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產(chǎn)品特性Product characteristics

專(zhuān)業儀(yí)器設備(bèi)與測試方案(àn)供(gōng)應(yīng)商——上(shàng)海(hǎi)堅(jiān)融實(shí)業有限(xiàn)公(gōng)司(sī)JETYOO INDUSTRIAL & 堅(jiān)友(yǒu)（上海）測(cè)量儀器(qì)有限公司(sī)JETYOO INSTRUMENTS，為(wéi)原(yuán)安捷倫Agilent【現是德KEYSIGHT】品(pǐn)牌(pái)技術經理-堅(jiān)JET與吉時利(lì)KEITHLEY【現泰克Tektronix】品(pǐn)牌(pái)產(chǎn)品經理-融YOO於2011年共同創辦，專(zhuān)注工業(yè)測(cè)試領域十六年，誌在破舊(jiù)立(lì)新(xīn)
！*進口(kǒu)儀器(qì)設(shè)備(bèi)大多(duō)數(shù)廠家(jiā)僅(jǐn)在國(guó)內(nèi)設銷(xiāo)售(shòu)點，但(dàn)技術支(zhī)持薄弱甚(shèn)至(zhì)沒有(yǒu)，而(ér)代理(lǐ)經(jīng)銷商也(yě)隻做(zuò)商(shāng)務(wù)，不做售(shòu)前技術(shù)支持/測(cè)試方(fāng)案和售後(hòu)使(shǐ)用(yòng)培訓/維修(xiū)校(xiào)準的空白(bái)。我們的(dí)技術(shù)型(xíng)銷(xiāo)售均(jūn)為本科以(yǐ)上學歷(lì)，且均有10年以上測(cè)試行業經(jīng)驗，以我(wǒ)們(mén)*進*的經營理念(niàn)，與客戶互惠(huì)互利(lì)合(hé)作(zuò)雙贏(yíng)，重(zhòng)在協助(zhù)用戶(hù)采(cǎi)購(gòu)與技(jì)術工程師的(dí)工作(zuò)，提供較有(yǒu)競(jìng)爭(zhēng)力的供應鏈管(guǎn)理(lǐ)與(yǔ)售前(qián)售(shòu)後(hòu)技(jì)術支持。堅融實業(yè)——一家(jiā)致力於為祖(zǔ)國(guó)用戶提供美(měi)國吉時利(lì)KEITHLEY2651A數字源表(biǎo)儀器設備，測(cè)試(shì)方案，技術(shù)培(péi)訓(xùn)，維修(xiū)計量(liáng)全(quán)麵(miàn)服務(wù)的(dí)儀(yí)器設備綜(zōng)合服務商(shāng)。

吉時(shí)利KEITHLEY2600B係列源表研(yán)究領(lǐng)域：
各種(zhǒng)器(qì)件(jiàn)的(dí)I-V功(gōng)能(néng)測試和特(tè)征分析(xī)，包(bāo)括：
離散和無(wú)源元件
–兩(liǎng)抽(chōu)頭(tóu)器件——傳感器(qì)，磁盤驅動器(qì)頭，金屬(shǔ)氧(yǎng)化物可變(biàn)電(diàn)阻（MOV），二極管，齊納二(èr)極(jí)管(guǎn)，電容(róng)，熱(rè)敏電(diàn)阻(zǔ)
–三抽(chōu)頭(tóu)器(qì)件——小(xiǎo)信(xìn)號雙極結(jié)型晶(jīng)體管（BJT），場效應晶(jīng)體管（FET）等等
簡(jiǎn)單IC器(qì)件——光(guāng)學器件(jiàn)，驅動器，開(kāi)關(guān)，傳感器
集成器(qì)件——小規模集成(chéng)（SSI）和(hé)大規(guī)模(mó)集(jí)成（LSI）
–模擬(nǐ)IC
–射頻集成電(diàn)路（RFIC）
–集(jí)成電(diàn)路（ASIC）
–片(piàn)上(shàng)係統(tǒng)（SoC）器件(jiàn)
光電(diàn)器件(jiàn)，例(lì)如發光二(èr)極管(guǎn)（LED），激(jī)光二極(jí)管(guǎn)，高亮度LED（HBLED），垂直腔麵(miàn)發射激(jī)光(guāng)器（VCSEL），顯示(shì)器
圓片級(jí)可靠性
- NBTI，TDDB，HCI，電遷移
太陽(yáng)能(néng)電(diàn)池
電池
暫(zàn)態抑製器件
IC，RFIC，MMIC
激(jī)光二(èr)極管，激光(guāng)二極管模塊(kuài)，LED，光(guāng)電(diàn)檢(jiǎn)測器(qì)
電(diàn)路(lù)保護(hù)器件(jiàn):
TVS，MOV，熔(róng)絲
安(ān)全氣(qì)囊(náng)
連接器，開(kāi)關，繼電(diàn)器(qì)
碳(tàn)納米管(guǎn)
半導體(tǐ)納(nà)米綫
碳(tàn)納米(mǐ)管 FET
納米傳感器和(hé)陣列(liè)
單電子(zǐ)晶體管(guǎn)
分子電子(zǐ)
有(yǒu)機電子
基(jī)本(běn)運放電路
二(èr)極管(guǎn)和電(diàn)路(lù)
晶體管電(diàn)路

