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產品特(tè)性(xìng)Product characteristics

 中(zhōng)國電(diàn)子行業儀(yí)器優(yōu)質(zhì)供應商——堅融實(shí)業JETYOO INDUSTRIAL，Support，銷售Sale，服(fú)務Service，3S公司，提(tí)供(gōng)解(jiě)決方(fāng)案，測試(shì)測(cè)量(liáng)技術(shù)改進(jìn)，技術培(péi)訓，采(cǎi)購管理，售後維修服(fú)務(wù)。

美國吉時(shí)利keithley源表2600B係(xì)列研究(jiū)領域：
各種(zhǒng)器(qì)件的I-V功能測試(shì)和特征(zhēng)分(fēn)析，包(bāo)括：
 離(lí)散(sàn)和無源(yuán)元件 
–兩抽頭(tóu)器件——傳(chuán)感器，磁盤驅動器(qì)頭，金屬(shǔ)氧化物可(kě)變電(diàn)阻（MOV），二極(jí)管(guǎn)，齊(qí)納(nà)二極管，電容，熱敏(mǐn)電(diàn)阻
–三抽(chōu)頭器件——小(xiǎo)信號雙極(jí)結型晶體管(guǎn)（BJT），場效應晶(jīng)體(tǐ)管（FET）等等 
 簡(jiǎn)單(dān)IC器件——光(guāng)學器(qì)件(jiàn)，驅動(dòng)器(qì)，開(kāi)關(guān)，傳(chuán)感(gǎn)器
 集成器件——小規模(mó)集成(chéng)（SSI）和大規(guī)模集(jí)成（LSI）
–模擬IC 
–射頻集(jí)成電路(lù)（RFIC）
–集成電路(lù)（ASIC）
–片上係統（SoC）器件(jiàn)
 光(guāng)電器(qì)件，例(lì)如發光二極(jí)管(guǎn)（LED），激(jī)光二極(jí)管，高(gāo)亮度(dù)LED（HBLED），垂(chuí)直腔麵(miàn)發射(shè)激光器（VCSEL），顯示(shì)器
 圓片級(jí)可(kě)靠性(xìng)
- NBTI，TDDB，HCI，電(diàn)遷移(yí)
 太陽能(néng)電池(chí)
 電池
暫態(tài)抑製器件
IC，RFIC，MMIC
激光二(èr)極管，激(jī)光(guāng)二(èr)極(jí)管(guǎn)模塊(kuài)，LED，光電檢(jiǎn)測器(qì)
電(diàn)路保護器(qì)件:
TVS，MOV，熔絲
安全(quán)氣(qì)囊(náng)
連接器，開(kāi)關(guān)，繼電(diàn)器
碳(tàn)納(nà)米(mǐ)管
半(bàn)導體(tǐ)納米綫(xiàn)
碳(tàn)納(nà)米(mǐ)管 FET
納米(mǐ)傳(chuán)感器(qì)和陣列
單(dān)電子晶體管
分子電子(zǐ)
有(yǒu)機電子
基本運(yùn)放(fàng)電路(lù)
二(èr)極(jí)管和電路
晶(jīng)體管電路

測試：
漏(lòu)流
低(dī)壓，電阻
LIV
IDDQ
I-V特征分(fēn)析
隔(gé)離與軌(guǐ)跡(jì)電阻
溫(wēn)度(dù)係(xì)數
正向(xiàng)電(diàn)壓(yā)，反(fǎn)向擊穿，漏電流
直流參數測試
直流電源(yuán)
HIPOT
介(jiè)質(zhì)耐受(shòu)性

雙極結(jié)型(xíng)晶體(tǐ)管設(shè)計(jì)
結型(xíng)場(cháng)效應(yīng)晶體(tǐ)管設計
金屬氧化物(wù)半導(dǎo)體場效(xiào)應晶體管(guǎn)設計
太(tài)陽能電池和 LED 設(shè)計(jì)
高(gāo)電子(zǐ)遷移率(shuài)晶體(tǐ)管(guǎn)設計
復(fù)合(hé)半(bàn)導體器件(jiàn)設計(jì)

