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產品特(tè)性Product characteristics

 中國電子行(háng)業儀器優質(zhì)供應(yīng)商——堅融實(shí)業(yè)JETYOO INDUSTRIAL，Support，銷售(shòu)Sale，服務Service，3S公司，提(tí)供(gōng)解決(jué)方案，測試(shì)測量(liáng)技術改(gǎi)進(jìn)，技術培(péi)訓，采購(gòu)管理，售後維(wéi)修(xiū)服(fú)務。

吉時利KEITHLEY2600B係列(liè)源表(biǎo)研究領域：
各種(zhǒng)器(qì)件(jiàn)的I-V功能測試(shì)和特征分析(xī)，包(bāo)括(kuò)：
 離散和(hé)無(wú)源元件 
–兩抽頭器件(jiàn)——傳感器，磁盤(pán)驅(qū)動器(qì)頭，金屬(shǔ)氧化(huà)物可(kě)變(biàn)電阻（MOV），二(èr)極管，齊納二(èr)極管，電容，熱(rè)敏電阻
–三抽頭(tóu)器(qì)件——小信號(hào)雙極結型晶體管（BJT），場效(xiào)應(yīng)晶(jīng)體管（FET）等(děng)等(děng) 
 簡(jiǎn)單IC器件——光(guāng)學(xué)器件(jiàn)，驅動器，開(kāi)關(guān)，傳感(gǎn)器
 集成器(qì)件——小規模(mó)集成(chéng)（SSI）和(hé)大規模(mó)集(jí)成（LSI）
–模(mó)擬(nǐ)IC 
–射頻集(jí)成電路（RFIC）
–集成電路（ASIC）
–片(piàn)上係統(tǒng)（SoC）器(qì)件
 光(guāng)電(diàn)器件(jiàn)，例(lì)如(rú)發光(guāng)二極(jí)管(guǎn)（LED），激光二(èr)極(jí)管(guǎn)，高(gāo)亮度LED（HBLED），垂直(zhí)腔麵(miàn)發(fā)射(shè)激(jī)光器(qì)（VCSEL），顯示(shì)器
 圓片(piàn)級可靠性
- NBTI，TDDB，HCI，電遷移(yí)
 太陽(yáng)能電池
 電池
暫(zàn)態抑(yì)製器(qì)件
IC，RFIC，MMIC
激光二(èr)極(jí)管，激(jī)光(guāng)二極(jí)管模(mó)塊，LED，光電檢(jiǎn)測器
電路(lù)保(bǎo)護器件:
TVS，MOV，熔(róng)絲
安(ān)全氣囊
連(lián)接器(qì)，開關(guān)，繼電器(qì)
碳(tàn)納米(mǐ)管
半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)納米綫(xiàn)
碳納(nà)米(mǐ)管 FET
納(nà)米(mǐ)傳感(gǎn)器和(hé)陣列
單(dān)電(diàn)子晶體(tǐ)管
分子(zǐ)電(diàn)子(zǐ)
有(yǒu)機電子
基本運放電路
二極管和電(diàn)路(lù)
晶體管電(diàn)路(lù)

測(cè)試：
漏(lòu)流
低壓(yā)，電(diàn)阻(zǔ)
LIV
IDDQ
I-V特征分析(xī)
隔離與軌(guǐ)跡電(diàn)阻(zǔ)
溫(wēn)度(dù)係(xì)數(shù)
正向(xiàng)電(diàn)壓(yā)，反(fǎn)向擊(jī)穿(chuān)，漏(lòu)電流(liú)
直(zhí)流參(cān)數(shù)測(cè)試
直流(liú)電(diàn)源
HIPOT
介質(zhì)耐受性(xìng)

雙極(jí)結型晶體管設(shè)計
結型(xíng)場(cháng)效應(yīng)晶體(tǐ)管(guǎn)設計(jì)
金(jīn)屬(shǔ)氧化(huà)物半導體場(cháng)效(xiào)應(yīng)晶體(tǐ)管設計(jì)
太(tài)陽(yáng)能電池和(hé) LED 設(shè)計
高電子遷(qiān)移(yí)率(shuài)晶體管(guǎn)設(shè)計
復(fù)合半導體器(qì)件設計