測試：
漏(lòu)流(liú)
低壓(yā)，電阻
LIV
IDDQ
I-V特征(zhēng)分析
隔(gé)離(lí)與軌跡電阻
溫度係數(shù)
正向(xiàng)電壓，反向擊穿，漏(lòu)電(diàn)流
直流(liú)參數測試(shì)
直流電源
HIPOT
介質耐(nài)受性(xìng)

雙極結型(xíng)晶體(tǐ)管設計
結型(xíng)場(cháng)效(xiào)應(yīng)晶體(tǐ)管(guǎn)設計(jì)
金屬氧化(huà)物半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)場效應晶(jīng)體(tǐ)管設計
太陽(yáng)能電池(chí)和(hé) LED 設計
高(gāo)電(diàn)子遷移率晶體(tǐ)管設計
復(fù)合半導體(tǐ)器件設計(jì)

分析(xī)納(nà)米材料(liào)和實驗器(qì)件
碳納(nà)米(mǐ)管的(dí)電(diàn)測量標(biāo)準(zhǔn)
測量(liáng)碳納(nà)米管電(diàn)氣特性(xìng)
提高納米(mǐ)電(diàn)子(zǐ)和(hé)分子電(diàn)子器件(jiàn)的低電流測量(liáng)
在(zài)低功(gōng)率和低壓應用中(zhōng)實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確，可(kě)靠(kào)的電阻(zǔ)測量
納米級器(qì)件和材料(liào)的電(diàn)氣測(cè)量(liáng)
提(tí)高超高電阻(zǔ)和電阻率(shuài)測(cè)量(liáng)的可(kě)重(zhòng)復(fù)性
一(yī)種微分電(diàn)導的改進(jìn)測量方法(fǎ)
納(nà)米(mǐ)技(jì)術準確(què)電氣(qì)測量(liáng)的技術(shù)
納(nà)米級材料的(dí)電(diàn)氣(qì)測(cè)量
降(jiàng)低外部(bù)誤差源影響的儀器(qì)技術
迎(yíng)接65nm節點的測量挑戰(zhàn)
測量(liáng)半(bàn)導體(tǐ)材(cái)料(liào)的高(gāo)電阻率和霍爾(ěr)電(diàn)壓
用(yòng)微微微(wēi)安量程測量電流
柵(zhà)極(jí)電介質(zhì)電(diàn)容電(diàn)壓特(tè)性分析
評(píng)估(gū)氧(yǎng)化層的可靠性