分析納(nà)米材(cái)料和(hé)實驗器(qì)件(jiàn)
碳納米(mǐ)管的電(diàn)測量標(biāo)準
測(cè)量碳納米管電氣特(tè)性
提(tí)高(gāo)納米電子(zǐ)和(hé)分子(zǐ)電子(zǐ)器件的低電流測(cè)量(liáng)
在(zài)低(dī)功率和低壓應用中實現(xiàn)準確，可靠的(dí)電阻測量(liáng)
納米級器件和材料的電(diàn)氣測(cè)量
提(tí)高超高電(diàn)阻和電(diàn)阻率測量的(dí)可(kě)重復性
一種微分(fēn)電(diàn)導的(dí)改進測量方法
納米技術準確(què)電氣測(cè)量的(dí)技(jì)術
納米級(jí)材料的電氣測量
降(jiàng)低外(wài)部(bù)誤(wù)差源(yuán)影(yǐng)響(xiǎng)的(dí)儀(yí)器技術
迎(yíng)接(jiē)65nm節點的測(cè)量挑戰(zhàn)
測(cè)量(liáng)半(bàn)導體(tǐ)材料(liào)的(dí)高(gāo)電(diàn)阻率和(hé)霍爾電壓(yā)
用(yòng)微(wēi)微(wēi)微安量程(chéng)測(cè)量電(diàn)流(liú)
柵(zhà)極電(diàn)介(jiè)質電容電壓(yā)特性分析(xī)
評(píng)估氧化層的可靠(kào)性(xìng)

的半(bàn)導體(tǐ)器件結(jié)構設(shè)計(jì)和試驗低電阻(zǔ)，低(dī)功(gōng)耗半導(dǎo)體器(qì)
輸(shū)出極(jí)低電(diàn)流和測量(liáng)極低(dī)電(diàn)壓分(fēn)析現(xiàn)代材料(liào)，半(bàn)導(dǎo)體和納(nà)米電子元件的電阻
低(dī)阻測量(低(dī)至(zhì)10nΩ)分(fēn)析導(dǎo)通(tōng)電阻(zǔ)參(cān)數(shù)，互連和(hé)低功(gōng)率半(bàn)導(dǎo)體。
用於(yú)*進(jìn)CMOS技(jì)術(shù)的(dí)脈(mài)衝可靠(kào)性(xìng)測試
高(gāo)K柵極電介質電荷(hé)俘(fú)獲(huò)行(háng)為(wéi)的(dí)脈衝特(tè)性(xìng)分(fēn)析(xī)
用6綫歐(ōu)姆測(cè)量技(jì)術(shù)進(jìn)行更高(gāo)準確度的電阻測量
配(pèi)置分立(lì)電阻(zǔ)器驗(yàn)證(zhèng)測試係統(tǒng)
電信激光(guāng)二(èr)極管模塊的(dí)高(gāo)吞(tūn)吐(tǔ)率直(zhí)流(liú)生產測試
多(duō)台(tái)數(shù)字源(yuán)表的觸發(fā)器(qì)同(tóng)步
高(gāo)亮度(dù)，可見光LED的(dí)生產(chǎn)測(cè)試(shì)
OLED顯(xiǎn)示器的直流(liú)生產測試(shì)
在運(yùn)行中第(dì)5次測量用於(yú)偏(piān)置(zhì)溫度不穩定(dìng)特性分析(xī)
數(shù)字源表(biǎo)的(dí)緩衝(chōng)器(qì)以及(jí)如何用這兩(liǎng)個(gè)緩(huǎn)衝器(qì)獲取(qǔ)多達(dá)5000點數據
連(lián)接(jiē)器的(dí)生產(chǎn)測(cè)試(shì)方案
射頻(pín)功率晶體管的(dí)直流(liú)電氣特性分析(xī)

