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產(chǎn)品特性(xìng)Product characteristics

 中(zhōng)國(guó)電子行業儀器優(yōu)質供應(yīng)商(shāng)——堅(jiān)融(róng)實業(yè)JETYOO INDUSTRIAL，Support，銷售Sale，服(fú)務(wù)Service，3S公(gōng)司，提(tí)供(gōng)解決方(fāng)案，測(cè)試測量(liáng)技(jì)術改(gǎi)進，技術(shù)培(péi)訓(xùn)，采購管理，售後(hòu)維修(xiū)服(fú)務。

吉時(shí)利KEITHLEY2600B係(xì)列源(yuán)表研究領域(yù)
：
各種器件的I-V功(gōng)能測(cè)試和特(tè)征分(fēn)析，包(bāo)括(kuò)
：
 離散和無(wú)源元(yuán)件 
–兩抽(chōu)頭(tóu)器件——傳(chuán)感器(qì)，磁盤(pán)驅動器(qì)頭，金屬(shǔ)氧(yǎng)化(huà)物可(kě)變電阻(zǔ)（MOV），二極管(guǎn)，齊納二極(jí)管，電容(róng)，熱敏電阻(zǔ)
–三抽頭(tóu)器件(jiàn)——小信號雙(shuāng)極結型晶體管（BJT），場效應晶(jīng)體(tǐ)管（FET）等等 
 簡(jiǎn)單IC器件——光(guāng)學器(qì)件(jiàn)，驅動器，開關，傳(chuán)感(gǎn)器
 集(jí)成(chéng)器件——小(xiǎo)規(guī)模集成（SSI）和(hé)大規(guī)模集(jí)成(chéng)（LSI）
–模擬IC 
–射頻集(jí)成電(diàn)路(lù)（RFIC）
–集成(chéng)電(diàn)路（ASIC）
–片上(shàng)係統（SoC）器(qì)件(jiàn)
 光電器件，例如(rú)發光二極管（LED），激(jī)光二極管，高(gāo)亮度LED（HBLED），垂直(zhí)腔麵(miàn)發射激(jī)光(guāng)器（VCSEL），顯示器
 圓片(piàn)級可靠性
- NBTI，TDDB，HCI，電(diàn)遷(qiān)移(yí)
 太陽能電(diàn)池(chí)
 電池
暫(zàn)態抑(yì)製器(qì)件
IC，RFIC，MMIC
激光二極(jí)管(guǎn)，激(jī)光(guāng)二(èr)極管(guǎn)模塊(kuài)，LED，光(guāng)電檢測(cè)器(qì)
電(diàn)路保護器(qì)件(jiàn):
TVS，MOV，熔(róng)絲(sī)
安(ān)全(quán)氣囊(náng)
連(lián)接(jiē)器，開關(guān)，繼(jì)電器
碳納米管
半(bàn)導體納(nà)米(mǐ)綫
碳(tàn)納米管(guǎn) FET
納(nà)米傳(chuán)感器和陣(zhèn)列
單電(diàn)子晶體(tǐ)管(guǎn)
分子(zǐ)電子
有機電子(zǐ)
基(jī)本(běn)運放電路
二(èr)極(jí)管和電路
晶體(tǐ)管電(diàn)路

測試(shì)
：
漏(lòu)流(liú)
低(dī)壓，電(diàn)阻(zǔ)
LIV
IDDQ
I-V特(tè)征分(fēn)析
隔離(lí)與軌跡(jì)電阻
溫(wēn)度係數
正向電(diàn)壓(yā)，反向(xiàng)擊(jī)穿(chuān)，漏電流
直(zhí)流(liú)參數(shù)測(cè)試(shì)
直流電(diàn)源(yuán)
HIPOT
介(jiè)質耐(nài)受(shòu)性

雙極結型晶體管設計(jì)
結型場效應晶體管(guǎn)設計(jì)
金屬(shǔ)氧化(huà)物半(bàn)導體場效應晶(jīng)體(tǐ)管設計
太(tài)陽(yáng)能(néng)電池和(hé) LED 設計(jì)
高電(diàn)子(zǐ)遷(qiān)移(yí)率晶(jīng)體(tǐ)管(guǎn)設(shè)計(jì)
復(fù)合(hé)半(bàn)導體器(qì)件設計