分析(xī)納米(mǐ)材(cái)料和(hé)實(shí)驗器(qì)件(jiàn)
碳(tàn)納米管的電測量(liáng)標準(zhǔn)
測(cè)量碳(tàn)納(nà)米管電(diàn)氣(qì)特性
提高納米(mǐ)電子和分子電子(zǐ)器件的低(dī)電流測量
在低功(gōng)率和(hé)低(dī)壓(yā)應用(yòng)中實現準確，可(kě)靠的(dí)電(diàn)阻(zǔ)測量(liáng)
納(nà)米級(jí)器件(jiàn)和(hé)材料(liào)的(dí)電氣測(cè)量(liáng)
提高(gāo)超高電(diàn)阻和(hé)電阻率(shuài)測(cè)量(liáng)的可重復性(xìng)
一種微分電(diàn)導的改進測量(liáng)方法
納(nà)米(mǐ)技(jì)術準確電(diàn)氣測(cè)量(liáng)的技術(shù)
納米級材料的電(diàn)氣測量
降低外(wài)部誤(wù)差源影(yǐng)響的儀(yí)器(qì)技術
迎接65nm節(jié)點的測(cè)量(liáng)挑戰
測(cè)量半導體(tǐ)材(cái)料的高電阻(zǔ)率和霍(huò)爾(ěr)電(diàn)壓(yā)
用微微微安(ān)量(liáng)程(chéng)測(cè)量電(diàn)流
柵(zhà)極電介質(zhì)電(diàn)容電(diàn)壓特(tè)性分析(xī)
評估氧化(huà)層(céng)的可靠(kào)性(xìng)

的(dí)半導(dǎo)體(tǐ)器件(jiàn)結構設計(jì)和試(shì)驗低(dī)電(diàn)阻，低功耗(hào)半導體器
輸出極低電(diàn)流和測量(liáng)極低電(diàn)壓分析現代材料，半(bàn)導體(tǐ)和納(nà)米電(diàn)子元(yuán)件(jiàn)的電阻
低(dī)阻(zǔ)測量(低至10nΩ)分析(xī)導(dǎo)通電(diàn)阻參(cān)數(shù)，互連和低功(gōng)率半導(dǎo)體。
用於(yú)*進(jìn)CMOS技(jì)術(shù)的脈衝(chōng)可(kě)靠性測試
高K柵(zhà)極(jí)電介(jiè)質電(diàn)荷俘獲(huò)行(háng)為(wéi)的脈(mài)衝特(tè)性分(fēn)析
用(yòng)6綫(xiàn)歐姆測(cè)量技術進(jìn)行更高準確度的電(diàn)阻測量
配置分立電阻器驗(yàn)證測試(shì)係統(tǒng)
電信(xìn)激光二(èr)極管模塊的高(gāo)吞(tūn)吐率直流生(shēng)產(chǎn)測(cè)試
多(duō)台(tái)數(shù)字源表的觸(chù)發(fā)器(qì)同(tóng)步
高亮度(dù)，可見光LED的生(shēng)產測試
OLED顯示(shì)器的直流(liú)生(shēng)產測(cè)試
在(zài)運行中(zhōng)第5次測量用(yòng)於偏(piān)置溫度(dù)不穩定(dìng)特性分(fēn)析
數(shù)字源(yuán)表的緩(huǎn)衝(chōng)器以及如(rú)何(hé)用這(zhè)兩(liǎng)個緩衝器(qì)獲取多達5000點(diǎn)數(shù)據(jù)
連(lián)接器的生產(chǎn)測試方(fāng)案(àn)
射頻功(gōng)率晶體管(guǎn)的(dí)直(zhí)流電(diàn)氣特性分(fēn)析

1. MOS 電容器
C-V 曲綫(xiàn) (高(gāo)頻：100kHz)：
摻(chān)雜類型 – 氧化層厚(hòu)度 – 平帶電壓(yā) – 閾(yù)值(zhí)電壓 – 襯底(dǐ)摻雜 – zui大耗盡層寬度 – 反型層到平衡(héng)的靈(líng)敏度：電壓(yā)掃描(miáo)率和方(fāng)向 – 光(guāng)效(xiào)應和(hé)溫度(dù)效應。
I-V 曲(qū)綫(xiàn)分析(xī)：
電荷建(jiàn)立(lì) (測量電(diàn)壓(yā) - 時間(jiān)圖，用(yòng)低電(diàn)流源(yuán))； 氧(yǎng)化(huà)層(céng)電容(róng)測定(dìng)； 與(yǔ) C-V 曲(qū)綫比(bǐ)較(jiào)。
C-V 曲(qū)綫 (準靜(jìng)態) 結合 C-V 曲(qū)綫(xiàn)：
表麵電位 Ψs 與施加電(diàn)壓的(dí)關係 – Si (100) 的表麵(miàn)態密度 Dit = f (Ψs) 與(yǔ) Si (111) 的(dí)相比：方(fāng)向和後處理(lǐ)退火的(dí)影響。
C-V 曲(qū)綫 (高頻：100kHz)：
移(yí)動氧(yǎng)化層電荷(hé)密度 (偏壓溫度應力(lì)：200°C，10 分鐘，±10V)
 
