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產(chǎn)品特性Product characteristics

    中(zhōng)國(guó)電(diàn)子行(háng)業儀(yí)器優(yōu)質(zhì)供(gōng)應(yīng)商——堅(jiān)融(róng)實業(yè)JETYOO INDUSTRIAL & 堅友(yǒu)儀器(qì)JETYOO INSTRUMENTS，專(zhuān)業(yè)為(wéi)中國區用(yòng)戶提供(gōng)*進(jìn)的(dí)儀器設(shè)備
，技術(shù)方(fāng)案(àn)與(yǔ)售後(hòu)服務，Support
，銷售(shòu)Sale
，服務(wù)Service，3S公司，為上(shàng)海(hǎi)華東地(dì)區(qū)一家(jiā)以技術為導(dǎo)向(xiàng)的儀(yí)器(qì)綜合服務商，是(shì)您(nín)值(zhí)得信賴(lài)的(dí)電子行(háng)業儀器專(zhuān)家。

美國吉時利(lì)KEITHLEY數字源(yuán)表(biǎo)2600B係(xì)列(liè)研究領域：
各種器件(jiàn)的(dí)I-V功能測試(shì)和(hé)特征分析，包(bāo)括：
 離散和無源(yuán)元件(jiàn) 
–兩抽(chōu)頭器(qì)件——傳感器
，磁盤驅動器頭(tóu)
，金(jīn)屬氧(yǎng)化物可變電阻(zǔ)（MOV）
，二極(jí)管
，齊(qí)納二(èr)極管(guǎn)
，電(diàn)容
，熱(rè)敏電(diàn)阻
–三(sān)抽頭(tóu)器件——小信(xìn)號雙(shuāng)極結型晶體管（BJT）
，場效應晶體管（FET）等等(děng) 
 簡(jiǎn)單IC器(qì)件——光(guāng)學(xué)器件
，驅(qū)動(dòng)器(qì)
，開(kāi)關
，傳感(gǎn)器(qì)
 集成器件——小規模(mó)集成（SSI）和大(dà)規模集成（LSI）
–模(mó)擬IC 
–射頻集(jí)成電路（RFIC）
–集(jí)成電路(lù)（ASIC）
–片(piàn)上(shàng)係(xì)統（SoC）器(qì)件(jiàn)
 光(guāng)電器件(jiàn)，例如發光二(èr)極管（LED）
，激光二(èr)極管
，高(gāo)亮度(dù)LED（HBLED）
，垂直腔麵發射激(jī)光器（VCSEL）
，顯(xiǎn)示(shì)器
 圓(yuán)片級可靠性
- NBTI
，TDDB
，HCI
，電遷(qiān)移
 太(tài)陽能電池
 電池
暫態(tài)抑(yì)製(zhì)器件
IC
，RFIC
，MMIC
激光(guāng)二極管(guǎn)
，激(jī)光(guāng)二極管(guǎn)模(mó)塊
，LED
，光電(diàn)檢測(cè)器
電(diàn)路保護(hù)器件:
TVS
，MOV
，熔(róng)絲(sī)
安(ān)全氣囊
連(lián)接器
，開關
，繼(jì)電(diàn)器(qì)
碳(tàn)納(nà)米管
半導(dǎo)體納(nà)米綫
碳(tàn)納(nà)米管(guǎn) FET
納米傳感器和陣列
單電子(zǐ)晶(jīng)體(tǐ)管(guǎn)
分子電(diàn)子
有機(jī)電子
基(jī)本運放電(diàn)路
二極管和(hé)電(diàn)路
晶(jīng)體管(guǎn)電(diàn)路

測試：
漏(lòu)流(liú)
低(dī)壓
，電阻(zǔ)
LIV
IDDQ
I-V特征分(fēn)析
隔離(lí)與軌跡電(diàn)阻(zǔ)
溫(wēn)度係數(shù)
正(zhèng)向電(diàn)壓
，反向擊穿
，漏電(diàn)流
直(zhí)流(liú)參(cān)數(shù)測試(shì)
直(zhí)流電(diàn)源
HIPOT
介質耐受性