分析納(nà)米材料和實驗器件(jiàn)
碳(tàn)納米管的電(diàn)測(cè)量標(biāo)準
測量碳納米管(guǎn)電氣(qì)特(tè)性
提高(gāo)納米(mǐ)電(diàn)子(zǐ)和分子電子器件(jiàn)的低(dī)電流測量
在(zài)低功率(shuài)和低壓應用中實現(xiàn)準確，可(kě)靠的(dí)電阻測量
納米(mǐ)級器(qì)件和材(cái)料(liào)的電氣測(cè)量
提高(gāo)超(chāo)高電阻(zǔ)和電阻(zǔ)率(shuài)測量的(dí)可重復(fù)性
一(yī)種微(wēi)分電導的改進(jìn)測量方(fāng)法(fǎ)
納米技術(shù)準確電氣測量的技術
納(nà)米(mǐ)級材料的電氣(qì)測(cè)量
降(jiàng)低(dī)外(wài)部誤(wù)差源影響的儀器(qì)技術(shù)
迎(yíng)接65nm節點的(dí)測量挑(tiāo)戰
測量(liáng)半導體材(cái)料的(dí)高電阻(zǔ)率(shuài)和(hé)霍爾電壓
用微微微安(ān)量程(chéng)測(cè)量電(diàn)流
柵(zhà)極電介質電(diàn)容(róng)電壓(yā)特性分(fēn)析
評估氧化層的可靠(kào)性

的半(bàn)導體器(qì)件(jiàn)結構設計和(hé)試驗(yàn)低電(diàn)阻，低功耗(hào)半(bàn)導體器
輸出(chū)極低(dī)電(diàn)流和測量(liáng)極低電(diàn)壓(yā)分(fēn)析現(xiàn)代(dài)材(cái)料(liào)，半導體和納米電子(zǐ)元件的(dí)電阻
低(dī)阻測量(低(dī)至(zhì)10nΩ)分(fēn)析(xī)導通(tōng)電阻參數(shù)，互(hù)連和(hé)低功(gōng)率半導體(tǐ)。
用(yòng)於*進CMOS技術的脈(mài)衝(chōng)可(kě)靠性測試(shì)
高K柵極(jí)電(diàn)介(jiè)質電荷俘獲(huò)行為的(dí)脈衝特(tè)性分(fēn)析(xī)
用6綫(xiàn)歐(ōu)姆測(cè)量技術進行更(gēng)高(gāo)準確度(dù)的電(diàn)阻(zǔ)測量
配(pèi)置(zhì)分(fēn)立(lì)電阻器驗(yàn)證(zhèng)測試係統(tǒng)
電信激光二極管模塊(kuài)的高(gāo)吞吐率直流生產測(cè)試(shì)
多台(tái)數字源(yuán)表的觸發器同步(bù)
高亮(liàng)度，可見光LED的生產測(cè)試(shì)
OLED顯(xiǎn)示(shì)器的(dí)直(zhí)流生(shēng)產測試(shì)
在(zài)運行(háng)中(zhōng)第(dì)5次(cì)測量用於偏置(zhì)溫度不穩定特(tè)性(xìng)分(fēn)析
數(shù)字(zì)源(yuán)表的(dí)緩衝(chōng)器(qì)以及(jí)如(rú)何(hé)用這(zhè)兩個(gè)緩(huǎn)衝器(qì)獲(huò)取(qǔ)多達5000點(diǎn)數據(jù)
連接(jiē)器(qì)的(dí)生(shēng)產(chǎn)測試方案(àn)
射頻功(gōng)率(shuài)晶(jīng)體(tǐ)管(guǎn)的(dí)直流電(diàn)氣(qì)特性(xìng)分(fēn)析(xī)

