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產品特(tè)性Product characteristics

 中(zhōng)國(guó)電(diàn)子行(háng)業(yè)儀器(qì)優(yōu)質供應商——堅(jiān)融(róng)實業JETYOO INDUSTRIAL，Support，銷(xiāo)售(shòu)Sale，服務Service，3S公司，提(tí)供解決(jué)方案(àn)，測試測量技術(shù)改進(jìn)，技術(shù)培訓，采購管理(lǐ)，售(shòu)後維修服(fú)務
。

吉(jí)時利(lì)KEITHLEY2400係(xì)列(liè)源表研(yán)究(jiū)領域(yù)：
各(gè)種器件的I-V功能(néng)測試和特征分析，包括：
 離(lí)散(sàn)和(hé)無源元件 
–兩抽頭(tóu)器件——傳感(gǎn)器，磁盤驅(qū)動器頭，金(jīn)屬氧(yǎng)化物可變電(diàn)阻(zǔ)（MOV），二(èr)極(jí)管，齊納二極管，電容(róng)，熱敏(mǐn)電(diàn)阻(zǔ)
–三抽頭(tóu)器(qì)件——小信號(hào)雙(shuāng)極結(jié)型(xíng)晶(jīng)體管(guǎn)（BJT），場(cháng)效應晶(jīng)體(tǐ)管（FET）等等(děng) 
 簡單IC器件(jiàn)——光學(xué)器(qì)件，驅動(dòng)器，開(kāi)關(guān)，傳感器
 集(jí)成器件(jiàn)——小規模集(jí)成（SSI）和(hé)大(dà)規模集成（LSI）
–模(mó)擬IC 
–射頻集成電路（RFIC）
–集成電(diàn)路(lù)（ASIC）
–片上係(xì)統（SoC）器(qì)件
 光(guāng)電(diàn)器件，例(lì)如(rú)發(fā)光(guāng)二極(jí)管（LED），激光二極(jí)管，高亮(liàng)度(dù)LED（HBLED），垂(chuí)直(zhí)腔麵發射激光器(qì)（VCSEL），顯(xiǎn)示(shì)器
 圓(yuán)片(piàn)級可靠性(xìng)
- NBTI，TDDB，HCI，電(diàn)遷(qiān)移
 太陽能電池
 電(diàn)池
暫(zàn)態(tài)抑製器件
IC，RFIC，MMIC
激光二極管(guǎn)，激光二極管(guǎn)模塊，LED，光電檢測(cè)器
電(diàn)路(lù)保(bǎo)護(hù)器件:
TVS，MOV，熔(róng)絲
安(ān)全(quán)氣囊
連(lián)接(jiē)器(qì)，開(kāi)關，繼(jì)電器
碳納(nà)米管
半導體納米(mǐ)綫(xiàn)
碳納(nà)米(mǐ)管 FET
納(nà)米(mǐ)傳感器和(hé)陣(zhèn)列
單(dān)電(diàn)子晶體(tǐ)管
分(fēn)子電子
有機電(diàn)子(zǐ)
基(jī)本運放(fàng)電路(lù)
二(èr)極(jí)管(guǎn)和電(diàn)路
晶(jīng)體(tǐ)管(guǎn)電(diàn)路

測試：
漏流
低(dī)壓，電(diàn)阻(zǔ)
LIV
IDDQ
I-V特征分(fēn)析
隔離(lí)與軌跡(jì)電(diàn)阻
溫度係(xì)數(shù)
正向(xiàng)電(diàn)壓(yā)，反向擊(jī)穿(chuān)，漏電(diàn)流(liú)
直(zhí)流(liú)參(cān)數測(cè)試
直流(liú)電(diàn)源(yuán)
HIPOT
介(jiè)質(zhì)耐受性

雙(shuāng)極結(jié)型晶體(tǐ)管設計(jì)
結(jié)型(xíng)場(cháng)效(xiào)應晶體(tǐ)管(guǎn)設計(jì)
金(jīn)屬氧化物半(bàn)導體(tǐ)場效應晶(jīng)體管設計(jì)
太陽能電池和 LED 設計
高電(diàn)子(zǐ)遷移率晶體(tǐ)管(guǎn)設計(jì)
復合(hé)半(bàn)導(dǎo)體器(qì)件設(shè)計(jì)