的半導(dǎo)體(tǐ)器(qì)件(jiàn)結構(gòu)設(shè)計(jì)和試(shì)驗低(dī)電(diàn)阻，低功耗半(bàn)導體(tǐ)器
輸出極(jí)低電流(liú)和(hé)測(cè)量極低電壓(yā)分析(xī)現(xiàn)代材料，半(bàn)導(dǎo)體和納米電子(zǐ)元(yuán)件(jiàn)的(dí)電阻
低阻測量(liáng)(低(dī)至(zhì)10nΩ)分析(xī)導通電阻(zǔ)參數(shù)，互連(lián)和(hé)低(dī)功(gōng)率半(bàn)導體。
用(yòng)於*進(jìn)CMOS技術的(dí)脈(mài)衝(chōng)可靠(kào)性(xìng)測(cè)試(shì)
高(gāo)K柵極電介(jiè)質(zhì)電荷俘(fú)獲(huò)行(háng)為的(dí)脈衝(chōng)特(tè)性(xìng)分析(xī)
用6綫(xiàn)歐姆測(cè)量(liáng)技術進行更高準(zhǔn)確度的(dí)電(diàn)阻(zǔ)測(cè)量
配(pèi)置分立(lì)電(diàn)阻器驗(yàn)證測(cè)試係(xì)統(tǒng)
電信激(jī)光二(èr)極管模塊的高(gāo)吞(tūn)吐(tǔ)率直流(liú)生(shēng)產(chǎn)測(cè)試(shì)
多台(tái)數字源(yuán)表(biǎo)的觸發(fā)器同(tóng)步(bù)
高(gāo)亮度(dù)，可(kě)見光LED的(dí)生(shēng)產(chǎn)測(cè)試
OLED顯示器(qì)的直(zhí)流生產測試
在(zài)運(yùn)行中(zhōng)第5次(cì)測(cè)量用於偏置(zhì)溫(wēn)度不穩(wěn)定特(tè)性分析(xī)
數字(zì)源表的緩衝(chōng)器以及如何用這兩(liǎng)個緩(huǎn)衝器(qì)獲取(qǔ)多(duō)達5000點數據(jù)
連接(jiē)器的生(shēng)產(chǎn)測(cè)試方(fāng)案
射(shè)頻功率晶體管(guǎn)的直流電氣特性分析

1. MOS 電(diàn)容器
C-V 曲(qū)綫(xiàn) (高頻(pín)：100kHz)：
摻雜(zá)類(lèi)型 – 氧化層(céng)厚(hòu)度(dù) – 平(píng)帶(dài)電壓(yā) – 閾(yù)值電壓 – 襯(chèn)底(dǐ)摻雜 – zui大耗盡層寬度(dù) – 反型(xíng)層到(dào)平(píng)衡(héng)的靈敏度(dù)：電(diàn)壓掃描率和(hé)方向 – 光(guāng)效應和溫度(dù)效(xiào)應(yīng)。
I-V 曲綫分(fēn)析：
電(diàn)荷建立 (測量電壓 - 時(shí)間(jiān)圖，用(yòng)低電流源(yuán))； 氧化層電容測(cè)定； 與(yǔ) C-V 曲(qū)綫比較。
C-V 曲綫(xiàn) (準靜(jìng)態(tài)) 結合 C-V 曲綫(xiàn)：
表麵(miàn)電(diàn)位 Ψs 與施加電(diàn)壓的關(guān)係(xì) – Si (100) 的表(biǎo)麵(miàn)態(tài)密度(dù) Dit = f (Ψs) 與(yǔ) Si (111) 的(dí)相(xiāng)比：方(fāng)向和(hé)後(hòu)處理(lǐ)退(tuì)火的(dí)影響。
C-V 曲綫 (高頻：100kHz)：
移(yí)動(dòng)氧(yǎng)化層電荷密(mì)度 (偏(piān)壓溫(wēn)度應(yīng)力：200°C，10 分(fēn)鐘(zhōng)，±10V)