1. MOS 電(diàn)容(róng)器
C-V 曲(qū)綫 (高頻(pín)
：100kHz)
：
摻(chān)雜類型(xíng) – 氧(yǎng)化(huà)層厚(hòu)度 – 平帶(dài)電壓 – 閾值(zhí)電(diàn)壓(yā) – 襯(chèn)底(dǐ)摻雜 – zui大耗(hào)盡層寬(kuān)度 – 反型層(céng)到平衡的靈敏度
：電壓掃描(miáo)率和方(fāng)向 – 光(guāng)效應(yīng)和溫(wēn)度效應。
I-V 曲綫分析(xī)
：
電(diàn)荷建立 (測量電壓 - 時(shí)間圖(tú)，用低電流(liú)源)； 氧化層(céng)電容測定； 與(yǔ) C-V 曲綫比較(jiào)。
C-V 曲綫 (準(zhǔn)靜(jìng)態) 結合(hé) C-V 曲綫(xiàn)
：
表(biǎo)麵(miàn)電(diàn)位 Ψs 與(yǔ)施(shī)加電(diàn)壓的關係(xì) – Si (100) 的(dí)表麵態(tài)密度 Dit = f (Ψs) 與(yǔ) Si (111) 的(dí)相比(bǐ)
：方(fāng)向和(hé)後處(chǔ)理(lǐ)退(tuì)火的影響(xiǎng)。
C-V 曲綫(xiàn) (高(gāo)頻
：100kHz)
：
移動(dòng)氧(yǎng)化層電荷密度 (偏(piān)壓溫度應(yīng)力(lì)
：200°C，10 分鐘，±10V)
 
2. 雙(shuāng)極結型(xíng)晶體管
     主題
   正(zhèng)向共發射極輸(shū)出特性
：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測(cè)量。
   正向 CE 輸入特(tè)性
：Ib = f (Vbe) 對(duì)於幾個(gè) Vce 正值(zhí)。
   正(zhèng)向 Gummel 曲(qū)綫
： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
   確定(dìng)增益 βf = Ic/Ib 和(hé) af。
   Βf 與 log(Ic) 的關(guān)係(xì)
： 低(dī)注入和高(gāo)注入的效果。
   非(fēi)理想(xiǎng)特性
：爾利(lì)電壓。
   反(fǎn)向(xiàng) CE 輸出(chū)特性
： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
   反向 CE 傳(chuán)輸特性
：Ib=f(Vbe) 對於幾個Vce負(fù)值。
   反(fǎn)向 Gummel 曲綫
： logIe, logIb=f(Vbc>0).
   確定(dìng)增益 βr = Ie/Ib 和(hé) ar。
   Βr 與(yǔ) log(Ie) 的(dí)關係
： 低注入(rù)和高(gāo)注入(rù)的效(xiào)果。
   Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定，對於(yú)給定的 Ib 電(diàn)流(liú)。
   Ebers Moll 模(mó)型(xíng)構建(jiàn)並(bìng)且(qiě)與實(shí)驗(yàn)做(zuò)比較(jiào)。
   BE 和 CE 結的 C-V 特性分析。基區(qū)摻雜(zá)濃(nóng)縮。
 
3. 亞微米(mǐ)集成(chéng) MOSFET
輸出特(tè)性
：IDS = f(VDS,VGS):
p型(xíng) MOSFET (增(zēng)強或(huò)耗盡)，溝道長(cháng)度調(tiáo)製(zhì)參(cān)數(λ) 在飽和(hé)區域 (VDS<–3V) 有效(xiào)溝道(dào)長(cháng)度(dù)與 VDS 的關係。
傳輸特性
：
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k.  
Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
襯(chèn)底偏(piān)壓(yā)特性
： 
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
亞閾值特性(xìng)
：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.
襯底(dǐ)電(diàn)流(liú)特(tè)性
：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使(shǐ)用長溝(gōu)道(dào)和(hé)短溝道公式的(dí)輸出特性模(mó)型
：比較(jiào)實驗結果。