雙極結型(xíng)晶體管設計(jì)
結(jié)型場效應晶(jīng)體管(guǎn)設(shè)計(jì)
金屬氧(yǎng)化物(wù)半導體(tǐ)場效應晶體管設計(jì)
太陽(yáng)能電池(chí)和(hé) LED 設(shè)計
高電(diàn)子(zǐ)遷(qiān)移(yí)率晶體管(guǎn)設計(jì)
復合半導(dǎo)體器件設(shè)計

分析納米(mǐ)材料和(hé)實驗器(qì)件
碳納米(mǐ)管(guǎn)的電(diàn)測(cè)量(liáng)標準(zhǔn)
測(cè)量(liáng)碳(tàn)納(nà)米管(guǎn)電(diàn)氣(qì)特(tè)性
提(tí)高納米(mǐ)電子和分(fēn)子電子器件的低(dī)電流測(cè)量
在(zài)低功(gōng)率和低壓應(yīng)用(yòng)中實(shí)現準(zhǔn)確(què)
，可(kě)靠(kào)的電(diàn)阻(zǔ)測量(liáng)
納(nà)米級器件和材料(liào)的(dí)電氣測(cè)量
提高超(chāo)高(gāo)電阻(zǔ)和電(diàn)阻率測量的(dí)可重復(fù)性
一種微分電導(dǎo)的(dí)改(gǎi)進測量(liáng)方法
納米技術準(zhǔn)確電(diàn)氣測量(liáng)的技術
納米級(jí)材料的(dí)電氣測(cè)量(liáng)
降低外(wài)部(bù)誤(wù)差源(yuán)影響的儀器(qì)技(jì)術
迎接(jiē)65nm節(jié)點的測量(liáng)挑戰
測量半導體材料(liào)的(dí)高電阻(zǔ)率(shuài)和霍爾(ěr)電(diàn)壓
用微微(wēi)微安量(liáng)程(chéng)測(cè)量電(diàn)流(liú)
柵(zhà)極(jí)電介質電容電(diàn)壓特性分(fēn)析(xī)
評估氧化層(céng)的可靠性

的(dí)半導(dǎo)體器(qì)件結(jié)構設計和試驗低(dī)電阻
，低功耗半導(dǎo)體(tǐ)器
輸出極低電(diàn)流和(hé)測(cè)量極(jí)低電壓(yā)分析現代材料
，半導體和(hé)納米電子(zǐ)元(yuán)件的電阻(zǔ)
低阻測(cè)量(liáng)(低至(zhì)10nΩ)分析導通(tōng)電阻參數
，互(hù)連和低功率半導體。
用於*進CMOS技術的脈衝(chōng)可靠(kào)性(xìng)測試
高(gāo)K柵極電(diàn)介質電荷(hé)俘(fú)獲(huò)行為的脈(mài)衝(chōng)特性(xìng)分析(xī)
用6綫(xiàn)歐(ōu)姆(mǔ)測量(liáng)技(jì)術(shù)進(jìn)行更(gēng)高準確度的電阻測量
配置(zhì)分(fēn)立(lì)電阻(zǔ)器(qì)驗(yàn)證(zhèng)測試係統
電(diàn)信激(jī)光二極管(guǎn)模塊(kuài)的高吞(tūn)吐率(shuài)直(zhí)流生(shēng)產(chǎn)測(cè)試
多台數字源表(biǎo)的(dí)觸發器(qì)同步(bù)
高(gāo)亮(liàng)度
，可(kě)見(jiàn)光LED的生產測(cè)試(shì)
OLED顯示器(qì)的直(zhí)流(liú)生產測(cè)試
在運行中第5次(cì)測量(liáng)用(yòng)於(yú)偏置溫度(dù)不穩定特(tè)性分析
數(shù)字(zì)源表(biǎo)的緩(huǎn)衝器(qì)以(yǐ)及如何(hé)用這(zhè)兩(liǎng)個緩(huǎn)衝器獲(huò)取(qǔ)多達5000點數(shù)據
連接(jiē)器的(dí)生(shēng)產(chǎn)測(cè)試(shì)方案(àn)
射頻功率晶(jīng)體(tǐ)管(guǎn)的直流(liú)電(diàn)氣特性分(fēn)析

