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基(jī)礎信息Product information

產品名稱:美國(guó)吉(jí)時利KEITHLEY數字源(yuán)表

產(chǎn)品(pǐn)型(xíng)號:KEITHLEY2400-LV

更新時(shí)間(jiān):2026-05-19

產品簡(jiǎn)介:

中國(guó)電子行業(yè)儀器(qì)優質(zhì)供(gōng)應商(shāng)——堅融(róng)實(shí)業JETYOO INDUSTRIAL,Support,銷(xiāo)售(shòu)Sale,服(fú)務Service,3S公(gōng)司,提(tí)供(gōng)解決(jué)方(fāng)案,測(cè)試測(cè)量技(jì)術改進,技術(shù)培(péi)訓,采購管(guǎn)理,售後(hòu)維修服(fú)務。2400係列提(tí)供寬動態(tài)範圍:10pA to 10A, 1?V to 1100V, 20W to 1000W

產品特性(xìng)Product characteristics

 中(zhōng)國(guó)電子(zǐ)行業儀器(qì)優質供(gōng)應商(shāng)——堅融(róng)實業(yè)JETYOO INDUSTRIAL,Support,銷售Sale,服務(wù)Service,3S公(gōng)司,提供解決(jué)方(fāng)案,測試測(cè)量技(jì)術改(gǎi)進(jìn),技(jì)術(shù)培訓(xùn),采(cǎi)購(gòu)管理,售後(hòu)維修(xiū)服(fú)務。

吉時利KEITHLEY2400係列(liè)源(yuán)表(biǎo)研究領域:
各種器(qì)件(jiàn)的I-V功能測(cè)試和(hé)特(tè)征分析,包括:
 離散和無源元件 
–兩抽頭器(qì)件——傳(chuán)感器,磁盤驅動(dòng)器(qì)頭(tóu),金屬氧化物(wù)可變(biàn)電(diàn)阻(MOV),二(èr)極(jí)管,齊納二(èr)極(jí)管,電容(róng),熱(rè)敏(mǐn)電(diàn)阻
–三抽頭(tóu)器(qì)件(jiàn)——小信號(hào)雙極結型晶(jīng)體管(BJT),場(cháng)效應晶(jīng)體管(FET)等等(děng) 
 簡單IC器件——光(guāng)學器件,驅動(dòng)器,開關,傳(chuán)感器
 集(jí)成(chéng)器件(jiàn)——小規模集(jí)成(chéng)(SSI)和(hé)大規(guī)模(mó)集(jí)成(LSI)
–模擬IC 
–射(shè)頻集(jí)成(chéng)電(diàn)路(RFIC)
–集成電(diàn)路(ASIC)
–片(piàn)上(shàng)係統(tǒng)(SoC)器(qì)件
 光電(diàn)器(qì)件,例(lì)如發(fā)光二(èr)極管(LED),激光二(èr)極(jí)管(guǎn),高亮度LED(HBLED),垂直腔麵發(fā)射(shè)激光(guāng)器(qì)(VCSEL),顯(xiǎn)示器
 圓片(piàn)級可(kě)靠性
- NBTI,TDDB,HCI,電遷(qiān)移
 太(tài)陽能電(diàn)池(chí)
 電(diàn)池(chí)
暫態(tài)抑製(zhì)器(qì)件
IC,RFIC,MMIC
激光(guāng)二(èr)極(jí)管(guǎn),激光二極(jí)管(guǎn)模塊(kuài),LED,光電(diàn)檢測器
電路保護(hù)器件:
TVS,MOV,熔絲(sī)
安全(quán)氣(qì)囊
連(lián)接器,開關,繼電器
碳(tàn)納米管
半導體納米(mǐ)綫(xiàn)
碳(tàn)納米管(guǎn) FET
納米傳感器和陣列
單電子晶(jīng)體管(guǎn)
分子電子(zǐ)
有機電子
基本(běn)運(yùn)放(fàng)電路
二極(jí)管和電路
晶體管電(diàn)路

測試:
漏(lòu)流
低壓(yā),電阻(zǔ)
LIV
IDDQ
I-V特征(zhēng)分析
隔(gé)離(lí)與(yǔ)軌跡(jì)電阻
溫(wēn)度係(xì)數(shù)
正(zhèng)向(xiàng)電壓,反向(xiàng)擊穿,漏電(diàn)流
直流參數測(cè)試
直流(liú)電(diàn)源(yuán)
HIPOT
介質(zhì)耐受性

