上(shàng)一篇(piān):2611B美國吉(jí)時(shí)利KEITHLEY數字(zì)源表(biǎo)
產品(pǐn)名(míng)稱(chēng):美(měi)國(guó)吉(jí)時(shí)利(lì)keithley源(yuán)表SMU
產品型號:2636B
更新時間(jiān):2025-06-07
產品(pǐn)簡介:
2636B源(yuán)表IC,RFIC,MMIC激(jī)光(guāng)二極管(guǎn),激光(guāng)二極(jí)管(guǎn)模塊,LED,光電檢測器電路保護(hù)器(qì)件:TVS,MOV,熔(róng)絲安全(quán)氣(qì)囊連(lián)接(jiē)器,開關(guān),繼電器碳(tàn)納米管(guǎn)半導(dǎo)體納米(mǐ)綫碳納(nà)米(mǐ)管 FET納米(mǐ)傳(chuán)感器(qì)和陣列單電子(zǐ)晶體(tǐ)管分(fēn)子(zǐ)電子有機(jī)電子基本運放電路二極管和電路晶體管電路
中國(guó)電子行業儀器優(yōu)質(zhì)供(gōng)應商(shāng)——堅(jiān)融實(shí)業(yè)JETYOO INDUSTRIAL,Support,銷售Sale,服務Service,3S公(gōng)司,提(tí)供解(jiě)決方案(àn),測試測量技術(shù)改進,技(jì)術(shù)培(péi)訓,采(cǎi)購(gòu)管理(lǐ),售後(hòu)維(wéi)修(xiū)服務。
吉(jí)時利KEITHLEY2600B係列源表研究領域:
各種器件的I-V功能測試和(hé)特(tè)征分析(xī),包(bāo)括(kuò):
離散和(hé)無(wú)源元件(jiàn)
–兩抽頭器件(jiàn)——傳(chuán)感器(qì),磁(cí)盤驅(qū)動器頭(tóu),金屬(shǔ)氧化物可(kě)變(biàn)電阻(MOV),二(èr)極(jí)管(guǎn),齊納(nà)二極(jí)管,電容(róng),熱敏電阻
–三抽頭(tóu)器(qì)件(jiàn)——小(xiǎo)信(xìn)號(hào)雙極結型(xíng)晶體管(BJT),場(cháng)效應(yīng)晶體管(FET)等等
簡單(dān)IC器(qì)件——光(guāng)學(xué)器件,驅(qū)動器(qì),開(kāi)關,傳感(gǎn)器(qì)
集成器件——小(xiǎo)規(guī)模集(jí)成(chéng)(SSI)和大(dà)規模集成(LSI)
–模擬IC
–射頻(pín)集(jí)成電(diàn)路(lù)(RFIC)
–集成電(diàn)路(ASIC)
–片上(shàng)係統(SoC)器件
光電器件(jiàn),例(lì)如發(fā)光(guāng)二極(jí)管(guǎn)(LED),激(jī)光二極管,高亮(liàng)度LED(HBLED),垂(chuí)直腔麵(miàn)發射(shè)激(jī)光(guāng)器(VCSEL),顯示(shì)器
圓(yuán)片級可靠性
- NBTI,TDDB,HCI,電遷移
太(tài)陽能(néng)電池(chí)
電池
暫(zàn)態抑(yì)製器件
IC,RFIC,MMIC
激光二極管,激(jī)光(guāng)二(èr)極(jí)管(guǎn)模塊,LED,光(guāng)電檢測器
電路保(bǎo)護器(qì)件:
TVS,MOV,熔(róng)絲(sī)
安全(quán)氣囊
連(lián)接器,開關,繼(jì)電(diàn)器(qì)
碳納(nà)米管
半導(dǎo)體(tǐ)納(nà)米(mǐ)綫
碳納(nà)米管(guǎn) FET
納米傳感器和陣(zhèn)列
單(dān)電(diàn)子(zǐ)晶體(tǐ)管(guǎn)
分子(zǐ)電子
有機(jī)電(diàn)子
基本(běn)運(yùn)放電路
二(èr)極管(guǎn)和電(diàn)路
晶體(tǐ)管(guǎn)電路
測試:
漏流
低壓,電阻
LIV
IDDQ
I-V特(tè)征(zhēng)分(fēn)析(xī)
隔離與(yǔ)軌跡電阻
溫(wēn)度係數(shù)
