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產品(pǐn)特(tè)性Product characteristics

專業儀器設備與測試方案供(gōng)應(yīng)商(shāng)——上海(hǎi)堅(jiān)融實(shí)業有限公司(sī)JETYOO INDUSTRIAL & 堅友（上(shàng)海）測(cè)量(liáng)儀器(qì)有(yǒu)限公司(sī)JETYOO INSTRUMENTS，為原(yuán)安(ān)捷倫(lún)Agilent【現是(shì)德KEYSIGHT】品(pǐn)牌技(jì)術經理-堅(jiān)JET與(yǔ)吉時利(lì)KEITHLEY【現泰克Tektronix】品牌產(chǎn)品經理(lǐ)-融YOO於2011年(nián)共同創(chuàng)辦，專(zhuān)注(zhù)工(gōng)業測(cè)試(shì)領域(yù)十六(liù)年(nián)，誌在破舊立新
！*進口儀器設(shè)備(bèi)大多(duō)數廠家僅(jǐn)在(zài)國內設銷(xiāo)售(shòu)點，但(dàn)技術支(zhī)持(chí)薄弱甚至(zhì)沒(méi)有，而代理經銷商(shāng)也隻做(zuò)商務(wù)，不(bù)做售前技術支(zhī)持(chí)/測試方案和(hé)售(shòu)後使用(yòng)培訓/維(wéi)修校準的空(kōng)白(bái)
。我們的技(jì)術型銷售均(jūn)為(wéi)本科(kē)以(yǐ)上學歷，且均(jūn)有10年以(yǐ)上測(cè)試(shì)行業(yè)經驗(yàn)，以我們(mén)*進*的經營(yíng)理(lǐ)念(niàn)，與客(kè)戶(hù)互惠互(hù)利合作雙贏(yíng)，重在(zài)協助用(yòng)戶(hù)采(cǎi)購(gòu)與技術(shù)工(gōng)程師的工作，提(tí)供較(jiào)有(yǒu)競爭(zhēng)力的供應鏈管理(lǐ)與售(shòu)前售後技術支持(chí)
。堅融實業——一家致力(lì)於為(wéi)祖國(guó)用(yòng)戶提(tí)供儀(yí)器(qì)設備，測試方(fāng)案，技(jì)術(shù)培(péi)訓，維(wéi)修計量全麵(miàn)服務的儀器設備綜合(hé)服務(wù)商
。

美國吉時利KEITHLEY2657A數字源(yuán)表研(yán)究領(lǐng)域
：
各種(zhǒng)器(qì)件的I-V功能測試(shì)和特征分析(xī)，包(bāo)括(kuò)
：
離(lí)散和無源(yuán)元件
–兩抽頭(tóu)器(qì)件——傳感器，磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(qì)頭，金屬(shǔ)氧(yǎng)化物(wù)可變(biàn)電(diàn)阻(zǔ)（MOV），二極管，齊(qí)納二極(jí)管(guǎn)，電容(róng)，熱敏(mǐn)電(diàn)阻(zǔ)
–三抽頭(tóu)器(qì)件——小信(xìn)號雙極(jí)結型晶(jīng)體管（BJT），場效應(yīng)晶體(tǐ)管(guǎn)（FET）等(děng)等
簡單IC器(qì)件(jiàn)——光學(xué)器(qì)件，驅動(dòng)器(qì)，開關，傳感(gǎn)器
集成器(qì)件——小(xiǎo)規(guī)模集成（SSI）和大規模(mó)集(jí)成（LSI）
–模擬(nǐ)IC
–射頻(pín)集成(chéng)電路（RFIC）
–集成電(diàn)路(lù)（ASIC）
–片(piàn)上(shàng)係統（SoC）器(qì)件
光(guāng)電(diàn)器件，例如(rú)發(fā)光二極(jí)管（LED），激(jī)光二極管(guǎn)，高亮度LED（HBLED），垂(chuí)直腔麵發射(shè)激(jī)光(guāng)器（VCSEL），顯(xiǎn)示器
圓(yuán)片級(jí)可(kě)靠(kào)性(xìng)
- NBTI，TDDB，HCI，電(diàn)遷移
太陽能電池(chí)
電池(chí)
暫(zàn)態抑製(zhì)器件
IC，RFIC，MMIC
激光二極(jí)管，激(jī)光二極管模(mó)塊，LED，光電檢測器
電路保護(hù)器(qì)件:
TVS，MOV，熔(róng)絲
安全氣囊
連(lián)接(jiē)器，開關(guān)，繼(jì)電(diàn)器
碳納(nà)米管
半導(dǎo)體(tǐ)納米綫
碳納米(mǐ)管(guǎn) FET
納米(mǐ)傳感器和陣(zhèn)列(liè)
單電子(zǐ)晶體(tǐ)管
分(fēn)子(zǐ)電子(zǐ)
有機(jī)電(diàn)子(zǐ)
基本運放電路(lù)
二(èr)極管(guǎn)和電路
晶體(tǐ)管電路(lù)