雙(shuāng)極結型(xíng)晶體(tǐ)管(guǎn)設(shè)計(jì)
結(jié)型場效(xiào)應(yīng)晶(jīng)體(tǐ)管(guǎn)設計(jì)
金屬氧化(huà)物半導體場(cháng)效(xiào)應晶體管(guǎn)設計(jì)
太陽能電池(chí)和(hé) LED 設(shè)計(jì)
高電子遷移率晶(jīng)體(tǐ)管設計
復(fù)合(hé)半導(dǎo)體器件設(shè)計

分析納米材(cái)料(liào)和(hé)實驗器(qì)件
碳(tàn)納米(mǐ)管(guǎn)的電測量標準
測(cè)量碳(tàn)納米管(guǎn)電氣(qì)特(tè)性
提高(gāo)納米電子(zǐ)和(hé)分(fēn)子電(diàn)子器件(jiàn)的(dí)低(dī)電(diàn)流測(cè)量
在低(dī)功率和低(dī)壓應用中實(shí)現準確(què),可(kě)靠的電(diàn)阻測量
納米級(jí)器(qì)件和(hé)材料(liào)的電(diàn)氣(qì)測量
提高(gāo)超(chāo)高(gāo)電阻和(hé)電阻率(shuài)測量的(dí)可(kě)重復性
一(yī)種(zhǒng)微分電導(dǎo)的(dí)改進(jìn)測量方法(fǎ)
納(nà)米(mǐ)技術(shù)準確電氣測量(liáng)的技術
納(nà)米(mǐ)級材(cái)料(liào)的電氣測(cè)量
降低外(wài)部(bù)誤(wù)差(chà)源影(yǐng)響的(dí)儀(yí)器(qì)技術
迎(yíng)接65nm節(jié)點的測(cè)量挑戰
測(cè)量半導體材料的(dí)高電(diàn)阻(zǔ)率(shuài)和(hé)霍爾(ěr)電壓
用(yòng)微微微(wēi)安(ān)量程(chéng)測量電(diàn)流(liú)
柵極(jí)電介(jiè)質電(diàn)容(róng)電(diàn)壓特性分析
評估氧(yǎng)化層的(dí)可靠性(xìng)

的(dí)半導體(tǐ)器(qì)件結構(gòu)設計和(hé)試驗低電阻,低(dī)功耗半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)器
輸出極(jí)低電(diàn)流和測量極(jí)低電壓分析現代(dài)材(cái)料,半導(dǎo)體(tǐ)和(hé)納米(mǐ)電子(zǐ)元(yuán)件(jiàn)的電阻(zǔ)
低阻測(cè)量(liáng)(低至10nΩ)分析導通(tōng)電阻參數,互連(lián)和(hé)低(dī)功率半(bàn)導體(tǐ)。
用(yòng)於*進CMOS技(jì)術(shù)的(dí)脈(mài)衝可(kě)靠性測(cè)試(shì)
高K柵極(jí)電介質電(diàn)荷(hé)俘獲(huò)行為(wéi)的脈(mài)衝(chōng)特(tè)性分析(xī)
用(yòng)6綫(xiàn)歐姆(mǔ)測量技術進(jìn)行更高(gāo)準確(què)度的電阻測量
配置(zhì)分立電(diàn)阻(zǔ)器驗(yàn)證(zhèng)測(cè)試(shì)係(xì)統(tǒng)
電(diàn)信(xìn)激光二(èr)極(jí)管模塊(kuài)的(dí)高吞(tūn)吐率直流生產測試
多(duō)台(tái)數(shù)字源(yuán)表(biǎo)的觸(chù)發器同步(bù)
高(gāo)亮度,可(kě)見(jiàn)光(guāng)LED的(dí)生(shēng)產測試
OLED顯示器(qì)的(dí)直(zhí)流生產測(cè)試
在運(yùn)行中第5次(cì)測量(liáng)用於偏(piān)置溫度(dù)不穩定特性(xìng)分(fēn)析
數字源表(biǎo)的緩衝器以及如(rú)何用(yòng)這(zhè)兩個(gè)緩衝器獲取多達5000點數據(jù)
連接器的(dí)生產(chǎn)測(cè)試(shì)方案(àn)
射頻功(gōng)率(shuài)晶體管的直(zhí)流(liú)電氣(qì)特性分(fēn)析(xī)

