)表

美(měi)國吉(jí)時利KEITHLEY2001型高性能(néng)七位半數(shù)字(zì)多用(yòng)表，帶8k存(cún)儲器

美(měi)國吉(jí)時(shí)利KEITHLEY2002型高(gāo)性能八(bā)位(wèi)半(bàn)數字(zì)多(duō)用(yòng)表，帶8k存(cún)儲器

美國吉(jí)時利KEITHLEY2010型七(qī)位(wèi)半低噪聲自動變量(liáng)程數(shù)字(zì)多用(yòng)表