分(fēn)析納(nà)米材料和實(shí)驗器(qì)件
碳納米(mǐ)管的電測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)
測(cè)量碳納米(mǐ)管(guǎn)電氣(qì)特(tè)性
提高納(nà)米(mǐ)電子和(hé)分子(zǐ)電子(zǐ)器件(jiàn)的(dí)低電(diàn)流測(cè)量(liáng)
在(zài)低功率和低(dī)壓應用中(zhōng)實現準(zhǔn)確，可靠(kào)的電阻測(cè)量
納米級器件(jiàn)和(hé)材料的電氣測量(liáng)
提(tí)高超高電(diàn)阻和電(diàn)阻率測量(liáng)的可重(zhòng)復性(xìng)
一種(zhǒng)微分電導(dǎo)的(dí)改(gǎi)進測量(liáng)方(fāng)法
納米技術準確電氣測(cè)量的(dí)技(jì)術(shù)
納米級材料的(dí)電(diàn)氣(qì)測量
降(jiàng)低(dī)外部誤差(chà)源(yuán)影(yǐng)響的儀(yí)器(qì)技術
迎接65nm節點(diǎn)的測量挑(tiāo)戰(zhàn)
測量半導(dǎo)體(tǐ)材(cái)料的高電阻率和霍(huò)爾電(diàn)壓
用微(wēi)微微(wēi)安(ān)量程(chéng)測量電(diàn)流
柵極電(diàn)介質(zhì)電(diàn)容電(diàn)壓特性(xìng)分析(xī)
評估氧化層的(dí)可靠性

的(dí)半導體器(qì)件結(jié)構(gòu)設計(jì)和試驗(yàn)低(dī)電阻，低(dī)功耗(hào)半導體器
輸(shū)出極低(dī)電(diàn)流(liú)和測量極低電壓(yā)分(fēn)析(xī)現代(dài)材(cái)料(liào)，半(bàn)導體和納(nà)米(mǐ)電(diàn)子元(yuán)件的電阻
低阻測(cè)量(低至(zhì)10nΩ)分析導(dǎo)通(tōng)電阻參數(shù)，互連和低功(gōng)率(shuài)半導體
。
用於*進(jìn)CMOS技術的(dí)脈衝可(kě)靠(kào)性(xìng)測試
高K柵(zhà)極電介(jiè)質(zhì)電荷(hé)俘獲行(háng)為的脈衝特(tè)性分析
用(yòng)6綫歐姆測量技術(shù)進(jìn)行(háng)更(gēng)高準確(què)度(dù)的電(diàn)阻測(cè)量(liáng)
配(pèi)置分立(lì)電(diàn)阻器驗(yàn)證測(cè)試係統
電信激光二極(jí)管模塊的(dí)高吞吐(tǔ)率直流(liú)生產測試
多(duō)台數字源表的觸(chù)發器(qì)同(tóng)步(bù)
高(gāo)亮(liàng)度，可見(jiàn)光LED的(dí)生產(chǎn)測試(shì)
OLED顯示(shì)器(qì)的(dí)直(zhí)流(liú)生產(chǎn)測(cè)試
在運行中(zhōng)第(dì)5次測量(liáng)用(yòng)於偏置(zhì)溫(wēn)度(dù)不穩(wěn)定特性分析
數字源表的緩(huǎn)衝器(qì)以及如何(hé)用這(zhè)兩個緩衝器獲取多(duō)達5000點(diǎn)數據(jù)
連(lián)接(jiē)器(qì)的生產測(cè)試(shì)方(fāng)案(àn)
射頻(pín)功率晶體管的直流電(diàn)氣特性(xìng)分(fēn)析