測(cè)試
：
漏流
低壓(yā)，電(diàn)阻(zǔ)
LIV
IDDQ
I-V特征(zhēng)分(fēn)析(xī)
隔離(lí)與軌跡電阻(zǔ)
溫度(dù)係數
正向電壓，反向(xiàng)擊(jī)穿(chuān)，漏電(diàn)流
直流參數測試
直流電(diàn)源
HIPOT
介質耐受性

雙極結型(xíng)晶(jīng)體(tǐ)管設(shè)計(jì)
結(jié)型場(cháng)效應(yīng)晶(jīng)體管設計
金屬(shǔ)氧化(huà)物(wù)半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)場效(xiào)應(yīng)晶(jīng)體管設計
太陽(yáng)能電(diàn)池(chí)和(hé) LED 設計(jì)
高電子遷移(yí)率(shuài)晶(jīng)體管(guǎn)設(shè)計
復(fù)合半導(dǎo)體器(qì)件設(shè)計(jì)

分析納米材料和(hé)實驗器件
碳(tàn)納(nà)米管(guǎn)的(dí)電測量(liáng)標(biāo)準
測(cè)量碳(tàn)納米(mǐ)管(guǎn)電氣(qì)特(tè)性
提(tí)高納(nà)米電子和分子電(diàn)子(zǐ)器(qì)件(jiàn)的(dí)低電(diàn)流(liú)測量
在(zài)低(dī)功(gōng)率(shuài)和低壓應用(yòng)中實(shí)現(xiàn)準確(què)，可(kě)靠(kào)的電阻測量
納(nà)米(mǐ)級器件和材(cái)料的電氣(qì)測量
提高(gāo)超(chāo)高電阻和電阻率(shuài)測量(liáng)的(dí)可重復性
一種微分(fēn)電(diàn)導的(dí)改(gǎi)進測(cè)量(liáng)方法
納(nà)米技(jì)術準(zhǔn)確(què)電氣測量的技術
納(nà)米(mǐ)級(jí)材料的電(diàn)氣(qì)測(cè)量
降低外部誤差源影響的(dí)儀器技(jì)術(shù)
迎(yíng)接65nm節(jié)點(diǎn)的測(cè)量挑(tiāo)戰(zhàn)
測量半(bàn)導(dǎo)體材料的高(gāo)電(diàn)阻率和(hé)霍(huò)爾電壓(yā)
用(yòng)微(wēi)微(wēi)微安量(liáng)程測量(liáng)電流
柵極電(diàn)介質電(diàn)容電壓(yā)特(tè)性(xìng)分析(xī)
評估氧化層的可(kě)靠性

的(dí)半(bàn)導體器件(jiàn)結(jié)構設(shè)計(jì)和試(shì)驗低電阻(zǔ)，低功(gōng)耗半導體(tǐ)器
輸(shū)出極低電流和測量(liáng)極(jí)低(dī)電(diàn)壓分析現代(dài)材料(liào)，半導體(tǐ)和(hé)納米電子元件的電阻(zǔ)
低阻(zǔ)測量(低(dī)至10nΩ)分析導通(tōng)電阻參數(shù)，互連(lián)和低功率半導體
。
用於(yú)*進(jìn)CMOS技(jì)術(shù)的(dí)脈衝可靠性測(cè)試(shì)
高(gāo)K柵極(jí)電介質(zhì)電荷(hé)俘(fú)獲(huò)行為(wéi)的(dí)脈衝特(tè)性(xìng)分析
用6綫歐姆測量技術(shù)進行更高準(zhǔn)確(què)度的(dí)電阻(zǔ)測(cè)量
配(pèi)置分(fēn)立電阻(zǔ)器(qì)驗證(zhèng)測試(shì)係統
電(diàn)信激(jī)光(guāng)二極(jí)管模塊的高吞(tūn)吐(tǔ)率直(zhí)流生產測(cè)試(shì)
多台(tái)數字(zì)源表的觸發器同步
高亮度，可見(jiàn)光(guāng)LED的生(shēng)產測(cè)試
OLED顯示器(qì)的(dí)直(zhí)流生產(chǎn)測試
在運行中第(dì)5次(cì)測量(liáng)用(yòng)於偏(piān)置(zhì)溫度不穩定(dìng)特性分析
數(shù)字源(yuán)表的緩衝器以及如何用這(zhè)兩個緩(huǎn)衝器(qì)獲取(qǔ)多達(dá)5000點數(shù)據
連(lián)接器的(dí)生(shēng)產(chǎn)測(cè)試(shì)方案(àn)
射頻功率晶體管的直(zhí)流電氣特性分析(xī)