1. MOS 電(diàn)容(róng)器
C-V 曲綫 (高頻：100kHz)：
摻(chān)雜類型 – 氧化層厚度(dù) – 平帶(dài)電壓 – 閾(yù)值電壓(yā) – 襯(chèn)底(dǐ)摻雜(zá) – zui大(dà)耗盡層(céng)寬(kuān)度(dù) – 反型(xíng)層到平衡(héng)的(dí)靈敏度：電壓掃描率和(hé)方向 – 光效(xiào)應(yīng)和溫度效(xiào)應。
I-V 曲(qū)綫分(fēn)析：
電荷建立 (測(cè)量電(diàn)壓(yā) - 時間圖，用(yòng)低(dī)電(diàn)流源(yuán))； 氧化層電容測定； 與 C-V 曲(qū)綫(xiàn)比(bǐ)較(jiào)。
C-V 曲(qū)綫 (準靜(jìng)態(tài)) 結合 C-V 曲(qū)綫：
表(biǎo)麵(miàn)電(diàn)位 Ψs 與施(shī)加(jiā)電壓的(dí)關係(xì) – Si (100) 的(dí)表麵(miàn)態密度(dù) Dit = f (Ψs) 與 Si (111) 的相(xiāng)比(bǐ)：方向和後處(chǔ)理退火(huǒ)的影(yǐng)響(xiǎng)。
C-V 曲綫(xiàn) (高頻(pín)：100kHz)：
移動氧(yǎng)化(huà)層電荷(hé)密(mì)度 (偏壓溫(wēn)度(dù)應(yīng)力：200°C，10 分(fēn)鐘(zhōng)，±10V)
 
2. 雙極(jí)結型晶體(tǐ)管
     主題(tí)
   正(zhèng)向(xiàng)共(gòng)發射(shè)極輸出特(tè)性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測(cè)量。
   正向(xiàng) CE 輸入特性(xìng)：Ib = f (Vbe) 對於幾(jī)個 Vce 正(zhèng)值。
   正向(xiàng) Gummel 曲綫(xiàn)： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
   確定增(zēng)益 βf = Ic/Ib 和 af。
   Βf 與 log(Ic) 的關係： 低(dī)注入和(hé)高(gāo)注入的效(xiào)果。
   非(fēi)理(lǐ)想特性：爾(ěr)利(lì)電壓(yā)。
   反(fǎn)向(xiàng) CE 輸出特性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
   反向 CE 傳(chuán)輸(shū)特(tè)性：Ib=f(Vbe) 對(duì)於(yú)幾個(gè)Vce負(fù)值(zhí)。
   反向(xiàng) Gummel 曲(qū)綫： logIe, logIb=f(Vbc>0).
   確(què)定增(zēng)益 βr = Ie/Ib 和(hé) ar。
   Βr 與 log(Ie) 的(dí)關係： 低(dī)注入和高(gāo)注(zhù)入(rù)的效(xiào)果。
   Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定，對(duì)於給定的(dí) Ib 電(diàn)流。
   Ebers Moll 模型(xíng)構(gòu)建(jiàn)並且與實(shí)驗做比較。
   BE 和 CE 結(jié)的 C-V 特性分(fēn)析(xī)。基(jī)區摻(chān)雜(zá)濃縮(suō)。
 
3. 亞微(wēi)米集(jí)成 MOSFET
輸出特(tè)性(xìng)：IDS = f(VDS,VGS):
p型(xíng) MOSFET (增強或耗盡)，溝(gōu)道長度調製參數(λ) 在飽(bǎo)和區(qū)域(yù) (VDS<–3V) 有(yǒu)效(xiào)溝道(dào)長(cháng)度與 VDS 的關(guān)係。
傳輸(shū)特(tè)性：
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k.  
Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
襯底偏(piān)壓特性： 
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
亞閾值(zhí)特性：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.
襯底(dǐ)電流(liú)特(tè)性：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使(shǐ)用長溝道(dào)和(hé)短溝道公式的(dí)輸出(chū)特性模型(xíng)：比較實(shí)驗(yàn)結果(guǒ)。