1. MOS 電容器(qì)
C-V 曲綫 (高(gāo)頻(pín)：100kHz)：
摻雜類(lèi)型 – 氧化層厚(hòu)度(dù) – 平帶(dài)電壓(yā) – 閾值電壓 – 襯底摻雜(zá) – zui大耗(hào)盡(jìn)層(céng)寬度 – 反型層到平衡的靈敏度：電壓掃描率(shuài)和(hé)方(fāng)向(xiàng) – 光效應和(hé)溫(wēn)度效應
。
I-V 曲綫(xiàn)分(fēn)析：
電荷(hé)建立 (測量電(diàn)壓 - 時(shí)間圖(tú)，用低電(diàn)流(liú)源)； 氧化層(céng)電容測(cè)定； 與 C-V 曲(qū)綫比較
。
C-V 曲綫 (準(zhǔn)靜(jìng)態) 結合(hé) C-V 曲綫：
表(biǎo)麵電(diàn)位(wèi) Ψs 與(yǔ)施(shī)加電壓的(dí)關係(xì) – Si (100) 的(dí)表(biǎo)麵態(tài)密度 Dit = f (Ψs) 與 Si (111) 的相(xiāng)比(bǐ)：方向和後處理退(tuì)火(huǒ)的(dí)影響
。
C-V 曲(qū)綫(xiàn) (高頻：100kHz)：
移動(dòng)氧化層電(diàn)荷(hé)密度 (偏(piān)壓溫度(dù)應(yīng)力(lì)：200°C，10 分鐘(zhōng)，±10V)
 
2. 雙極(jí)結型晶(jīng)體(tǐ)管(guǎn)
     主題
   正向共(gòng)發射(shè)極(jí)輸出特性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測量
。
   正向 CE 輸(shū)入特性(xìng)：Ib = f (Vbe) 對(duì)於幾(jī)個 Vce 正(zhèng)值
。
   正向 Gummel 曲(qū)綫(xiàn)： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
   確定增(zēng)益 βf = Ic/Ib 和 af
。
   Βf 與 log(Ic) 的(dí)關係： 低(dī)注入和(hé)高注(zhù)入的(dí)效(xiào)果
。
   非理(lǐ)想(xiǎng)特性(xìng)：爾利電(diàn)壓
。
   反向 CE 輸出特性(xìng)： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
   反(fǎn)向 CE 傳輸特性(xìng)：Ib=f(Vbe) 對(duì)於幾個Vce負(fù)值
。
   反向 Gummel 曲(qū)綫： logIe, logIb=f(Vbc>0).
   確定(dìng)增益(yì) βr = Ie/Ib 和(hé) ar
。
   Βr 與 log(Ie) 的(dí)關(guān)係(xì)： 低(dī)注入和高注(zhù)入的效(xiào)果
。
   Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確(què)定(dìng)，對於給定的 Ib 電流(liú)
。
   Ebers Moll 模型構建(jiàn)並且(qiě)與實(shí)驗做比(bǐ)較(jiào)
。
   BE 和 CE 結的(dí) C-V 特(tè)性分析
。基(jī)區摻雜濃縮(suō)
。
 
3. 亞微(wēi)米集成 MOSFET
輸(shū)出特(tè)性：IDS = f(VDS,VGS):
p型(xíng) MOSFET (增強或耗盡(jìn))，溝(gōu)道(dào)長度調(tiáo)製參(cān)數(λ) 在飽(bǎo)和區(qū)域 (VDS<–3V) 有效(xiào)溝道(dào)長(cháng)度與 VDS 的關係
。
傳(chuán)輸特性：
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k.  
Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
襯底(dǐ)偏(piān)壓(yā)特(tè)性： 
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
亞(yà)閾值特性：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.
襯(chèn)底(dǐ)電流特性：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使(shǐ)用(yòng)長溝道(dào)和(hé)短溝道公式(shì)的輸出(chū)特性模(mó)型(xíng)：比(bǐ)較實(shí)驗(yàn)結果(guǒ)
。