2. 雙(shuāng)極結(jié)型晶(jīng)體管
     主題
   正向(xiàng)共(gòng)發(fā)射極(jí)輸出特性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測量(liáng)。
   正向 CE 輸入(rù)特性(xìng)：Ib = f (Vbe) 對(duì)於幾(jī)個(gè) Vce 正(zhèng)值(zhí)。
   正向(xiàng) Gummel 曲綫： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
   確(què)定(dìng)增益 βf = Ic/Ib 和 af。
   Βf 與 log(Ic) 的關(guān)係： 低注(zhù)入和高(gāo)注(zhù)入的效果(guǒ)。
   非理想(xiǎng)特性(xìng)：爾(ěr)利(lì)電壓。
   反(fǎn)向 CE 輸出特(tè)性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
   反向 CE 傳(chuán)輸特(tè)性：Ib=f(Vbe) 對於幾(jī)個(gè)Vce負(fù)值。
   反(fǎn)向(xiàng) Gummel 曲(qū)綫(xiàn)： logIe, logIb=f(Vbc>0).
   確定增(zēng)益 βr = Ie/Ib 和 ar。
   Βr 與 log(Ie) 的(dí)關係(xì)： 低(dī)注(zhù)入和高(gāo)注入(rù)的效果(guǒ)。
   Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確(què)定(dìng)，對於給定(dìng)的 Ib 電(diàn)流(liú)。
   Ebers Moll 模(mó)型(xíng)構(gòu)建(jiàn)並且(qiě)與實驗做(zuò)比較。
   BE 和(hé) CE 結的 C-V 特(tè)性分析(xī)。基(jī)區(qū)摻雜濃(nóng)縮(suō)。
 
3. 亞(yà)微米集成(chéng) MOSFET
輸出(chū)特(tè)性(xìng)：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增強或耗盡(jìn))，溝道長度調(tiáo)製(zhì)參(cān)數(shù)(λ) 在飽(bǎo)和區域 (VDS<–3V) 有效(xiào)溝道長(cháng)度與 VDS 的關(guān)係。
傳輸特性：
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k.  
Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
襯(chèn)底(dǐ)偏壓(yā)特性(xìng)： 
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
亞閾值特性(xìng)：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.
襯(chèn)底電流特(tè)性：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使用(yòng)長(cháng)溝(gōu)道和短溝道(dào)公式的(dí)輸出(chū)特(tè)性(xìng)模(mó)型：比較實(shí)驗結果(guǒ)。

美(měi)國吉時利(lì)KEITHLEY2600數字源(yuán)表(biǎo)進行VCSEL測試
美國吉(jí)時(shí)利KEITHLEY2600測量(liáng)光伏(fú)電池(chí)的I-V特性(xìng)
美(měi)國(guó)吉(jí)時(shí)利KEITHLEY2400係(xì)列數(shù)字源(yuán)表(biǎo)的(dí)SCPI應用(yòng)轉換(huàn)為(wéi)2600係(xì)列源(yuán)表的腳本應(yīng)用
美(měi)國吉(jí)時利(lì)KEITHLEY2600係列(liè)數字源(yuán)表(biǎo)進行IDDQ測試和待機電流測試
使用(yòng)兩台美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2600型(xíng)數字源表(biǎo)輸出(chū)2A電流
美(měi)國吉(jí)時利KEITHLEY2600或其(qí)它非脈(mài)衝模式(shì)源表產生電流(liú) (或電壓) 脈衝
美國(guó)吉時利KEITHLEY2600係列數字源表(biǎo)提升多引(yǐn)腳(jiǎo)器(qì)件(jiàn)的生(shēng)產量
美國(guó)吉時利(lì)KEITHLEY2602數(shù)字源表創建可(kě)擴縮(suō)，多引(yǐn)腳，多功(gōng)能(néng)IC測試係統(tǒng)
美(měi)國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2602數字源(yuán)表對激(jī)光二極管模塊(kuài)和VCSEL進行高(gāo)吞(tūn)吐率直流生產測試
美(měi)國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2600係列數字(zì)源表(biǎo)進(jìn)行二極(jí)管(guǎn)生產測試
美國(guó)吉(jí)時(shí)利(lì)KEITHLEY2600係(xì)列數字(zì)源表進行高亮度，可(kě)見光LED的生產測試(shì)
美國(guó)吉時利KEITHLEY2600係列(liè)數(shù)字(zì)源(yuán)表進行IDDQ測(cè)試(shì)和待機(jī)電(diàn)流測試(shì)
美國(guó)吉(jí)時(shí)利KEITHLEY2600 數字源(yuán)表驗(yàn)證(zhèng)變(biàn)阻器(qì)
美(měi)國吉時利(lì)KEITHLEY2600係(xì)列(liè)源表進行電池(chí)放(fàng)電(diàn)/充電(diàn)周期(qī)
美國吉時利KEITHLEY2600配(pèi)置電阻網(wǎng)絡的(dí)生產測(cè)試係(xì)統(tǒng)
美國吉(jí)時利KEITHLEY2651 2kW 脈衝(chōng)源表進行大電流(liú)變(biàn)阻(zǔ)器(qì)的(dí)生產測試(shì)
美(měi)國吉時(shí)利(lì)KEITHLEY2600數字(zì)源表(biǎo)進行熱敏電阻(zǔ)的(dí)生產(chǎn)測(cè)試