美(měi)國吉時利KEITHLEY2600數(shù)字(zì)源(yuán)表進(jìn)行(háng)VCSEL測(cè)試(shì)
美國吉(jí)時利KEITHLEY2600測量光(guāng)伏(fú)電池的(dí)I-V特性
美國吉(jí)時利(lì)KEITHLEY2400係列數字(zì)源表(biǎo)的SCPI應(yīng)用(yòng)轉(zhuǎn)換為2600係列源(yuán)表(biǎo)的腳本應(yīng)用(yòng)
美國吉時(shí)利KEITHLEY2600係(xì)列數(shù)字(zì)源表進(jìn)行IDDQ測試(shì)和(hé)待(dài)機電流測(cè)試
使用兩台(tái)美國吉時利KEITHLEY2600型數字(zì)源(yuán)表輸(shū)出2A電(diàn)流
美國吉時利KEITHLEY2600或其它非脈(mài)衝模式源(yuán)表產生電(diàn)流 (或電(diàn)壓) 脈衝(chōng)
美國吉時利KEITHLEY2600係列數(shù)字(zì)源(yuán)表提升多引(yǐn)腳(jiǎo)器(qì)件(jiàn)的生產量(liáng)
美國吉(jí)時(shí)利KEITHLEY2602數字源表創(chuàng)建可(kě)擴縮(suō)
，多(duō)引(yǐn)腳(jiǎo)
，多功(gōng)能IC測試係(xì)統
美國吉時(shí)利KEITHLEY2602數字源表對(duì)激光二極管模塊(kuài)和(hé)VCSEL進行高(gāo)吞吐(tǔ)率直流生(shēng)產測試(shì)
美國(guó)吉(jí)時利(lì)KEITHLEY2600係(xì)列(liè)數(shù)字(zì)源表進(jìn)行二(èr)極管生(shēng)產(chǎn)測試(shì)
美國吉時利(lì)KEITHLEY2600係(xì)列數(shù)字(zì)源(yuán)表進(jìn)行高亮度
，可見(jiàn)光LED的(dí)生產(chǎn)測試
美(měi)國(guó)吉時利(lì)KEITHLEY2600係列數字(zì)源表(biǎo)進(jìn)行IDDQ測(cè)試和待機(jī)電流測(cè)試(shì)
美國(guó)吉時利KEITHLEY2600 數字(zì)源表(biǎo)驗證(zhèng)變(biàn)阻(zǔ)器
美(měi)國(guó)吉時利KEITHLEY2600係(xì)列(liè)源表進(jìn)行(háng)電池(chí)放(fàng)電/充電周(zhōu)期(qī)
美(měi)國(guó)吉(jí)時利(lì)KEITHLEY2600配(pèi)置電阻(zǔ)網絡的生(shēng)產測試係(xì)統
美(měi)國吉時利KEITHLEY2651 2kW 脈衝源表進行大(dà)電流(liú)變阻器的生產測(cè)試(shì)
美(měi)國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2600數字(zì)源(yuán)表進行熱敏電(diàn)阻的生產測(cè)試

2611B美(měi)國吉時利KEITHLEY數字源(yuán)表SMU，單(dān)通道(dào)（100fA
，200V
，1.5A直(zhí)流(liú)/10A脈衝(chōng)）
源(yuán)/測量(liáng)功能(néng)  

- 單(dān)通(tōng)道型號(hào)具(jù)有30W輸出功率(shuài)
    - 4象(xiàng)限(xiàn)源/測(cè)量具有(yǒu)6位(wèi)半分(fēn)辨(biàn)率
    - 電流(liú)zui大值/zui小值：1.5A直(zhí)流
，10A脈衝/100fA
    - 電壓(yā)zui大值(zhí)/zui小(xiǎo)值：200V/100nV

一般(bān)特性(xìng)  