1. MOS 電(diàn)容(róng)器(qì)
C-V 曲綫(xiàn) (高(gāo)頻(pín)：100kHz)：
摻雜(zá)類(lèi)型 – 氧(yǎng)化層厚度 – 平(píng)帶(dài)電壓 – 閾值(zhí)電壓 – 襯(chèn)底摻(chān)雜(zá) – zui大耗盡層寬度(dù) – 反(fǎn)型(xíng)層(céng)到(dào)平衡的靈(líng)敏(mǐn)度：電(diàn)壓(yā)掃(sǎo)描率和方向 – 光效應和(hé)溫度效應(yīng)。
I-V 曲綫(xiàn)分析(xī)：
電(diàn)荷(hé)建立(lì) (測量電(diàn)壓(yā) - 時間(jiān)圖(tú)，用低電(diàn)流源)
； 氧化(huà)層(céng)電(diàn)容(róng)測定(dìng)
； 與 C-V 曲(qū)綫比較(jiào)。
C-V 曲(qū)綫 (準靜(jìng)態) 結(jié)合(hé) C-V 曲(qū)綫：
表麵(miàn)電位 Ψs 與(yǔ)施加電(diàn)壓的關係 – Si (100) 的(dí)表(biǎo)麵態密度(dù) Dit = f (Ψs) 與(yǔ) Si (111) 的相(xiāng)比(bǐ)：方(fāng)向和後處理退火的影(yǐng)響。
C-V 曲(qū)綫(xiàn) (高(gāo)頻：100kHz)：
移動(dòng)氧(yǎng)化(huà)層(céng)電荷(hé)密(mì)度 (偏(piān)壓(yā)溫度(dù)應(yīng)力(lì)：200°C，10 分(fēn)鐘(zhōng)，±10V)
 
2. 雙(shuāng)極(jí)結型(xíng)晶(jīng)體(tǐ)管
     主(zhǔ)題
   正向(xiàng)共(gòng)發(fā)射(shè)極(jí)輸出特性(xìng)：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測量。
   正向 CE 輸入特性：Ib = f (Vbe) 對(duì)於幾個(gè) Vce 正(zhèng)值。
   正向(xiàng) Gummel 曲綫： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
   確(què)定增益(yì) βf = Ic/Ib 和 af。
   Βf 與 log(Ic) 的關(guān)係： 低注(zhù)入和高注入(rù)的效果(guǒ)。
   非理想特性(xìng)：爾(ěr)利電壓(yā)。
   反向 CE 輸(shū)出特性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
   反(fǎn)向(xiàng) CE 傳輸特性：Ib=f(Vbe) 對於幾個Vce負值。
   反向(xiàng) Gummel 曲綫： logIe, logIb=f(Vbc>0).
   確定(dìng)增(zēng)益 βr = Ie/Ib 和(hé) ar。
   Βr 與 log(Ie) 的(dí)關係： 低(dī)注入和(hé)高注(zhù)入(rù)的(dí)效(xiào)果。
   Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定，對於(yú)給定的(dí) Ib 電(diàn)流。
   Ebers Moll 模型構(gòu)建並且(qiě)與實(shí)驗(yàn)做比較(jiào)。
   BE 和(hé) CE 結的(dí) C-V 特性分(fēn)析。基區摻(chān)雜(zá)濃縮。
 
3. 亞(yà)微米集成 MOSFET
輸出(chū)特(tè)性(xìng)：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增(zēng)強(qiáng)或耗盡)，溝道(dào)長度(dù)調(tiáo)製參(cān)數(shù)(λ) 在飽和(hé)區域(yù) (VDS<–3V) 有效(xiào)溝道長度(dù)與(yǔ) VDS 的關係(xì)。
傳輸(shū)特(tè)性(xìng)：
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k.  
Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
襯底偏壓(yā)特(tè)性(xìng)： 
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
亞(yà)閾(yù)值特性：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.
襯(chèn)底電(diàn)流特性(xìng)：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使(shǐ)用(yòng)長溝道和短(duǎn)溝(gōu)道公式(shì)的輸(shū)出(chū)特性模(mó)型(xíng)：比較實驗結(jié)果(guǒ)。