正(zhèng)向電(diàn)壓,反(fǎn)向擊(jī)穿,漏電流
直(zhí)流參(cān)數測試
直流電(diàn)源
HIPOT
介(jiè)質耐(nài)受性(xìng)
雙極結型(xíng)晶體(tǐ)管(guǎn)設計
結型場效應晶體管設計
金屬氧(yǎng)化(huà)物半導(dǎo)體(tǐ)場效應晶(jīng)體管(guǎn)設計
太(tài)陽能電(diàn)池和 LED 設(shè)計
高電子遷移率(shuài)晶體管(guǎn)設(shè)計
復合半(bàn)導體器件(jiàn)設計(jì)
分析納米材料和(hé)實驗器件(jiàn)
碳(tàn)納米管(guǎn)的電測量(liáng)標(biāo)準
測(cè)量碳(tàn)納(nà)米管(guǎn)電氣特性
提(tí)高納米(mǐ)電子和(hé)分(fēn)子(zǐ)電(diàn)子(zǐ)器(qì)件(jiàn)的低(dī)電流測(cè)量(liáng)
在低功(gōng)率和低壓(yā)應(yīng)用中實現(xiàn)準確,可靠(kào)的電(diàn)阻測(cè)量
納米(mǐ)級器件(jiàn)和(hé)材(cái)料(liào)的電氣測量
提(tí)高(gāo)超(chāo)高(gāo)電阻和(hé)電阻率(shuài)測量(liáng)的可(kě)重復(fù)性
一(yī)種(zhǒng)微(wēi)分電(diàn)導的改(gǎi)進(jìn)測量方(fāng)法
納(nà)米(mǐ)技(jì)術(shù)準確(què)電氣(qì)測(cè)量的技(jì)術
納米級材(cái)料的電氣(qì)測量(liáng)
降(jiàng)低(dī)外部(bù)誤差(chà)源(yuán)影(yǐng)響(xiǎng)的儀(yí)器技(jì)術(shù)
迎接65nm節(jié)點(diǎn)的(dí)測量挑(tiāo)戰
測量半導體(tǐ)材(cái)料(liào)的(dí)高電(diàn)阻率和(hé)霍(huò)爾電(diàn)壓
用微微微(wēi)安量程測量(liáng)電流(liú)
柵(zhà)極(jí)電介質電容電(diàn)壓特性(xìng)分(fēn)析
評(píng)估氧化層的可靠(kào)性(xìng)
的(dí)半導體(tǐ)器件(jiàn)結構(gòu)設計(jì)和試驗低(dī)電(diàn)阻(zǔ),低(dī)功耗半導體(tǐ)器
輸出極低(dī)電(diàn)流和(hé)測量極(jí)低電壓(yā)分(fēn)析現代(dài)材(cái)料,半(bàn)導體和納(nà)米電子(zǐ)元件(jiàn)的(dí)電(diàn)阻(zǔ)
低阻(zǔ)測(cè)量(liáng)(低至10nΩ)分析(xī)導通(tōng)電阻參數,互(hù)連(lián)和低(dī)功率半(bàn)導(dǎo)體。
用(yòng)於*進CMOS技(jì)術(shù)的脈衝可靠(kào)性測試
高K柵極電介質(zhì)電荷(hé)俘獲行為的脈(mài)衝特性分析
用6綫(xiàn)歐(ōu)姆(mǔ)測(cè)量(liáng)技術進行更高準確度(dù)的電(diàn)阻(zǔ)測量
配置(zhì)分立電阻器驗(yàn)證測試(shì)係統
電(diàn)信激(jī)光(guāng)二極(jí)管(guǎn)模(mó)塊(kuài)的高吞(tūn)吐(tǔ)率直流生產(chǎn)測(cè)試
多(duō)台數(shù)字(zì)源(yuán)表的(dí)觸發器同步(bù)
高亮度(dù),可見光LED的生產(chǎn)測試
OLED顯(xiǎn)示器的直流(liú)生(shēng)產測試(shì)
在運行中(zhōng)第5次(cì)測量用於偏(piān)置溫度(dù)不穩定特性分析
數(shù)字(zì)源(yuán)表的緩衝(chōng)器以(yǐ)及如(rú)何用這(zhè)兩(liǎng)個緩(huǎn)衝器獲(huò)取多達5000點數(shù)據
連(lián)接(jiē)器的生產測試方(fāng)案
射(shè)頻(pín)功(gōng)率(shuài)晶(jīng)體管(guǎn)的直(zhí)流電氣特(tè)性分析(xī)