- 內(nèi)建(jiàn)“即(jí)插即用"基於(yú)Java的I-V特性分析(xī)和測(cè)試軟件(jiàn)
    - TSP®（測試腳本處(chǔ)理）技術(shù)在測(cè)量儀(yí)器內(nèi)嵌入(rù)了完整測(cè)試程序
    - TSP-Link®擴(kuò)展技術麵向多通道(dào)並(bìng)行測試
    - 軟件仿真(zhēn)基(jī)於(yú)吉時利(lì)2400源表SMU
    - 大(dà)屏(píng)幕
，易於閱讀(dú)
，雙行顯(xiǎn)示

作為2600B係列(liè)源表(biǎo)SMU係(xì)列產(chǎn)品的一部(bù)分，2611B源表SMU是全(quán)新(xīn)改良版單(dān)通(tōng)道(dào)SMU，具(jù)有(yǒu)緊(jǐn)密集(jí)成的(dí)4象限(xiàn)設計(jì)，能(néng)同(tóng)步(bù)源(yuán)和測(cè)量電壓/電流以提高研發到(dào)自動生產測(cè)試等(děng)應(yīng)用(yòng)的生產(chǎn)率。除(chú)保留了(liǎo)2611A的全部(bù)產品特(tè)點外，2611B還(huán)具有6位半(bàn)分辨率
，USB 2.0連(lián)接(jiē)性(xìng)以及(jí)能(néng)輕鬆(sōng)移(yí)植遺留測試代碼(mǎ)的(dí)2400源表(biǎo)SMU軟件(jiàn)指令仿(fǎng)真(zhēn)。2611B配備了吉(jí)時利的高速TSP®技術（比(bǐ)傳統PC至儀器(qì)的通信技(jì)術快(kuài)200%），這極(jí)大提(tí)高了係統級(jí)速(sù)度(dù)，降(jiàng)低了測試成本(běn)。TSP-Link®接口實現了多(duō)通道並行測試並(bìng)擴展(zhǎn)了(liǎo)測試(shì)係統(tǒng)，沒(méi)有主機開(kāi)銷。1.5A直(zhí)流
，10A脈衝(chōng)和200V輸(shū)出(chū)的(dí)寬量程(chéng)讓2611B適於(yú)測試(shì)寬(kuān)範圍較(jiào)高電壓和(hé)較大電流器(qì)件
，材料(liào)
，組件和(hé)分(fēn)裝件(jiàn)。

標(biāo)配件
2600-KIT螺(luó)釘(dīng)端子(zǐ)連接器(qì)套件(jiàn)
2600B源表CD
2600B快(kuài)速使用指(zhǐ)南
適用(yòng)於(yú)2600B的2400仿真腳本(běn)
7709-308A 型DB50公連(lián)接(jiē)器(qì)套(tào)件（焊(hàn)杯(bēi)），帶外(wài)殼
CA-180-3A型(xíng)TSP-Link電纜
KTS-850E02,測(cè)試腳本(běn)創建軟件(jiàn)CD套件(jiàn)