美國(guó)吉時利KEITHLEY2600數字(zì)源表(biǎo)進行(háng)VCSEL測(cè)試
美(měi)國吉時利KEITHLEY2600測量光伏(fú)電池的(dí)I-V特性
美國(guó)吉(jí)時(shí)利KEITHLEY2400係列(liè)數(shù)字(zì)源(yuán)表(biǎo)的(dí)SCPI應(yīng)用(yòng)轉換為(wéi)2600係(xì)列(liè)源表的(dí)腳本應(yīng)用(yòng)
美(měi)國吉時利KEITHLEY2600係列數(shù)字(zì)源(yuán)表(biǎo)進行(háng)IDDQ測試(shì)和(hé)待(dài)機(jī)電(diàn)流(liú)測(cè)試(shì)
使(shǐ)用兩(liǎng)台(tái)美國(guó)吉時利(lì)KEITHLEY2600型(xíng)數字源(yuán)表輸出(chū)2A電流(liú)
美國(guó)吉(jí)時(shí)利(lì)KEITHLEY2600或其它非(fēi)脈(mài)衝模式源表(biǎo)產(chǎn)生電流 (或電壓(yā)) 脈(mài)衝
美國(guó)吉時利KEITHLEY2600係列(liè)數(shù)字(zì)源表(biǎo)提升(shēng)多引腳(jiǎo)器件的(dí)生(shēng)產(chǎn)量
美(měi)國吉(jí)時利(lì)KEITHLEY2602數字(zì)源表(biǎo)創(chuàng)建(jiàn)可(kě)擴縮(suō)，多引腳(jiǎo)，多功能IC測試(shì)係(xì)統(tǒng)
美(měi)國(guó)吉(jí)時(shí)利KEITHLEY2602數(shù)字(zì)源表對(duì)激光(guāng)二(èr)極管(guǎn)模塊和VCSEL進(jìn)行高吞吐率直(zhí)流(liú)生(shēng)產測試
美(měi)國吉(jí)時利KEITHLEY2600係列(liè)數(shù)字(zì)源(yuán)表進(jìn)行(háng)二極管生(shēng)產(chǎn)測(cè)試
美國吉(jí)時(shí)利KEITHLEY2600係(xì)列數字源表進行高亮(liàng)度，可(kě)見光LED的生產測試(shì)
美國(guó)吉(jí)時利KEITHLEY2600係(xì)列數(shù)字(zì)源表進行IDDQ測(cè)試(shì)和待(dài)機(jī)電(diàn)流測(cè)試(shì)
美(měi)國吉(jí)時(shí)利(lì)KEITHLEY2600 數字源表驗(yàn)證變阻(zǔ)器(qì)
美國吉時(shí)利(lì)KEITHLEY2600係列源(yuán)表(biǎo)進行(háng)電池(chí)放電/充電(diàn)周期
美(měi)國(guó)吉時利(lì)KEITHLEY2600配置電阻網(wǎng)絡(luò)的生(shēng)產測(cè)試係統(tǒng)
美(měi)國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2651 2kW 脈(mài)衝源表進(jìn)行大(dà)電流變(biàn)阻器的生產(chǎn)測(cè)試(shì)
美國(guó)吉時(shí)利(lì)KEITHLEY2600數字源表(biǎo)進(jìn)行(háng)熱敏電阻的(dí)生產測試

2601B美(měi)國(guó)吉時利(lì)keithley源(yuán)表SMU，單通道(dào)（100fA，40V，3A直流/10A脈(mài)衝）
源/測量功能   
- 單通(tōng)道型號(hào)具(jù)有(yǒu)40W功率輸(shū)出
    - 4象限源(yuán)/測(cè)量具有6位(wèi)半分辨率
    - 電(diàn)流zui大值(zhí)/zui小值(zhí)：3A直流，10A脈衝/100fA
    - 電壓(yā)zui大值(zhí)/zui小值：40V/100nV
一(yī)般(bān)特性   
- 內建“即(jí)插(chā)即用(yòng)"基於(yú)Java的I-V特(tè)性分析和(hé)測(cè)試軟件
    - TSP®（測試腳(jiǎo)本處理）技(jì)術(shù)在測量儀器內(nèi)嵌(qiàn)入了(liǎo)完整(zhěng)測試(shì)程(chéng)序(xù)
    - TSP-Link®擴展技術麵向(xiàng)多通(tōng)道並行測(cè)試(shì)
    - 軟件仿(fǎng)真基(jī)於吉時利2400源(yuán)表SMU
    - 大(dà)屏(píng)幕，易(yì)於(yú)閱(yuè)讀(dú)，雙行(háng)顯示