2604B美(měi)國吉(jí)時利(lì)keithley源(yuán)表SMU，雙通道（100fA，40V，3A直(zhí)流(liú)/10A脈(mài)衝(chōng)），台(tái)式(shì)版(bǎn)本
源(yuán)/測(cè)量功能    - 雙通道型號具有80W輸出功率（40W/通道(dào)）
    - 4象限(xiàn)源/測量(liáng)具(jù)有(yǒu)6位(wèi)半分(fēn)辨率
    - 電流(liú)zui大值(zhí)/zui小(xiǎo)值：3A直流，10A脈衝(chōng)/100fA
    - 電壓zui大值(zhí)/zui小(xiǎo)值：40V/100nV
一般特性    - 內建“即插即用”基(jī)於(yú)Java的I-V特性(xìng)分析和測(cè)試(shì)軟件
    - TSP®（測(cè)試腳(jiǎo)本處理(lǐ)）技(jì)術(shù)在(zài)測量(liáng)儀(yí)器內嵌入了(liǎo)完整測(cè)試程序
    - TSP-Link®擴展(zhǎn)技(jì)術麵向多(duō)通道並(bìng)行測試(shì)
    - 軟(ruǎn)件仿真(zhēn)基於(yú)吉時(shí)利2400源(yuán)表(biǎo)SMU
    - 大屏幕(mù)，易(yì)於閱(yuè)讀，雙(shuāng)行顯(xiǎn)示

2604B源表SMU是具(jù)有(yǒu)zui高(gāo)性價(jià)比(bǐ)的雙通(tōng)道SMU。其(qí)緊(jǐn)密(mì)集(jí)成的(dí)4象限(xiàn)設(shè)計(jì)能(néng)同步源(yuán)和測(cè)量電(diàn)壓/電流以提高研發和台(tái)式(shì)應(yīng)用(yòng)的生產(chǎn)率。2604B配備(bèi)了吉時(shí)利高(gāo)速TSP®技術，其速度比傳統PC至儀(yí)器(qì)的通信(xìn)技(jì)術快200%。2604B用於台(tái)式(shì)應用，因(yīn)此不(bù)具有2602B源表(biǎo)SMU的，係(xì)統(tǒng)級自動化特(tè)性(xìng)，包括數(shù)字I/O，TSP®-Link技術和接觸檢查功(gōng)能。3A直(zhí)流，10A脈(mài)衝(chōng)和(hé)40V輸出的寬(kuān)量程(chéng)使2604B適於(yú)測(cè)試寬範(fàn)圍(wéi)的(dí)大(dà)電流器(qì)件，材料，組件和分裝件(jiàn)。

標(biāo)配(pèi)件
2600-KIT螺(luó)釘端子(zǐ)連接器套(tào)件
2600B源(yuán)表CD
2600B快速(sù)使用指南(nán)
適用於(yú)2600B的2400仿(fǎng)真腳本(běn)
7709-308A 型DB50公連(lián)接器套件（焊杯(bēi)），帶(dài)外(wài)殼
CA-180-3A型TSP-Link電纜(lǎn)
KTS-850E02,測試腳本創建軟(ruǎn)件(jiàn)CD套(tào)件