1. MOS 電(diàn)容(róng)器(qì)
C-V 曲綫 (高頻:100kHz):
摻雜類(lèi)型 – 氧化(huà)層厚(hòu)度 – 平帶電壓 – 閾(yù)值電壓(yā) – 襯底摻雜 – zui大耗盡(jìn)層寬度 – 反(fǎn)型層到平(píng)衡的靈(líng)敏度(dù):電壓掃(sǎo)描率(shuài)和方向(xiàng) – 光效(xiào)應和溫度效(xiào)應(yīng)。
I-V 曲(qū)綫分(fēn)析(xī):
電荷建(jiàn)立 (測量電壓(yā) - 時間圖(tú),用(yòng)低電流(liú)源); 氧化層電容測(cè)定; 與 C-V 曲綫(xiàn)比(bǐ)較。
C-V 曲綫(xiàn) (準靜態(tài)) 結(jié)合 C-V 曲(qū)綫(xiàn):
表(biǎo)麵電(diàn)位 Ψs 與(yǔ)施加電壓的關係 – Si (100) 的表麵(miàn)態密度 Dit = f (Ψs) 與(yǔ) Si (111) 的(dí)相比:方向和後處理(lǐ)退(tuì)火的(dí)影響(xiǎng)。
C-V 曲(qū)綫(xiàn) (高頻(pín):100kHz):
移動(dòng)氧化(huà)層(céng)電荷密(mì)度 (偏(piān)壓(yā)溫度應力:200°C,10 分(fēn)鐘(zhōng),±10V)
 
2. 雙(shuāng)極(jí)結(jié)型晶(jīng)體管
     主題
   正(zhèng)向共發(fā)射(shè)極輸(shū)出(chū)特(tè)性:Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測量(liáng)。
   正向(xiàng) CE 輸入特(tè)性(xìng):Ib = f (Vbe) 對(duì)於(yú)幾個(gè) Vce 正值。
   正(zhèng)向 Gummel 曲綫: log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
   確定增益(yì) βf = Ic/Ib 和(hé) af。
   Βf 與(yǔ) log(Ic) 的(dí)關係(xì): 低注入和高注(zhù)入的效果。
   非(fēi)理想(xiǎng)特(tè)性:爾(ěr)利電(diàn)壓(yā)。
   反向 CE 輸出特(tè)性: Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
   反向(xiàng) CE 傳輸特性:Ib=f(Vbe) 對於幾個Vce負(fù)值。
   反(fǎn)向(xiàng) Gummel 曲綫(xiàn): logIe, logIb=f(Vbc>0).
   確(què)定增益 βr = Ie/Ib 和(hé) ar。
   Βr 與(yǔ) log(Ie) 的關係: 低注入(rù)和高注入(rù)的(dí)效果。
   Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確(què)定,對於給(gěi)定(dìng)的 Ib 電流(liú)。
   Ebers Moll 模型構建(jiàn)並且(qiě)與(yǔ)實驗做(zuò)比(bǐ)較(jiào)。
   BE 和 CE 結的 C-V 特性(xìng)分析。基區摻雜(zá)濃縮(suō)。
 
3. 亞微米集成(chéng) MOSFET
輸(shū)出(chū)特(tè)性:IDS = f(VDS,VGS):
p型(xíng) MOSFET (增強或(huò)耗盡(jìn)),溝道(dào)長(cháng)度調(tiáo)製參(cān)數(shù)(λ) 在(zài)飽(bǎo)和(hé)區域 (VDS<–3V) 有效(xiào)溝道(dào)長(cháng)度與 VDS 的關係(xì)。
傳輸(shū)特(tè)性:
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k.  
Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
襯(chèn)底偏壓特性(xìng): 
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
亞閾(yù)值特(tè)性:
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.
襯(chèn)底(dǐ)電流(liú)特(tè)性(xìng):
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使用(yòng)長溝道和(hé)短溝(gōu)道公式(shì)的輸出特性(xìng)模型:比(bǐ)較(jiào)實驗(yàn)結果。