美(měi)國(guó)吉時(shí)利(lì)KEITHLEY2400數(shù)字源(yuán)表進(jìn)行VCSEL測試
美(měi)國吉時(shí)利KEITHLEY2400測(cè)量(liáng)光(guāng)伏(fú)電(diàn)池的I-V特(tè)性
美(měi)國(guó)吉時利(lì)KEITHLEY2400係列(liè)數(shù)字(zì)源(yuán)表(biǎo)的SCPI應用(yòng)轉換為2600係列源(yuán)表(biǎo)的腳(jiǎo)本(běn)應用(yòng)
美國吉(jí)時(shí)利(lì)KEITHLEY2400係列數字(zì)源(yuán)表進行(háng)IDDQ測(cè)試(shì)和待(dài)機(jī)電流(liú)測(cè)試(shì)
使(shǐ)用(yòng)兩台美(měi)國吉時利(lì)KEITHLEY2400型(xíng)數字(zì)源表輸(shū)出2A電流(liú)
美國吉時利(lì)KEITHLEY2400或(huò)其(qí)它非脈(mài)衝(chōng)模式源表(biǎo)產生電流 (或(huò)電(diàn)壓(yā)) 脈衝
美(měi)國吉時利KEITHLEY2400係列(liè)數(shù)字(zì)源表(biǎo)提(tí)升(shēng)多引(yǐn)腳器(qì)件的生產量
美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2400數(shù)字源(yuán)表創建可(kě)擴縮(suō)，多引腳(jiǎo)，多(duō)功能IC測試(shì)係統(tǒng)
美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2402數字(zì)源表(biǎo)對(duì)激光(guāng)二極管(guǎn)模塊和(hé)VCSEL進行(háng)高吞吐率(shuài)直流生產測試
美(měi)國吉(jí)時利KEITHLEY2400係列(liè)數字源表進(jìn)行二極(jí)管生產測試
美國吉時(shí)利KEITHLEY2400係(xì)列數(shù)字(zì)源(yuán)表(biǎo)進行高亮(liàng)度，可見光(guāng)LED的生(shēng)產測試
美(měi)國(guó)吉時利KEITHLEY2400係(xì)列數字(zì)源(yuán)表進(jìn)行(háng)IDDQ測試和(hé)待機(jī)電流測試
美國吉時(shí)利(lì)KEITHLEY2400 數(shù)字(zì)源(yuán)表驗證(zhèng)變阻(zǔ)器(qì)
美國吉時利KEITHLEY2400係列(liè)源(yuán)表進行電(diàn)池放電(diàn)/充(chōng)電(diàn)周(zhōu)期(qī)
美國(guó)吉時利KEITHLEY2400配(pèi)置(zhì)電(diàn)阻網(wǎng)絡的生(shēng)產測試係統
美(měi)國(guó)吉(jí)時利(lì)KEITHLEY2430 1kW 脈衝(chōng)源表進(jìn)行(háng)大(dà)電流變阻(zǔ)器的生產測試
美國吉(jí)時(shí)利KEITHLEY2400數(shù)字源表進(jìn)行(háng)熱敏電阻的(dí)生(shēng)產測試(shì)

美國吉時(shí)利(lì)KEITHLEY2450是(shì)吉(jí)時利的新一(yī)代數(shù)字源表(biǎo)源測量單元（SMU），並且能在您(nín)指尖(jiān)真(zhēn)正實(shí)現歐姆(mǔ)定律（電流(liú)，電壓和(hé)電阻(zǔ)）測(cè)試(shì)
。其(qí)新穎的(dí)圖形(xíng)用戶(hù)接(jiē)口(kǒu)（GUI）和*進的(dí)容(róng)性(xìng)觸摸屏技術(shù)方便直觀使(shǐ)用
。此(cǐ)技(jì)術能讓(ràng)學習曲(qū)綫zui短並讓工程師和(hé)科學(xué)家更輕(qīng)鬆地(dì)創(chuàng)造(zào)，更聰(cōng)明地(dì)工作(zuò)而且(qiě)更快(kuài)速(sù)地學(xué)習
。2450是一款適合所(suǒ)有(yǒu)人(rén)的通(tōng)用SMU，特別(bié)適(shì)於分析(xī)當今(jīn)現代縮微半導體(tǐ)，納米(mǐ)器(qì)件(jiàn)和材料，有機(jī)半導體(tǐ)，印(yìn)製電子產品及其它(tā)小(xiǎo)尺(chǐ)寸和(hé)低功(gōng)率器(qì)件的(dí)特(tè)性
。所(suǒ)有這一(yī)切(qiē)，加(jiā)上傳奇(qí)的吉時(shí)利(lì)高精(jīng)度(dù)，高分辨率(shuài)，高準確度(dù)和(hé)高可靠(kào)性，為(wéi)工(gōng)程師(shī)和(hé)科(kē)學家(jiā)提(tí)供(gōng)全(quán)新(xīn)層(céng)次(cì)的Touch, Test, Invent™以(yǐ)獲(huò)得(dé)全(quán)新，直觀(guān)的源測試體(tǐ)驗(yàn)
。