作(zuò)為(wéi)2600B係列源(yuán)表(biǎo)SMU係列(liè)產(chǎn)品(pǐn)的一(yī)部(bù)分，2601B型源(yuán)表SMU是(shì)全(quán)新改(gǎi)良版單通道SMU，具(jù)有緊(jǐn)密(mì)集成的(dí)4象(xiàng)限設計(jì)，能(néng)同步源和測量(liáng)電(diàn)壓/電流以提(tí)高研發到自動生產測試等應(yīng)用(yòng)的(dí)生產率。除(chú)保留了(liǎo)2601A的全部產品(pǐn)特點(diǎn)外(wài)，2601B還(huán)具(jù)有6位半分辨率(shuài)，USB 2.0連接性(xìng)以及能輕鬆移植(zhí)遺(yí)留測試代(dài)碼(mǎ)的2400源(yuán)表SMU軟件(jiàn)指(zhǐ)令仿真(zhēn)。2601B配(pèi)備了(liǎo)吉時利(lì)的(dí)高速TSP®技(jì)術(shù)（比傳統(tǒng)PC至(zhì)儀器的(dí)通信技術快(kuài)200%），這(zhè)極大(dà)提高(gāo)了係統級速度，降低了測試(shì)成本。TSP-Link接(jiē)口實現(xiàn)了多(duō)通(tōng)道並(bìng)行測(cè)試(shì)並擴(kuò)展(zhǎn)了測(cè)試係(xì)統(tǒng)，沒(méi)有主(zhǔ)機開銷(xiāo)。3A直(zhí)流，10A脈衝和(hé)40V輸出的寬(kuān)量(liáng)程讓2601B適(shì)於測試寬範(fàn)圍(wéi)較(jiào)大電流(liú)器件(jiàn)，材料，組件(jiàn)和分(fēn)裝件(jiàn)。

標配件(jiàn)
2600-KIT螺(luó)釘(dīng)端子連接器套件(jiàn)
2600B源表CD
2600B快速(sù)使用指南
適用於(yú)2600B的(dí)2400仿真(zhēn)腳(jiǎo)本(běn)
7709-308A 型(xíng)DB50公連接器(qì)套(tào)件（焊(hàn)杯），帶外殼
CA-180-3A型TSP-Link電纜
KTS-850E02,測試腳(jiǎo)本(běn)創建軟件CD套件(jiàn)