1. MOS 電(diàn)容(róng)器(qì)
C-V 曲(qū)綫(xiàn) (高頻
：100kHz)
：
摻雜(zá)類(lèi)型 – 氧(yǎng)化層厚(hòu)度 – 平(píng)帶電(diàn)壓 – 閾值(zhí)電壓 – 襯底(dǐ)摻(chān)雜(zá) – zui大(dà)耗(hào)盡層(céng)寬(kuān)度(dù) – 反(fǎn)型層到(dào)平(píng)衡(héng)的靈(líng)敏度
：電(diàn)壓(yā)掃描(miáo)率(shuài)和(hé)方(fāng)向(xiàng) – 光效(xiào)應(yīng)和溫度(dù)效應(yīng)
。
I-V 曲綫(xiàn)分析
：
電荷(hé)建(jiàn)立(lì) (測量電(diàn)壓(yā) - 時(shí)間(jiān)圖，用(yòng)低電(diàn)流(liú)源)； 氧化(huà)層電(diàn)容(róng)測(cè)定(dìng)； 與(yǔ) C-V 曲綫(xiàn)比(bǐ)較
。
C-V 曲綫(xiàn) (準(zhǔn)靜態) 結(jié)合(hé) C-V 曲(qū)綫(xiàn)
：
表(biǎo)麵(miàn)電位 Ψs 與施(shī)加(jiā)電壓的關係(xì) – Si (100) 的(dí)表(biǎo)麵態密度 Dit = f (Ψs) 與 Si (111) 的相比(bǐ)
：方(fāng)向和後處理退火(huǒ)的影響(xiǎng)
。
C-V 曲綫 (高(gāo)頻
：100kHz)
：
移動(dòng)氧(yǎng)化(huà)層(céng)電(diàn)荷(hé)密度 (偏(piān)壓溫(wēn)度應力
：200°C，10 分(fēn)鐘，±10V)

2. 雙(shuāng)極結型晶(jīng)體管
    主題(tí)
  正向共(gòng)發射(shè)極輸(shū)出特(tè)性(xìng)
：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測(cè)量
。
  正(zhèng)向(xiàng) CE 輸入特(tè)性(xìng)
：Ib = f (Vbe) 對(duì)於幾(jī)個(gè) Vce 正(zhèng)值
。
  正向 Gummel 曲(qū)綫
： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
  確(què)定(dìng)增益 βf = Ic/Ib 和 af
。
  Βf 與 log(Ic) 的關係(xì)
： 低(dī)注入(rù)和高(gāo)注(zhù)入的效果
。
  非理想特(tè)性
：爾利電壓
。
  反向 CE 輸(shū)出特性
： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
反(fǎn)向(xiàng) CE 傳(chuán)輸特性(xìng)
：Ib=f(Vbe) 對(duì)於(yú)幾(jī)個(gè)Vce負(fù)值
。
  反向(xiàng) Gummel 曲(qū)綫
： logIe, logIb=f(Vbc>0).
  確定(dìng)增(zēng)益 βr = Ie/Ib 和 ar
。
  Βr 與 log(Ie) 的(dí)關(guān)係
： 低(dī)注入和高注入(rù)的效果
。
  Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確(què)定，對於給定(dìng)的 Ib 電(diàn)流(liú)
。
  Ebers Moll 模型構建並且(qiě)與實驗(yàn)做比較
。
  BE 和 CE 結(jié)的 C-V 特(tè)性分(fēn)析(xī)
。基區摻(chān)雜(zá)濃(nóng)縮(suō)
。

3. 亞(yà)微米集成 MOSFET
輸(shū)出特(tè)性
：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增(zēng)強(qiáng)或耗盡)，溝(gōu)道長度調(tiáo)製參數(shù)(λ) 在(zài)飽和區(qū)域(yù) (VDS<–3V) 有(yǒu)效溝道(dào)長(cháng)度與(yǔ) VDS 的關(guān)係
。
傳輸(shū)特(tè)性
：
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k.  
Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
襯底(dǐ)偏(piān)壓特(tè)性
：
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
亞閾值特性
：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.
襯(chèn)底電(diàn)流特性
：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使(shǐ)用(yòng)長(cháng)溝道和(hé)短(duǎn)溝道公式(shì)的輸出特(tè)性模型
：比較(jiào)實驗結(jié)果(guǒ)
。