1. MOS 電(diàn)容(róng)器
C-V 曲綫 (高(gāo)頻:100kHz):
摻雜類型 – 氧(yǎng)化(huà)層厚度(dù) – 平(píng)帶(dài)電壓 – 閾值電(diàn)壓 – 襯底摻雜(zá) – zui大(dà)耗(hào)盡層寬度 – 反型(xíng)層到(dào)平衡的靈(líng)敏度:電(diàn)壓(yā)掃描(miáo)率(shuài)和(hé)方向(xiàng) – 光(guāng)效應(yīng)和溫度效(xiào)應(yīng)。
I-V 曲綫分析(xī):
電荷(hé)建(jiàn)立 (測量(liáng)電(diàn)壓 - 時(shí)間圖,用低(dī)電流(liú)源(yuán)); 氧化(huà)層電(diàn)容測定; 與(yǔ) C-V 曲綫比(bǐ)較(jiào)。
C-V 曲綫(xiàn) (準靜態) 結(jié)合 C-V 曲綫(xiàn):
表(biǎo)麵電(diàn)位 Ψs 與施加電(diàn)壓的關(guān)係(xì) – Si (100) 的(dí)表(biǎo)麵態(tài)密度 Dit = f (Ψs) 與 Si (111) 的相(xiāng)比(bǐ):方向(xiàng)和(hé)後處理(lǐ)退火的影(yǐng)響(xiǎng)。
C-V 曲(qū)綫 (高頻:100kHz):
移動(dòng)氧化(huà)層電荷(hé)密(mì)度(dù) (偏(piān)壓溫(wēn)度應力:200°C,10 分鐘(zhōng),±10V)
2. 雙極(jí)結型(xíng)晶體管
主(zhǔ)題
正向(xiàng)共發(fā)射極(jí)輸出特(tè)性(xìng):Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測(cè)量。
正向 CE 輸入特性(xìng):Ib = f (Vbe) 對(duì)於(yú)幾(jī)個(gè) Vce 正(zhèng)值(zhí)。
正(zhèng)向 Gummel 曲(qū)綫(xiàn): log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
確定增益 βf = Ic/Ib 和(hé) af。
Βf 與 log(Ic) 的關(guān)係: 低(dī)注入(rù)和高注入(rù)的效果。
非理想(xiǎng)特(tè)性:爾利電(diàn)壓(yā)。
反(fǎn)向(xiàng) CE 輸出特性: Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
反向 CE 傳(chuán)輸特性:Ib=f(Vbe) 對於幾個Vce負值。
反(fǎn)向(xiàng) Gummel 曲綫(xiàn): logIe, logIb=f(Vbc>0).
確(què)定(dìng)增(zēng)益 βr = Ie/Ib 和(hé) ar。
Βr 與(yǔ) log(Ie) 的關係(xì): 低注入(rù)和(hé)高注入的效(xiào)果。
Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確(què)定,對於(yú)給(gěi)定的 Ib 電流。
Ebers Moll 模(mó)型(xíng)構建並且與實驗做(zuò)比(bǐ)較(jiào)。
BE 和 CE 結(jié)的(dí) C-V 特性分(fēn)析。基(jī)區摻雜濃縮。
3. 亞微米集成 MOSFET
輸出特性:IDS = f(VDS,VGS):
p型(xíng) MOSFET (增強或耗盡),溝(gōu)道長度(dù)調(tiáo)製參(cān)數(λ) 在(zài)飽和(hé)區域(yù) (VDS<–3V) 有效溝(gōu)道長(cháng)度(dù)與 VDS 的(dí)關(guān)係。
傳輸特性(xìng):
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k.
Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
襯底(dǐ)偏壓特性(xìng):
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
亞閾(yù)值(zhí)特性:
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.
襯(chèn)底電流特(tè)性:
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使(shǐ)用長(cháng)溝道和短(duǎn)溝道公(gōng)式的輸(shū)出(chū)特性模(mó)型(xíng):比(bǐ)較實驗結果(guǒ)。
美國吉時(shí)利KEITHLEY2600數(shù)字(zì)源表進行VCSEL測試(shì)
美國吉時利(lì)KEITHLEY2600測量(liáng)光伏電(diàn)池的I-V特性
美國吉(jí)時(shí)利KEITHLEY2400係列(liè)數字(zì)源表的(dí)SCPI應用轉換為(wéi)2600係列(liè)源(yuán)表(biǎo)的腳本應用
美(měi)國吉時利(lì)KEITHLEY2600係列(liè)數字源(yuán)表進(jìn)行IDDQ測試和待(dài)機(jī)電流(liú)測(cè)試
使用(yòng)兩台美國(guó)吉時利KEITHLEY2600型(xíng)數(shù)字源表輸出2A電流(liú)
美(měi)國吉時(shí)利KEITHLEY2600或(huò)其(qí)它(tā)非(fēi)脈衝(chōng)模式源表產(chǎn)生電(diàn)流(liú) (或電壓(yā)) 脈衝
美(měi)國吉(jí)時(shí)利KEITHLEY2600係列數字(zì)源(yuán)表提(tí)升(shēng)多(duō)引腳器(qì)件(jiàn)的生產(chǎn)量
美國(guó)吉時利(lì)KEITHLEY2602數字源表創建可擴縮,多(duō)引(yǐn)腳(jiǎo),多功能IC測(cè)試(shì)係統(tǒng)
美國吉(jí)時利(lì)KEITHLEY2602數(shù)字源(yuán)表對激光(guāng)二(èr)極(jí)管(guǎn)模塊和VCSEL進行(háng)高吞吐率(shuài)直流(liú)生(shēng)產測(cè)試
美(měi)國吉(jí)時利(lì)KEITHLEY2600係(xì)列(liè)數字源表(biǎo)進(jìn)行二極(jí)管生產測(cè)試(shì)
美(měi)國吉(jí)時(shí)利KEITHLEY2600係列(liè)數字(zì)源(yuán)表進行高(gāo)亮度,可見光(guāng)LED的生(shēng)產測試
美(měi)國吉(jí)時利KEITHLEY2600係(xì)列數字源(yuán)表進行IDDQ測(cè)試和(hé)待(dài)機(jī)電(diàn)流測試
美國吉時利KEITHLEY2600 數(shù)字源表驗(yàn)證(zhèng)變(biàn)阻(zǔ)器(qì)
美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2600係列源(yuán)表進(jìn)行(háng)電池放電/充(chōng)電(diàn)周(zhōu)期
美國吉時利KEITHLEY2600配置(zhì)電(diàn)阻網(wǎng)絡的生(shēng)產測試係(xì)統
美國吉(jí)時利KEITHLEY2651 2kW 脈衝源表進(jìn)行大(dà)電流變阻(zǔ)器的生產測試
美(měi)國吉時利KEITHLEY2600數(shù)字源表進行熱敏(mǐn)電(diàn)阻的生產(chǎn)測(cè)試
2636B美國吉時利keithley源(yuán)表(biǎo)SMU,雙通(tōng)道(0.1fA,200V,1.5A直流(liú)/10A脈(mài)衝)
源(yuán)/測(cè)量功(gōng)能
- 雙(shuāng)通道(dào)型號具有60W輸出功率(shuài)(30W/通道)
- 4象限源/測量(liáng)具有6位(wèi)半分(fēn)辨率
- 電流(liú)zui大(dà)值(zhí)/zui小(xiǎo)值(zhí):1.5A直(zhí)流(liú),10A脈衝/0.1fA
- 電(diàn)壓zui大值(zhí)/zui小值:200V/100nV
一(yī)般特性
- 內建(jiàn)“即插即用(yòng)”基(jī)於(yú)Java的I-V特性分析和測試(shì)軟(ruǎn)件