美國吉(jí)時利KEITHLEY2450數(shù)字源(yuán)表(biǎo)源測(cè)量(liáng)單(dān)元(yuán)（SMU）性能(néng)特(tè)點
5英寸(cùn)，高分(fēn)辨率容(róng)性觸摸(mō)屏(píng)圖形(xíng)用(yòng)戶界(jiè)麵(miàn)
0.012%基(jī)本測量準確度和(hé)6位(wèi)半分辨率
增強靈(líng)敏度20mV和(hé)10nA源/測(cè)量範圍
源(yuán)和阱（4象(xiàng)限）操作
4種(zhǒng)“個性(xìng)”模(mó)式(shì)用於快速設置和測量
上下(xià)文相關的(dí)前(qián)麵板幫(bāng)助
前(qián)麵(miàn)板(bǎn)輸入香(xiāng)蕉頭(tóu)插(chā)座(zuò)；後麵板(bǎn)輸(shū)入(rù)三同軸連接(jiē)
2450型(xíng)增(zēng)強SCPI和TSP®腳(jiǎo)本編程模(mó)式
2400型SCPI兼(jiān)容編程模(mó)式
前(qián)麵(miàn)板USB內(nèi)存端口用(yòng)於(yú)數據(jù)/編程/配置(zhì)I/O

標(biāo)配附件(jiàn)
8608    高(gāo)性(xìng)能測試引(yǐn)綫
USB-B-1    USB電纜，Type A  ～Type B, 1m (3.3 ft)
C S -1616 -3    安(ān)全互(hù)鎖配套(tào)連(lián)接器(qì)
CA-180-3A  TSP-Link/以太網電纜(lǎn)
文檔CD
2450儀(yí)器(qì)快(kuài)速啟動指(zhǐ)南
TSB 軟件(CD包(bāo)含)
KickStart啟動軟(ruǎn)件(jiàn)(CD包含(hán))
LabVIEW與IVI驅動(dòng)