2. 雙(shuāng)極結型晶體管
    主題
  正(zhèng)向(xiàng)共發射(shè)極(jí)輸出特(tè)性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測量(liáng)。
  正(zhèng)向(xiàng) CE 輸(shū)入特(tè)性：Ib = f (Vbe) 對(duì)於(yú)幾個 Vce 正(zhèng)值(zhí)。
  正向 Gummel 曲綫： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
  確定(dìng)增(zēng)益 βf = Ic/Ib 和(hé) af。
  Βf 與(yǔ) log(Ic) 的(dí)關係： 低注(zhù)入(rù)和(hé)高(gāo)注入(rù)的效果(guǒ)。
  非理想特性(xìng)：爾利(lì)電壓(yā)。
  反向 CE 輸(shū)出特性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
反向(xiàng) CE 傳(chuán)輸特性：Ib=f(Vbe) 對(duì)於幾個Vce負值。
  反(fǎn)向 Gummel 曲綫： logIe, logIb=f(Vbc>0).
  確(què)定增益(yì) βr = Ie/Ib 和 ar。
  Βr 與 log(Ie) 的(dí)關(guān)係： 低(dī)注入(rù)和(hé)高(gāo)注入(rù)的效果。
  Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定(dìng)，對於給定的(dí) Ib 電流(liú)。
  Ebers Moll 模型構(gòu)建並且與(yǔ)實驗(yàn)做比較(jiào)。
  BE 和 CE 結的(dí) C-V 特性分(fēn)析(xī)。基(jī)區(qū)摻(chān)雜濃縮。

3. 亞(yà)微(wēi)米(mǐ)集(jí)成 MOSFET
輸(shū)出特性：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增(zēng)強或耗盡(jìn))，溝(gōu)道(dào)長(cháng)度調(tiáo)製參數(λ) 在飽和(hé)區域(yù) (VDS<–3V) 有效溝(gōu)道(dào)長度與 VDS 的(dí)關係(xì)。
傳(chuán)輸(shū)特(tè)性(xìng)：
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k.  
Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
襯底偏(piān)壓特性(xìng)：
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
亞閾(yù)值特(tè)性(xìng)：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.
襯(chèn)底(dǐ)電(diàn)流(liú)特性：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使用長(cháng)溝(gōu)道和短(duǎn)溝道公(gōng)式的輸出特性(xìng)模型(xíng)：比(bǐ)較實(shí)驗結(jié)果。

美(měi)國吉時利KEITHLEY2600數字源表(biǎo)進行(háng)VCSEL測(cè)試(shì)
美(měi)國(guó)吉(jí)時利KEITHLEY2600測量(liáng)光(guāng)伏電池的(dí)I-V特(tè)性(xìng)
美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2400係(xì)列數字源表的SCPI應(yīng)用轉(zhuǎn)換(huàn)為2600係列源(yuán)表(biǎo)的(dí)腳(jiǎo)本應(yīng)用
美國吉時(shí)利KEITHLEY2600係(xì)列數字(zì)源(yuán)表進行(háng)IDDQ測試(shì)和待(dài)機電流測試
使(shǐ)用兩(liǎng)台美(měi)國(guó)吉(jí)時(shí)利KEITHLEY2600型(xíng)數字(zì)源表(biǎo)輸出2A電(diàn)流(liú)
美國吉時利(lì)KEITHLEY2600或(huò)其(qí)它(tā)非脈衝(chōng)模式源表產生電流 (或電壓(yā)) 脈衝(chōng)
美(měi)國吉時(shí)利(lì)KEITHLEY2600係(xì)列(liè)數字源表(biǎo)提升(shēng)多引腳(jiǎo)器(qì)件的生(shēng)產量
美(měi)國吉時(shí)利(lì)KEITHLEY2602數(shù)字(zì)源(yuán)表創(chuàng)建可(kě)擴(kuò)縮，多引腳，多功能(néng)IC測(cè)試(shì)係(xì)統(tǒng)
美(měi)國(guó)吉時利(lì)KEITHLEY2602數字源表對激(jī)光二(èr)極(jí)管模塊(kuài)和(hé)VCSEL進行高吞吐率直流(liú)生(shēng)產測試(shì)
美國吉(jí)時(shí)利(lì)KEITHLEY2600係列數字源(yuán)表(biǎo)進(jìn)行二(èr)極(jí)管生產(chǎn)測試
美國(guó)吉(jí)時(shí)利(lì)KEITHLEY2600係列數(shù)字源表進(jìn)行(háng)高亮度，可見(jiàn)光LED的(dí)生產測試
美(měi)國吉時(shí)利KEITHLEY2600係列(liè)數字源表(biǎo)進行IDDQ測試和待機電(diàn)流測(cè)試
美國(guó)吉(jí)時(shí)利KEITHLEY2600 數字源(yuán)表驗證變(biàn)阻(zǔ)器
美(měi)國吉(jí)時利KEITHLEY2600係列源表進行(háng)電池放(fàng)電/充(chōng)電(diàn)周(zhōu)期(qī)
美國吉(jí)時利KEITHLEY2600配置電(diàn)阻網絡的(dí)生(shēng)產測(cè)試係(xì)統
美國(guó)吉(jí)時利(lì)KEITHLEY2651 2kW 脈衝源表(biǎo)進行大電流變阻(zǔ)器的生(shēng)產測試
美(měi)國吉(jí)時利(lì)KEITHLEY2600數(shù)字源表進(jìn)行熱敏電阻的生產(chǎn)測試(shì)