美國吉時利KEITHLEY2600數字源(yuán)表(biǎo)進行VCSEL測(cè)試
美國吉時利(lì)KEITHLEY2600測量光伏電池(chí)的(dí)I-V特性
美國吉(jí)時(shí)利(lì)KEITHLEY2400係(xì)列(liè)數(shù)字源表的SCPI應(yīng)用轉換(huàn)為2600係(xì)列源表(biǎo)的(dí)腳本應(yīng)用
美(měi)國吉(jí)時利KEITHLEY2600係(xì)列數(shù)字源表(biǎo)進行IDDQ測(cè)試和待機(jī)電(diàn)流(liú)測試(shì)
使(shǐ)用(yòng)兩台美國吉時(shí)利KEITHLEY2600型數字源表(biǎo)輸出(chū)2A電流
美(měi)國吉時(shí)利KEITHLEY2600或其它(tā)非(fēi)脈(mài)衝(chōng)模(mó)式源(yuán)表(biǎo)產(chǎn)生電流(liú) (或(huò)電(diàn)壓) 脈(mài)衝
美(měi)國吉(jí)時(shí)利(lì)KEITHLEY2600係列(liè)數字(zì)源表(biǎo)提升多引腳(jiǎo)器(qì)件的(dí)生產(chǎn)量(liáng)
美國(guó)吉(jí)時(shí)利KEITHLEY2602數(shù)字源表創建可擴縮，多引腳(jiǎo)，多功能(néng)IC測(cè)試係統(tǒng)
美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2602數(shù)字源表對激(jī)光(guāng)二極(jí)管模塊(kuài)和VCSEL進(jìn)行高(gāo)吞吐率直(zhí)流生(shēng)產測(cè)試(shì)
美(měi)國(guó)吉時利KEITHLEY2600係(xì)列數字源表(biǎo)進行二(èr)極管(guǎn)生產(chǎn)測(cè)試(shì)
美國吉時(shí)利KEITHLEY2600係列數字源表進行高(gāo)亮(liàng)度，可見光(guāng)LED的生(shēng)產測試(shì)
美國吉(jí)時利KEITHLEY2600係列數字源(yuán)表(biǎo)進行IDDQ測試(shì)和待機電流(liú)測試(shì)
美國(guó)吉時利KEITHLEY2600 數(shù)字源表驗證變(biàn)阻器
美(měi)國吉(jí)時利KEITHLEY2600係(xì)列源表(biǎo)進行(háng)電池(chí)放(fàng)電/充(chōng)電(diàn)周(zhōu)期(qī)
美國吉(jí)時利KEITHLEY2600配置電阻網絡的(dí)生(shēng)產測(cè)試係統(tǒng)
美(měi)國吉(jí)時利(lì)KEITHLEY2651 2kW 脈(mài)衝(chōng)源(yuán)表進(jìn)行大(dà)電流變阻(zǔ)器(qì)的(dí)生產測(cè)試
美國吉時(shí)利KEITHLEY2600數字(zì)源表進(jìn)行熱(rè)敏(mǐn)電(diàn)阻的生產測(cè)試

keithley2635B美國(guó)吉(jí)時(shí)利源(yuán)表(biǎo)SMU，單(dān)通(tōng)道（0.1fA，200V，1.5A直流/10A脈衝(chōng)）
源/測(cè)量功能    - 單通道型(xíng)號具有30W輸出(chū)功率
    - 4象(xiàng)限(xiàn)源(yuán)/測(cè)量(liáng)具有6位(wèi)半(bàn)分辨(biàn)率(shuài)
    - 電(diàn)流(liú)zui大值/zui小(xiǎo)值
：1.5A直流，10A脈衝/0.1fA
    - 電壓zui大值/zui小值
：200V/100nV
一(yī)般特(tè)性    - 內建“即(jí)插(chā)即(jí)用”基(jī)於(yú)Java的I-V特(tè)性分(fēn)析和測試軟(ruǎn)件(jiàn)
    - TSP®（測試腳本處理(lǐ)）技術(shù)在(zài)測量(liáng)儀器(qì)內嵌入了(liǎo)完(wán)整測試(shì)程序(xù)
    - TSP-Link®擴(kuò)展技術麵向(xiàng)多通(tōng)道並(bìng)行測(cè)試(shì)
    - 軟件(jiàn)仿真(zhēn)基(jī)於吉(jí)時(shí)利(lì)2400源表SMU
    - 大(dà)屏幕，易於(yú)閱讀，雙行顯示