- TSP®(測(cè)試腳本(běn)處理)技術(shù)在測量儀器內(nèi)嵌入了完整(zhěng)測試程序(xù)
- TSP-Link®擴展(zhǎn)技術麵向多通道(dào)並行測(cè)試
- 軟件(jiàn)仿(fǎng)真(zhēn)基(jī)於吉(jí)時利2400源(yuán)表(biǎo)SMU
- 大(dà)屏(píng)幕,易(yì)於(yú)閱讀,雙(shuāng)行(háng)顯示(shì)
作(zuò)為2600B係列源表(biǎo)SMU係(xì)列產(chǎn)品的(dí)一部分,2636B源表SMU是(shì)全(quán)新改良版(bǎn)雙(shuāng)通道SMU,具有(yǒu)緊密集(jí)成的4象(xiàng)限設計(jì),能同步源和(hé)測量電壓/電(diàn)流以(yǐ)提(tí)高研發(fā)到(dào)自動生(shēng)產(chǎn)測試等應用的(dí)生(shēng)產(chǎn)率(shuài)。1.5A直流,10A脈(mài)衝,200V輸出的(dí)寬(kuān)量(liáng)程(chéng)和0.1fA測量(liáng)分辨(biàn)率(shuài)使(shǐ)其非常適於測(cè)試(shì)寬範(fàn)圍(wéi)較低(dī)電流的(dí)器(qì)件和(hé)材料。除保留了(liǎo)2636A的全(quán)部產(chǎn)品(pǐn)特(tè)點(diǎn)外(wài),2636B還具有6位半(bàn)分(fēn)辨(biàn)率(shuài),USB 2.0連接(jiē)性(xìng)以及能(néng)輕鬆移植遺留測試(shì)代碼的2400源(yuán)表SMU軟件(jiàn)指令(líng)仿(fǎng)真(zhēn)。2636B配備了(liǎo)吉時(shí)利的(dí)高速TSP®技術(比傳統PC至(zhì)儀(yí)器(qì)的通信(xìn)技術快(kuài)200%),這極大(dà)提高了係統級速(sù)度(dù),降(jiàng)低了測試成(chéng)本。TSP-Link®接口(kǒu)實現了(liǎo)多通(tōng)道(dào)並行(háng)測(cè)試(shì)並擴(kuò)展了(liǎo)測(cè)試(shì)係統(tǒng),沒(méi)有主(zhǔ)機開(kāi)銷。
2636B美國吉(jí)時(shí)利(lì)keithley源表SMU可選配(pèi)件
2600-KIT螺釘(dīng)端子(zǐ)連接器套件(jiàn)
7078-TRX -1型(xíng)低(dī)噪聲三(sān)同軸電纜,長度為0.3米(1 ft),(適用於(yú)236,237,238,6514,6517A,7072)
7078-TRX -3型低噪聲(shēng)三同軸(zhóu)電(diàn)纜,長(cháng)度為(wéi)0.9米(mǐ)(3 ft),(適用於(yú)236,237,238,6514,6517A,7072)
7078-TRX -5型低(dī)噪聲三(sān)同軸(zhóu)電(diàn)纜,長度(dù)為1.5米(mǐ)(5 ft),(適(shì)用於(yú)236,237,238,6514,6517A,7072)
7078-TRX -10型低噪聲(shēng)三同(tóng)軸(zhóu)電纜(lǎn),長度為(wéi)3米(10 ft),(適用(yòng)於(yú)236,237,238,6514,6517A,7072)
7078-TRX -12型(xíng)低(dī)噪聲三同(tóng)軸(zhóu)電纜(lǎn),長(cháng)度為(wéi)3.5米(12 ft),(適用於236,237,238,6514,6517A,7072)
7078-TRX -20型(xíng)低噪(zào)聲三同(tóng)軸電纜,長度為6.1米(20 ft),(適(shì)用(yòng)於(yú)236,237,238,6514,6517A,7072)
7078-TRX- GND型無防(fáng)護3槽公三(sān)同(tóng)軸至(zhì)BNC適配器(qì)(適用於236,237,238,4801,6517A,7051,7072,7072-HV)
8606型高性能模(mó)塊化探頭(tóu)套(tào)件(適(shì)用於2000,2001,2002,2010,2400係列)
2600-STD-RES型校準標(biāo)準(zhǔn)(適(shì)用(yòng)於2635和(hé)2636)
2600-TLINK型數字I/O至(zhì)TLINK適(shì)配電(diàn)纜(lǎn),長度為1米
CA-180-3A型(xíng)TSP-Link電(diàn)纜(lǎn)