2611B可選配件(jiàn)
2600-BAN型(xíng)SMUt輸出(chū)至香蕉(jiāo)頭(tóu)測(cè)試綫(xiàn)/適配器電(diàn)纜(lǎn)
2600-KIT螺(luó)釘(dīng)端(duān)子(zǐ)連(lián)接器套(tào)件
7078-TRX -1型(xíng)低(dī)噪聲三同(tóng)軸(zhóu)電(diàn)纜(lǎn)，長(cháng)度為0.3米(mǐ)（1 ft），（適用(yòng)於(yú)236
，237
，238
，6514
，6517A
，7072）
7078-TRX -3型低噪聲三(sān)同軸電(diàn)纜(lǎn)，長度為(wéi)0.9米（3 ft），（適用於(yú)236
，237
，238
，6514
，6517A
，7072）
7078-TRX -5型(xíng)低噪聲三同軸電纜，長度為1.5米(mǐ)（5 ft），（適用於(yú)236
，237
，238
，6514
，6517A
，7072）
7078-TRX -10型低噪(zào)聲三(sān)同(tóng)軸(zhóu)電(diàn)纜，長度為3米（10 ft），（適(shì)用(yòng)於236
，237
，238
，6514
，6517A
，7072）
7078-TRX -12型低噪(zào)聲三同(tóng)軸(zhóu)電纜，長(cháng)度為3.5米（12 ft），（適用於236
，237
，238
，6514
，6517A
，7072）
7078-TRX -20型低噪聲(shēng)三同軸電(diàn)纜(lǎn)，長(cháng)度(dù)為(wéi)6.1米(mǐ)（20 ft），（適(shì)用於236
，237
，238
，6514
，6517A
，7072）
7078-TRX- GND型無防(fáng)護3槽(cáo)公三同(tóng)軸(zhóu)至BNC適配(pèi)器（適(shì)用(yòng)於(yú)236
，237
，238
，4801
，6517A
，7051
，7072
，7072-HV）
8606型高性能(néng)模(mó)塊化(huà)探頭套件（適(shì)用於2000
，2001
，2002
，2010
，2400係列）
2600-TLINK型數字I/O至TLINK適配電(diàn)纜，長(cháng)度(dù)為(wéi)1米
CA-180-3A型TSP-Link電(diàn)纜
7007-1：雙(shuāng)層屏(píng)蔽高級GPIB接(jiē)口電(diàn)纜，長度1米（3.3ft）（用(yòng)於GPIB互(hù)連）
7007-2：雙(shuāng)層屏(píng)蔽高級(jí)GPIB接(jiē)口(kǒu)電(diàn)纜，長度(dù)2米(mǐ)（6.6ft）（用(yòng)於GPIB互連）
KUSB-488A型IEEE-488.2 USB-GPIB接口適配器，適用於(yú)USB接(jiē)口，內置2米(mǐ)（6.6ft）電纜
4299-1型(xíng)單機架安(ān)裝(zhuāng)套(tào)件，帶前支架和後(hòu)支架
4299-2型雙(shuāng)機(jī)架(jià)安裝套件，帶(dài)前支架(jià)和後(hòu)支(zhī)架
8101-PIV，8101-PIV型(xíng)成分測試夾具-優化(huà)低(dī)電(diàn)壓設(shè)備測試
SC-200型屏蔽雙(shuāng)絞綫(xiàn)電(diàn)纜
KPCI-488LPA，KPCI-488LPA型 IEEE-488.2 PCI Bus 插件板(bǎn)
4299-5 1U通風麵板

2611B SMU配套產品(pǐn)
Model 3706A Six-Slot System Switch with High Performance DMM
Model 3706A-NFP Six-Slot System Switch with High Performance DMM, without Front Panel Display and Keypad
Model 3706A-S Six-Slot System Switch
Model 3706A-SNFP Six-Slot System Switch, without Front Panel Display and Keypad
Model 707B 6-Slot, Semiconductor Switching Matrix w/ up to 576 Crosspoints - New Features and Improved Performance
7001，7001型(xíng)80通(tōng)道程(chéng)控開關控製(zhì)器
ACS自動(dòng)特(tè)征(zhēng)分析套件(jiàn)係統(tǒng)

SMU係列(liè)產(chǎn)品
2601B源表SMU，單通(tōng)道(dào)（100fA
，40V
，3A直流/10A脈衝）
2602B源表SMU，雙(shuāng)通道(dào)（100fA
，40V
，3A直流(liú)/10A脈衝）
2612B源表(biǎo)SMU，雙(shuāng)通(tōng)道（100fA
，200V
，1.5A直(zhí)流/10A脈(mài)衝）
2635B源(yuán)表SMU，單(dān)通道（0.1fA
，200V
，1.5A直流/10A脈(mài)衝）
2636B源表SMU，雙通道(dào)（0.1fA
，200V
，1.5A直(zhí)流/10A脈衝）
2604B源表SMU，雙(shuāng)通(tōng)道（100fA
，40V
，3A直(zhí)流/10A脈衝），台式版(bǎn)本
2614B源(yuán)表SMU，雙(shuāng)通道（100fA
，200V
，1.5A直流/10A脈(mài)衝(chōng)），台式版本(běn)
2634B源表SMU，雙通道(dào)（1fA
，200V
，1.5A直流/10A脈衝），台式(shì)版(bǎn)本
2611A型(xíng)單通(tōng)道(dào)係統數字(zì)源表（200V，10A脈衝(chōng)）