作為2600B係(xì)列源表SMU係(xì)列(liè)產品的一(yī)部(bù)分，2635B源表SMU是(shì)全新改良版單通(tōng)道SMU，具有緊密集成(chéng)的4象限(xiàn)設(shè)計，能同步源(yuán)和測量(liáng)電壓/電(diàn)流以(yǐ)提(tí)高(gāo)研(yán)發到(dào)自動生產(chǎn)測試(shì)等應用的生產(chǎn)率。1.5A直流，10A脈衝，200V輸出(chū)的寬量(liáng)程和(hé)0.1fA測量分(fēn)辨率使(shǐ)其(qí)非常(cháng)適於測試寬範(fàn)圍較低電流的器件和材料。除(chú)保留(liú)了2635A的全部(bù)產品特點外(wài)，2635B還具有6位半分辨(biàn)率(shuài)，USB 2.0連接(jiē)性以及能輕(qīng)鬆移(yí)植遺(yí)留測試(shì)代(dài)碼的(dí)2400源表SMU軟件指(zhǐ)令仿真。2635B配(pèi)備了吉時(shí)利的(dí)高速TSP®技(jì)術（比傳統(tǒng)PC至(zhì)儀器的(dí)通信(xìn)技術快200%），這(zhè)極大(dà)提(tí)高了係(xì)統級速(sù)度，降低(dī)了測試成(chéng)本。TSP-Link®接口實現(xiàn)了(liǎo)多通(tōng)道並(bìng)行測(cè)試(shì)並擴展了(liǎo)測(cè)試係統(tǒng)，沒有(yǒu)主機(jī)開銷。

標(biāo)配件
2600-KIT螺釘(dīng)端子連接器(qì)套件(jiàn)
2600B源(yuán)表CD
2600B快速使(shǐ)用指(zhǐ)南
適(shì)用(yòng)於2600B的(dí)2400仿(fǎng)真腳(jiǎo)本
7709-308A 型(xíng)DB50公連(lián)接器套件（焊杯），帶外(wài)殼
CA-180-3A型TSP-Link電纜
KTS-850E02,測試(shì)腳本創建(jiàn)軟件(jiàn)CD套件