美國吉時利KEITHLEY2600數字源表進(jìn)行VCSEL測試
美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2600測量光(guāng)伏(fú)電池的I-V特性
美國吉時(shí)利KEITHLEY2400係列數字源表(biǎo)的SCPI應(yīng)用(yòng)轉(zhuǎn)換為(wéi)2600係列(liè)源(yuán)表(biǎo)的腳本應用
美國(guó)吉時利KEITHLEY2600係(xì)列(liè)數(shù)字(zì)源表進(jìn)行IDDQ測(cè)試和(hé)待機電流測試
使用(yòng)兩台美(měi)國吉時利KEITHLEY2600型數字源表輸出2A電(diàn)流
美國吉時(shí)利(lì)KEITHLEY2600或其它非(fēi)脈(mài)衝(chōng)模式(shì)源(yuán)表產生(shēng)電流 (或電壓) 脈(mài)衝
美國吉時(shí)利(lì)KEITHLEY2600係列數(shù)字(zì)源(yuán)表提(tí)升(shēng)多(duō)引(yǐn)腳器件的生(shēng)產(chǎn)量
美(měi)國吉時利KEITHLEY2602數(shù)字(zì)源(yuán)表創建(jiàn)可擴縮(suō)，多(duō)引腳(jiǎo)，多功能(néng)IC測(cè)試係統(tǒng)
美國(guó)吉(jí)時利KEITHLEY2602數字源(yuán)表對(duì)激光(guāng)二極管(guǎn)模(mó)塊和(hé)VCSEL進(jìn)行高(gāo)吞吐率直(zhí)流(liú)生(shēng)產測試
美(měi)國吉時利KEITHLEY2600係列數(shù)字源(yuán)表進行二極(jí)管生產測試
美(měi)國吉時(shí)利KEITHLEY2600係列數字源表進(jìn)行(háng)高亮度(dù)，可(kě)見光LED的(dí)生(shēng)產測試
美國吉(jí)時(shí)利(lì)KEITHLEY2600係列(liè)數(shù)字源(yuán)表進行IDDQ測試和待(dài)機電流(liú)測試
美(měi)國吉時利KEITHLEY2600 數(shù)字源表(biǎo)驗證變(biàn)阻(zǔ)器
美(měi)國吉時利(lì)KEITHLEY2600係列源表進行電(diàn)池放(fàng)電/充(chōng)電(diàn)周(zhōu)期(qī)
美國(guó)吉(jí)時利KEITHLEY2600配置電(diàn)阻(zǔ)網(wǎng)絡(luò)的(dí)生產(chǎn)測試係統
美國吉時利(lì)KEITHLEY2651 2kW 脈衝源表(biǎo)進行大電流(liú)變阻器的(dí)生(shēng)產測試
美國吉(jí)時利KEITHLEY2600數字源表(biǎo)進(jìn)行熱敏(mǐn)電(diàn)阻的(dí)生產測試(shì)

2651A，2657A美國吉(jí)時(shí)利(lì)keithley數字(zì)源表(biǎo)概(gài)述
2651A型(xíng)高(gāo)功率係統數字源(yuán)表儀(yí)器(qì)的脈衝功率2000W，200W直(zhí)流電源(yuán)，PA和(hé)UV分辨率(shuài)高(gāo)達50A @40V

美國(guó)吉(jí)時利KEITHLEY2657A數(shù)字(zì)源(yuán)表是(shì)一(yī)種高電壓，高功率，低(dī)電(diàn)流源測(cè)量單元(yuán)（SMU）儀(yí)器，可提(tí)供*的力量，精(jīng)度，速度，靈活(huó)性和(hé)易於(yú)使(shǐ)用(yòng)在R＆D，生(shēng)產(chǎn)測試(shì)，以提(tí)高生(shēng)產力(lì)和(hé)可靠(kào)性的(dí)環境
。型號2657A是(shì)專為表征(zhēng)和測(cè)試(shì)高(gāo)電(diàn)壓電(diàn)子和(hé)功率半導體(tǐ)器(qì)件，如二極管(guǎn)，場效應晶體(tǐ)管和IGBT，以(yǐ)及(jí)其(qí)他(tā)組件(jiàn)和材料中，需(xū)要(yào)高(gāo)電壓(yā)，響應(yīng)速(sù)度(dù)快，和(hé)精確的測(cè)量(liáng)的電壓和電流的(dí)
。型號(hào)2657A加(jiā)入吉時(shí)利(lì)2600A係列的(dí)功率(shuài)半(bàn)導體(tǐ)器件(jiàn)表(biǎo)征(zhēng)和測(cè)試解決方案係列，提(tí)供(gōng)zui高(gāo)的(dí)功(gōng)率(shuài)和低電流(liú)性能在(zài)業界
。這(zhè)些(xiē)自定(dìng)義(yì)配(pèi)置(zhì)的解(jiě)決(jué)方(fāng)案支持業界zui*的(dí)參數化特(tè)征的軟件平台，與(yǔ)您共同成長，為(wéi)您的應用程(chéng)序的(dí)發展
。