7007-1:雙層屏(píng)蔽高(gāo)級(jí)GPIB接口(kǒu)電(diàn)纜,長(cháng)度1米(3.3ft)(用於GPIB互連)
7007-2:雙層屏蔽(bì)高(gāo)級(jí)GPIB接口電纜(lǎn),長(cháng)度2米(mǐ)(6.6ft)(用於(yú)GPIB互(hù)連(lián))
KUSB-488A型IEEE-488.2 USB-GPIB接口適配器(qì),適用(yòng)於(yú)USB接口(kǒu),內置2米(6.6ft)電纜
4299-1型單機(jī)架安(ān)裝套(tào)件(jiàn),帶(dài)前支架和後支架(jià)
4299-2型(xíng)雙機架安裝(zhuāng)套(tào)件,帶(dài)前支架和後(hòu)支(zhī)架(jià)
LR8028,LR:8028型成(chéng)分(fēn)測試(shì)夾具-優化設備測(cè)試到200V/1A
8101-4TRX,8101-4TRX型成(chéng)分測(cè)試(shì)夾具(jù)-優(yōu)化(huà)低電(diàn)壓設備(bèi)測(cè)試(shì)
8101-PIV,8101-PIV型成分測試夾具(jù)-優化(huà)低(dī)電壓(yā)設(shè)備測試
供(gōng)選(xuǎn)擇的配件(jiàn)
CA-180-3A型TSP-Link電纜
2636B配(pèi)套產品(pǐn)
Model 2651A High Power System SourceMeter Instrument with 2000W Pulsed Power, 200W DC Power, and up to 50A @ 40V with pA and uV Resolution
Model 2657A High Power System SourceMeter Instrument with up to 180W of DC or pulsed power (+/-3000V@20mA, +/-1500V@120mA)
Model 3706A Six-Slot System Switch with High Performance DMM
Model 3706A-NFP Six-Slot System Switch with High Performance DMM, without Front Panel Display and Keypad
Model 3706A-S Six-Slot System Switch
Model 3706A-SNFP Six-Slot System Switch, without Front Panel Display and Keypad
Model 707B 6-Slot, Semiconductor Switching Matrix w/ up to 576 Crosspoints - New Features and Improved Performance
7001,7001型80通(tōng)道程(chéng)控開(kāi)關(guān)控製(zhì)器(qì)
ACS自(zì)動特征(zhēng)分(fēn)析套件(jiàn)係統
2636B係(xì)列產品
2601B源表(biǎo)SMU,單(dān)通道(100fA,40V,3A直流(liú)/10A脈(mài)衝(chōng))
2602B源表SMU,雙(shuāng)通(tōng)道(dào)(100fA,40V,3A直(zhí)流(liú)/10A脈衝)
2611B源表(biǎo)SMU,單通(tōng)道(dào)(100fA,200V,1.5A直(zhí)流(liú)/10A脈衝)
2612B源表SMU,雙通道(dào)(100fA,200V,1.5A直(zhí)流(liú)/10A脈(mài)衝(chōng))
2635B源(yuán)表SMU,單(dān)通(tōng)道(dào)(0.1fA,200V,1.5A直(zhí)流(liú)/10A脈衝(chōng))
2604B源表SMU,雙(shuāng)通(tōng)道(100fA,40V,3A直流/10A脈衝),台(tái)式版(bǎn)本
2614B源表SMU,雙通(tōng)道(100fA,200V,1.5A直流/10A脈衝),台式(shì)版本(běn)
2634B源表SMU,雙通(tōng)道(1fA,200V,1.5A直流(liú)/10A脈(mài)衝),台(tái)式版本
2636A型雙(shuāng)通道(dào)係統數字源表(1fA, 10A脈(mài)衝(chōng))
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