keithley2635B美國吉時(shí)利源(yuán)表(biǎo)SMU另外(wài)選(xuǎn)阿(ā)狗配件(jiàn)
2600-KIT螺釘端子(zǐ)連(lián)接(jiē)器套(tào)件(jiàn)
7078-TRX -1型(xíng)低噪(zào)聲三(sān)同軸電纜(lǎn)，長度為0.3米(mǐ)（1 ft），（適用(yòng)於(yú)236，237，238，6514，6517A，7072）
7078-TRX -3型低(dī)噪(zào)聲(shēng)三(sān)同(tóng)軸(zhóu)電纜(lǎn)，長度為0.9米（3 ft），（適(shì)用於(yú)236，237，238，6514，6517A，7072）
7078-TRX -5型低(dī)噪聲(shēng)三同(tóng)軸電纜，長度(dù)為1.5米(mǐ)（5 ft），（適(shì)用於236，237，238，6514，6517A，7072）
7078-TRX -10型低噪(zào)聲三同軸電(diàn)纜(lǎn)，長(cháng)度(dù)為(wéi)3米(mǐ)（10 ft），（適用(yòng)於236，237，238，6514，6517A，7072）
7078-TRX -12型(xíng)低噪(zào)聲三(sān)同(tóng)軸電(diàn)纜(lǎn)，長度(dù)為3.5米(mǐ)（12 ft），（適(shì)用(yòng)於(yú)236，237，238，6514，6517A，7072）
7078-TRX -20型低噪(zào)聲(shēng)三同軸(zhóu)電纜(lǎn)，長(cháng)度為(wéi)6.1米（20 ft），（適用(yòng)於(yú)236，237，238，6514，6517A，7072）
7078-TRX- GND型無防護(hù)3槽公三同軸至(zhì)BNC適(shì)配器(qì)（適用於236，237，238，4801，6517A，7051，7072，7072-HV）
8606型(xíng)高性能模塊化探(tàn)頭套件（適用於(yú)2000，2001，2002，2010，2400係(xì)列）
2600-STD-RES型校準標準（適(shì)用於2635和2636）
2600-TLINK型數字I/O至TLINK適(shì)配電(diàn)纜，長度(dù)為1米(mǐ)
CA-180-3A型(xíng)TSP-Link電(diàn)纜(lǎn)
7007-1
：雙層(céng)屏(píng)蔽(bì)高級(jí)GPIB接口電纜，長度(dù)1米（3.3ft）（用於GPIB互(hù)連）
7007-2
：雙層(céng)屏蔽(bì)高級GPIB接口電(diàn)纜(lǎn)，長(cháng)度(dù)2米(mǐ)（6.6ft）（用於GPIB互連(lián)）
KUSB-488A型IEEE-488.2 USB-GPIB接(jiē)口(kǒu)適配(pèi)器(qì)，適用於(yú)USB接口，內置(zhì)2米（6.6ft）電纜(lǎn)
4299-1型單機(jī)架安(ān)裝套(tào)件，帶前(qián)支(zhī)架和(hé)後支架
4299-2型雙(shuāng)機(jī)架安裝套(tào)件，帶前(qián)支(zhī)架和(hé)後支架(jià)
2600-BAN型(xíng)SMUt輸(shū)出至(zhì)香蕉(jiāo)頭測(cè)試(shì)綫(xiàn)/適配器電(diàn)纜
KPCI-488LPA，KPCI-488LPA型(xíng) IEEE-488.2 PCI Bus 插件(jiàn)板(bǎn)
4299-5 1U通風麵(miàn)板
SC-200型屏蔽雙絞綫(xiàn)電(diàn)纜

keithley2635B美國(guó)吉(jí)時利源(yuán)表(biǎo)SMU配(pèi)套(tào)產(chǎn)品(pǐn)
Model 3706A Six-Slot System Switch with High Performance DMM
Model 3706A-NFP Six-Slot System Switch with High Performance DMM, without Front Panel Display and Keypad
Model 3706A-S Six-Slot System Switch
Model 3706A-SNFP Six-Slot System Switch, without Front Panel Display and Keypad
Model 707B 6-Slot, Semiconductor Switching Matrix w/ up to 576 Crosspoints - New Features and Improved Performance
7001，7001型80通道程(chéng)控開(kāi)關控(kòng)製(zhì)器(qì)
ACS自(zì)動特征分(fēn)析套(tào)件(jiàn)係統

美國(guó)吉時利源表SMU係(xì)列產品
2602B源(yuán)表SMU，雙通(tōng)道（100fA，40V，3A直(zhí)流/10A脈(mài)衝(chōng)）
2611B源表(biǎo)SMU，單(dān)通道（100fA，200V，1.5A直(zhí)流/10A脈(mài)衝）
2612B源表(biǎo)SMU，雙(shuāng)通(tōng)道（100fA，200V，1.5A直流/10A脈衝）
2636B源表SMU，雙通(tōng)道(dào)（0.1fA，200V，1.5A直流(liú)/10A脈(mài)衝(chōng)）
2604B源(yuán)表SMU，雙通道（100fA，40V，3A直流/10A脈(mài)衝），台式(shì)版本
2614B源(yuán)表SMU，雙通(tōng)道(dào)（100fA，200V，1.5A直流/10A脈(mài)衝），台(tái)式(shì)版本(běn)
2634B源(yuán)表SMU，雙(shuāng)通(tōng)道(dào)（1fA，200V，1.5A直(zhí)流/10A脈(mài)衝），台(tái)式(shì)版(bǎn)本(běn)
2635型單通道(dào)係(xì)統數字(zì)源(yuán)表(biǎo)（低(dī)電(diàn)流(liú)）