SMU可選配件 

2600-BAN型SMUt輸出至(zhì)香(xiāng)蕉頭測試綫/適(shì)配器電纜(lǎn)
2600-KIT螺(luó)釘端子連接器套(tào)件
7078-TRX -1型低(dī)噪聲(shēng)三同(tóng)軸電(diàn)纜(lǎn)，長度為0.3米(mǐ)（1 ft），（適用於236，237，238，6514，6517A，7072）
7078-TRX -3型(xíng)低噪聲三同(tóng)軸電纜，長(cháng)度(dù)為0.9米（3 ft），（適用(yòng)於(yú)236，237，238，6514，6517A，7072）
7078-TRX -5型(xíng)低噪聲(shēng)三(sān)同軸(zhóu)電纜，長度為1.5米(mǐ)（5 ft），（適用於(yú)236，237，238，6514，6517A，7072）
7078-TRX -10型低(dī)噪(zào)聲三(sān)同軸電纜，長(cháng)度為3米（10 ft），（適(shì)用於236，237，238，6514，6517A，7072）
7078-TRX -12型低噪(zào)聲三(sān)同(tóng)軸(zhóu)電纜，長度為3.5米(mǐ)（12 ft），（適(shì)用於236，237，238，6514，6517A，7072）
7078-TRX -20型低噪(zào)聲(shēng)三(sān)同(tóng)軸(zhóu)電纜，長度(dù)為(wéi)6.1米（20 ft），（適用(yòng)於236，237，238，6514，6517A，7072）
7078-TRX- GND型(xíng)無(wú)防(fáng)護3槽公三同軸至BNC適配器（適(shì)用於(yú)236，237，238，4801，6517A，7051，7072，7072-HV）
8606型高性(xìng)能模(mó)塊(kuài)化探頭(tóu)套(tào)件（適用(yòng)於(yú)2000，2001，2002，2010，2400係(xì)列(liè)）
SC-200型屏(píng)蔽雙絞綫電纜(lǎn)
2600-TLINK型數(shù)字I/O至TLINK適配電(diàn)纜，長度(dù)為1米
CA-180-3A型TSP-Link電纜(lǎn)
7007-1：雙(shuāng)層屏蔽(bì)高級GPIB接(jiē)口(kǒu)電(diàn)纜(lǎn)，長度(dù)1米(mǐ)（3.3ft）（用於(yú)GPIB互連(lián)）
7007-2：雙層(céng)屏(píng)蔽高(gāo)級(jí)GPIB接口電(diàn)纜，長度(dù)2米（6.6ft）（用於(yú)GPIB互(hù)連(lián)）
KPCI-488LPA，KPCI-488LPA型 IEEE-488.2 PCI Bus 插(chā)件板
KUSB-488A型(xíng)IEEE-488.2 USB-GPIB接(jiē)口適配(pèi)器(qì)，適(shì)用於USB接口(kǒu)，內(nèi)置(zhì)2米(mǐ)（6.6ft）電纜
4299-1型單機架安裝套(tào)件，帶前(qián)支架和後支(zhī)架(jià)
4299-2型雙機(jī)架安(ān)裝套(tào)件(jiàn)，帶(dài)前(qián)支(zhī)架(jià)和後(hòu)支(zhī)架
4299-5 1U通風麵板

SMU配套產品(pǐn)
Model 3706A Six-Slot System Switch with High Performance DMM
Model 3706A-NFP Six-Slot System Switch with High Performance DMM, without Front Panel Display and Keypad
Model 3706A-S Six-Slot System Switch
Model 3706A-SNFP Six-Slot System Switch, without Front Panel Display and Keypad
Model 707B 6-Slot, Semiconductor Switching Matrix w/ up to 576 Crosspoints - New Features and Improved Performance
7001，7001型(xíng)80通道程控開(kāi)關(guān)控製器(qì)

SMU係列產品 

2602B源(yuán)表SMU，雙通道(dào)（100fA，40V，3A直流/10A脈(mài)衝）
2611B源表SMU，單通道(dào)（100fA，200V，1.5A直流/10A脈衝(chōng)）
2612B源表SMU，雙通(tōng)道(dào)（100fA，200V，1.5A直流(liú)/10A脈衝(chōng)）
2635B源表SMU，單(dān)通(tōng)道(dào)（0.1fA，200V，1.5A直流/10A脈衝(chōng)）
2636B源表SMU，雙通道(dào)（0.1fA，200V，1.5A直(zhí)流(liú)/10A脈衝）
2604B源(yuán)表SMU，雙通道(dào)（100fA，40V，3A直(zhí)流/10A脈衝(chōng)），台(tái)式版本
2614B源表SMU，雙(shuāng)通(tōng)道(dào)（100fA，200V，1.5A直流/10A脈衝），台式版本(běn)
2634B源表SMU，雙通道(dào)（1fA，200V，1.5A直流(liú)/10A脈衝(chōng)），台式(shì)版本(běn)
2601A型(xíng)單(dān)通道係統(tǒng)數(shù)字源(yuán)表（3A直流，10A脈(mài)衝(chōng)）