2604B美國(guó)吉(jí)時(shí)利keithley源表SMU可選配件(jiàn)
2600-BAN型(xíng)SMUt輸(shū)出(chū)至香(xiāng)蕉頭測試(shì)綫/適(shì)配(pèi)器電纜
2600-KIT螺(luó)釘(dīng)端子連接器(qì)套(tào)件
7078-TRX -1型低(dī)噪聲(shēng)三(sān)同(tóng)軸(zhóu)電纜，長度為(wéi)0.3米（1 ft），（適(shì)用(yòng)於236，237，238，6514，6517A，7072）
7078-TRX -3型低噪聲三(sān)同(tóng)軸電纜，長(cháng)度為0.9米(mǐ)（3 ft），（適(shì)用於(yú)236，237，238，6514，6517A，7072）
7078-TRX -5型(xíng)低(dī)噪(zào)聲三(sān)同軸(zhóu)電纜，長度為1.5米(mǐ)（5 ft），（適(shì)用(yòng)於(yú)236，237，238，6514，6517A，7072）
7078-TRX -10型(xíng)低噪(zào)聲三同(tóng)軸電纜(lǎn)，長度(dù)為(wéi)3米（10 ft），（適用於(yú)236，237，238，6514，6517A，7072）
7078-TRX -12型低噪(zào)聲三(sān)同軸電(diàn)纜，長(cháng)度為(wéi)3.5米（12 ft），（適(shì)用(yòng)於(yú)236，237，238，6514，6517A，7072）
7078-TRX -20型低噪(zào)聲三同軸電(diàn)纜(lǎn)，長度(dù)為6.1米（20 ft），（適用(yòng)於236，237，238，6514，6517A，7072）
7078-TRX- GND型無(wú)防(fáng)護3槽公(gōng)三同軸(zhóu)至BNC適配(pèi)器(qì)（適用於236，237，238，4801，6517A，7051，7072，7072-HV）
8606型高(gāo)性能(néng)模(mó)塊化探頭套(tào)件（適(shì)用(yòng)於2000，2001，2002，2010，2400係列(liè)）
2600-TLINK型(xíng)數字I/O至TLINK適(shì)配(pèi)電(diàn)纜(lǎn)，長度為1米(mǐ)
CA-180-3A型(xíng)TSP-Link電纜
7007-1：雙層屏(píng)蔽(bì)高級GPIB接口(kǒu)電纜(lǎn)，長度(dù)1米（3.3ft）（用(yòng)於(yú)GPIB互連）
7007-2：雙層(céng)屏(píng)蔽高級(jí)GPIB接口電纜(lǎn)，長度(dù)2米（6.6ft）（用於GPIB互連(lián)）
KUSB-488A型(xíng)IEEE-488.2 USB-GPIB接口適配器，適用(yòng)於(yú)USB接口，內(nèi)置2米（6.6ft）電纜(lǎn)
4299-1型單(dān)機架(jià)安裝套件，帶前(qián)支(zhī)架(jià)和後支架(jià)
4299-2型(xíng)雙(shuāng)機架安裝套件(jiàn)，帶(dài)前支架和後支架(jià)
 

2604BSMU配套產(chǎn)品
Model 3706A Six-Slot System Switch with High Performance DMM
Model 3706A-NFP Six-Slot System Switch with High Performance DMM, without Front Panel Display and Keypad
Model 3706A-S Six-Slot System Switch
Model 3706A-SNFP Six-Slot System Switch, without Front Panel Display and Keypad
Model 707B 6-Slot, Semiconductor Switching Matrix w/ up to 576 Crosspoints - New Features and Improved Performance
7001，7001型(xíng)80通道程控開關控製器(qì)
ACS自動(dòng)特(tè)征分析(xī)套(tào)件(jiàn)係統

2604BSMU係(xì)列產品
2601B源表(biǎo)SMU，單通道(dào)（100fA，40V，3A直(zhí)流/10A脈衝）
2602B源表SMU，雙(shuāng)通道(dào)（100fA，40V，3A直(zhí)流/10A脈衝(chōng)）
2611B源(yuán)表SMU，單(dān)通(tōng)道（100fA，200V，1.5A直(zhí)流(liú)/10A脈(mài)衝）
2612B源表SMU，雙(shuāng)通道（100fA，200V，1.5A直流/10A脈(mài)衝）
2635B源(yuán)表SMU，單(dān)通(tōng)道（0.1fA，200V，1.5A直(zhí)流/10A脈衝）
2636B源表SMU，雙通道(dào)（0.1fA，200V，1.5A直流/10A脈(mài)衝）
2614B源(yuán)表(biǎo)SMU，雙(shuāng)通(tōng)道（100fA，200V，1.5A直(zhí)流/10A脈衝(chōng)），台(tái)式版(bǎn)本(běn)
2634B源(yuán)表SMU，雙(shuāng)通(tōng)道（1fA，200V，1.5A直流/10A脈衝），台式版本