美國吉時(shí)利KEITHLEY2651A數字(zì)源表(biǎo)概(gài)述
2651A型(xíng)高功率(shuài)係(xì)統數字(zì)源表儀器(qì)的脈衝功(gōng)率2000W，200W直流電源，PA和(hé)UV分(fēn)辨(biàn)率高(gāo)達50A @40V

型號2657A是一種高電壓，高(gāo)功率，低電流(liú)源測(cè)量(liáng)單(dān)元(yuán)（SMU）儀(yí)器，可(kě)提(tí)供*的(dí)力(lì)量(liáng)，精(jīng)度，速度，靈活(huó)性和易(yì)於使用(yòng)在R＆D，生產測試(shì)，以(yǐ)提(tí)高(gāo)生產力(lì)和可(kě)靠性的環(huán)境。型號(hào)2657A是(shì)專(zhuān)為表征(zhēng)和(hé)測試高電(diàn)壓電子(zǐ)和功率(shuài)半導體(tǐ)器件，如二極(jí)管，場效應(yīng)晶(jīng)體管和IGBT，以及其(qí)他組(zǔ)件和材料中，需要高電壓(yā)，響應速(sù)度(dù)快(kuài)，和精確的測(cè)量(liáng)的(dí)電(diàn)壓和(hé)電流(liú)的。型號2657A加(jiā)入吉時利2600A係列的(dí)功率半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)器(qì)件表(biǎo)征和(hé)測試解決(jué)方案(àn)係(xì)列(liè)，提供(gōng)zui高的功率和低(dī)電流性能(néng)在業界。這些自定義配(pèi)置的(dí)解決方(fāng)案(àn)支(zhī)持業(yè)界zui*的參數(shù)化特征(zhēng)的軟件(jiàn)平台，與(yǔ)您(nín)共同(tóng)成長，為(wéi)您(nín)的應用(yòng)程序的(dí)發展。

型號2657A一樣(yàng)，每個2600A係列(liè)數字源表儀器，提供(gōng)了(liǎo)一(yī)個(gè)具(jù)有高度靈活(huó)性，四(sì)象(xiàng)限電(diàn)壓和電(diàn)流源/負載(zǎi)，再加上(shàng)精密電壓(yā)和(hé)電流(liú)表。它可以被用來(lái)作(zuò)為(wéi)
半導(dǎo)體(tǐ)特性分(fēn)析儀(yí)
 V或(huò)I波(bō)形(xíng)發(fā)生(shēng)器
 V或電流脈(mài)衝(chōng)發生器
精(jīng)密(mì)電源(yuán)V和I回(huí)讀
真正(zhèng)的(dí)電(diàn)流(liú)源
數字萬(wàn)用(yòng)表（DCV，DCI，歐姆(mǔ)，功率6½位(wèi)分辨率(shuài)）
精密電子負(fù)載(zǎi)

供選擇的配(pèi)件
7709-308A 型DB50公(gōng)連(lián)接器套件(jiàn)（焊杯），帶外殼
CA-180-3A型TSP-Link電纜(lǎn)