美國(guó)吉(jí)時利(lì)KEITHLEY2450數(shù)字(zì)源表(biǎo)源(yuán)測(cè)量單(dān)元（SMU）另(lìng)外選購配(pèi)件
1754型2綫(xiàn)通用10片裝測試(shì)綫(xiàn)套(tào)件(jiàn)（適(shì)用於(yú)175A，197A，2000，2001，2002，2010）
5804型Kelvin（4綫）10件裝的通用測試綫套(tào)件(jiàn)（適用(yòng)於580，2400係列，數(shù)字多用(yòng)表(biǎo)）
5805型Kelvin（4綫(xiàn)）帶彈簧的探(tàn)頭(tóu)，長(cháng)度為0.9米（3 ft）（適用於580，數字多(duō)用(yòng)表）
5806型(xíng)Kelvin（4綫(xiàn)）特大號(hào)鱷(è)魚(yú)夾測試綫(xiàn)，長度為(wéi)0.9米（3 ft）（適(shì)用於(yú)580，2400係(xì)列，數字(zì)多(duō)用(yòng)表）
5808型低成本單(dān)探(tàn)針(zhēn)，Kelvin探頭
5809型低成(chéng)本(běn)Kelvin夾測(cè)試綫組
8605型高性能模塊化測(cè)試綫(xiàn)，長度為0.9米（3 ft），（適用於2000，2001，2002，2010，2400係(xì)列）
8606型高(gāo)性能(néng)模塊(kuài)化(huà)探頭套(tào)件（適(shì)用(yòng)於(yú)2000，2001，2002，2010，2400係列）
237-ALG-2型低噪聲三(sān)同軸(zhóu)輸入電纜(lǎn)，一(yī)端接(jiē)3槽公三(sān)同軸連接(jiē)器(qì)另(lìng)一(yī)端(duān)接3個鱷魚夾，長度(dù)為(wéi)2米(mǐ)（6.6 ft），（適(shì)用於236，237，238，486，487，6514，6517A）
237-BAN-3A型三同軸至香(xiāng)蕉(jiāo)插頭（適用於(yú)7072，7072-HV，7172，數(shù)字(zì)多用表）
7078-TRX -1型(xíng)低噪聲(shēng)三(sān)同軸(zhóu)電(diàn)纜(lǎn)，長(cháng)度為0.3米(mǐ)（1 ft），（適用於(yú)236，237，238，6514，6517A，7072）
7078-TRX -3型(xíng)低噪聲三同軸(zhóu)電纜，長度為(wéi)0.9米（3 ft），（適(shì)用於236，237，238，6514，6517A，7072）
7078-TRX -5型低(dī)噪(zào)聲三同軸(zhóu)電纜，長度為1.5米（5 ft），（適(shì)用(yòng)於(yú)236，237，238，6514，6517A，7072）
7078-TRX -10型(xíng)低(dī)噪聲三同(tóng)軸(zhóu)電纜，長(cháng)度為3米(mǐ)（10 ft），（適(shì)用於(yú)236，237，238，6514，6517A，7072）
7078-TRX -12型低噪聲(shēng)三同軸(zhóu)電(diàn)纜，長度為(wéi)3.5米（12 ft），（適用(yòng)於(yú)236，237，238，6514，6517A，7072）
7078-TRX -20型低噪聲(shēng)三同軸電(diàn)纜，長(cháng)度為6.1米(mǐ)（20 ft），（適(shì)用於(yú)236，237，238，6514，6517A，7072）
7078-TRX- GND型(xíng)無防(fáng)護(hù)3槽公(gōng)三同軸至BNC適配(pèi)器(qì)（適用於(yú)236，237，238，4801，6517A，7051，7072，7072-HV）
8607型(xíng)1kV，2根香蕉(jiāo)插頭測(cè)試(shì)電纜，長(cháng)度(dù)為(wéi)1米（3.3 ft），（適用(yòng)於(yú)2410，6430，6514，6517A）
CA -18-1型屏蔽(bì)電(diàn)纜，兩(liǎng)端接雙香蕉插頭，長度為(wéi)1.2米(mǐ)（4 ft），（適(shì)於輸入(rù)端(duān)子）
CAP-31型保護屏蔽/罩(zhào)（適用於3接綫柱(zhù)三同軸連接(jiē)器(qì)）
KPCI-488LPA，KPCI-488LPA型(xíng) IEEE-488.2 PCI Bus 插件(jiàn)板(bǎn)
KUSB-488B型 IEEE-488.2 USB-to-GPIB USB接口適配(pèi)器
7007-1：雙層屏蔽(bì)高(gāo)級(jí)GPIB接口電纜(lǎn)，長(cháng)度(dù)1米（3.3ft）（用於GPIB互連）
7007-2：雙層(céng)屏蔽高級GPIB接(jiē)口(kǒu)電纜(lǎn)，長度2米（6.6ft）（用(yòng)於GPIB互連(lián)）
CA-180-3A型(xíng)TSP-Link電纜(lǎn)
8501-1型DIN至(zhì)DIN觸發連(lián)接(jiē)電纜(lǎn)，長(cháng)度(dù)為(wéi)1米(mǐ)（3.3 ft），（適用(yòng)於6517A，2400係列，KPC-TM，觸(chù)發連接輸入(rù)）
8501-2型DIN至(zhì)DIN觸發(fā)連(lián)接電纜，長(cháng)度(dù)為2米(mǐ)（6.6 ft），（適用於6517A，2400係(xì)列(liè)，KPC-TM，觸發連接(jiē)輸(shū)入(rù)）
8101-PIV，8101-PIV型(xíng)成(chéng)分測試夾具(jù)-優化(huà)低(dī)電壓設備測(cè)試(shì)

美(měi)國吉(jí)時利KEITHLEY2450數字(zì)源表(biǎo)源(yuán)測(cè)量單元(yuán)（SMU）係列產品
Model 2450-NFP Advanced Touchscreen SourceMeter SMU Instrument - No Front Panel
Model 2450-RACK Advanced Touchscreen SourceMeter SMU Instrument without Handle
Model 2450-NFP-RACK Advanced Touchscreen SourceMeter SMU Instrument - No Front Panel/Handle