型(xíng)號2657A一樣，每個(gè)2600A係(xì)列數字(zì)源(yuán)表儀(yí)器，提供了一個具有(yǒu)高度靈(líng)活性，四象(xiàng)限電壓和電(diàn)流(liú)源(yuán)/負(fù)載(zǎi)，再加上精密電(diàn)壓(yā)和電(diàn)流(liú)表
。它可以(yǐ)被用來作(zuò)為
半導(dǎo)體特(tè)性分(fēn)析(xī)儀
 V或(huò)I波形(xíng)發生(shēng)器
 V或電流(liú)脈(mài)衝發生器
精(jīng)密電源(yuán)V和I回讀
真正的(dí)電(diàn)流源
數字(zì)萬用表（DCV，DCI，歐姆，功(gōng)率6½位(wèi)分辨(biàn)率）
精(jīng)密電(diàn)子(zǐ)負(fù)載

標配件(jiàn)
2600-KIT螺(luó)釘端子連接(jiē)器套(tào)件
2600B源(yuán)表(biǎo)CD
2600B快(kuài)速使用(yòng)指南
適用(yòng)於2600B的2400仿真腳(jiǎo)本
7709-308A 型DB50公連接器套(tào)件（焊杯(bēi)），帶外殼
CA-180-3A型(xíng)TSP-Link電(diàn)纜
KTS-850E02,測(cè)試(shì)腳本(běn)創建軟件CD套件(jiàn)

額外(wài)選購(gòu)配件(jiàn)
2600-BAN型SMUt輸(shū)出至(zhì)香蕉(jiāo)頭(tóu)測試綫/適配(pèi)器(qì)電纜
8606型高(gāo)性(xìng)能模塊化探(tàn)頭(tóu)套(tào)件（適(shì)用於2000，2001，2002，2010，2400係列）
屏(píng)蔽(bì)雙絞(jiǎo)綫(xiàn)
2600-TLINK型(xíng)數(shù)字(zì)I/O至TLINK適配(pèi)電纜，長(cháng)度(dù)為(wéi)1米(mǐ)
CA-126-1A型，公(gōng)對DB25 母(mǔ)綫，數(shù)字 I/O 綫(xiàn) ，1.5米（適(shì)用於213型）
7007-1
：雙層屏蔽(bì)高級GPIB接(jiē)口電(diàn)纜，長(cháng)度1米（3.3ft）（用(yòng)於GPIB互連）
7007-2
：雙(shuāng)層(céng)屏蔽高級GPIB接口電(diàn)纜(lǎn)，長度(dù)2米(mǐ)（6.6ft）（用(yòng)於GPIB互連(lián)）
KPCI-488LPA，KPCI-488LPA型 IEEE-488.2 PCI Bus 插件板
4299-1型單機(jī)架(jià)安裝套件(jiàn)，帶前(qián)支架和後(hòu)支架(jià)
4299-2型雙機架(jià)安裝套(tào)件，帶前(qián)支(zhī)架(jià)和(hé)後(hòu)支(zhī)架
4299-5 1U通(tōng)風(fēng)麵板(bǎn)
KUSB-488B型 IEEE-488.2 USB-to-GPIB USB接口適配器
自動(dòng)特性(xìng)分(fēn)析套(tào)件(jiàn)（ACS）基本版本，適(shì)合(hé)元件特(tè)性分(fēn)析(xī)
2600-FIX-TRX 2600SMU與(yǔ)HI，LO TRiAX鏈接(jiē)綫(xiàn)(2綫(xiàn)傳(chuán)感)
2600-TRIAX型(xíng)SMU連(lián)接頭（適用於(yú)四(sì)綫(xiàn)傳感(gǎn)）
8101-4TRX，8101-4TRX型(xíng)成(chéng)分測(cè)試(shì)夾具-優(yōu)化(huà)低(dī)電壓(yā)設(shè)備(bèi)測試
8101-PIV，8101-PIV型成分(fēn)測試夾具-優(yōu)化(huà)低電壓(yā)設備(bèi)測試