美(měi)國(guó)吉時(shí)利(lì)KEITHLEY2400數(shù)字(zì)源表進(jìn)行VCSEL測(cè)試(shì)
美(měi)國吉(jí)時利(lì)KEITHLEY2400測(cè)量(liáng)光(guāng)伏電池(chí)的I-V特(tè)性
美國吉(jí)時利KEITHLEY2400係列數字源(yuán)表的SCPI應用轉(zhuǎn)換(huàn)為2600係(xì)列(liè)源(yuán)表的(dí)腳本應用
美(měi)國吉(jí)時利(lì)KEITHLEY2400係列(liè)數(shù)字源(yuán)表進行(háng)IDDQ測試和(hé)待(dài)機電流(liú)測試
使用(yòng)兩台美(měi)國(guó)吉(jí)時利KEITHLEY2400型數(shù)字源表(biǎo)輸出2A電流
美國吉時利(lì)KEITHLEY2400或(huò)其(qí)它非脈衝(chōng)模(mó)式源表(biǎo)產生(shēng)電流 (或電(diàn)壓(yā)) 脈(mài)衝(chōng)
美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2400係(xì)列(liè)數字(zì)源(yuán)表提升多引(yǐn)腳器(qì)件的生產量(liáng)
美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2400數(shù)字源(yuán)表(biǎo)創建(jiàn)可(kě)擴縮,多引腳,多功能IC測試係統
美(měi)國吉(jí)時利(lì)KEITHLEY2402數字源(yuán)表對激光(guāng)二(èr)極(jí)管模塊和VCSEL進(jìn)行高吞(tūn)吐率(shuài)直(zhí)流生(shēng)產(chǎn)測試(shì)
美國吉時利KEITHLEY2400係(xì)列數字源(yuán)表(biǎo)進行二(èr)極管生產測試
美(měi)國吉(jí)時利KEITHLEY2400係(xì)列(liè)數字(zì)源(yuán)表(biǎo)進(jìn)行高亮度,可見(jiàn)光(guāng)LED的生產測(cè)試(shì)
美國(guó)吉(jí)時利(lì)KEITHLEY2400係列(liè)數字(zì)源(yuán)表進行(háng)IDDQ測試和(hé)待機(jī)電流測試
美(měi)國吉時利(lì)KEITHLEY2400 數(shù)字源表驗證變阻器
美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2400係列源(yuán)表(biǎo)進(jìn)行(háng)電(diàn)池(chí)放(fàng)電/充(chōng)電(diàn)周期
美(měi)國吉時利KEITHLEY2400配置(zhì)電阻網絡的(dí)生產測(cè)試係統
美(měi)國(guó)吉時(shí)利(lì)KEITHLEY2430 1kW 脈衝源(yuán)表(biǎo)進行大(dà)電流(liú)變(biàn)阻器的生(shēng)產(chǎn)測試(shì)
美國吉(jí)時利KEITHLEY2400數字(zì)源表進(jìn)行熱(rè)敏(mǐn)電阻的生(shēng)產測(cè)試

美國吉時利(lì)KEITHLEY2400-LV數字源表,能(néng)測量高(gāo)達(dá)200V的電壓(yā)和(hé)1A的(dí)電流,輸出(chū)功(gōng)率20W
吉時利數字(zì)源(yuán)表係(xì)列(liè)特(tè)別(bié)適用於需(xū)要精密電壓(yā)源和電流源驅動(dòng),同時進行電(diàn)流(liú)與電壓測量(liáng)的測試應(yīng)用(yòng)。所(suǒ)有(yǒu)源表(biǎo)都提(tí)供(gōng)精(jīng)密的電壓和電流(liú)源(yuán)測(cè)量能力。每個源表均(jūn)由一個高穩定的(dí)直(zhí)流(liú)源和(hé)一(yī)個真(zhēn)儀(yí)器級的(dí)5位(wèi)半多功(gōng)能表(biǎo)組成。該電源(yuán)特性包括(kuò):低噪(zào)聲,高(gāo)精(jīng)度和回讀(dú)功能。萬(wàn)用表功(gōng)能(néng)包(bāo)括高重復性和(hé)低(dī)噪(zào)音。其結果(guǒ)形成了(liǎo)一個緊湊的(dí)單(dān)通道(dào)直流參(cān)數測試儀(yí)。在操作中,這些(xiē)儀(yí)器可以作為一個(gè)電(diàn)壓源,電(diàn)流(liú)源(yuán),電(diàn)壓(yā)表(biǎo),電流表(biǎo)和(hé)歐(ōu)姆表。通信(xìn),半(bàn)導體(tǐ),計算機,汽(qì)車與(yǔ)醫療行業的(dí)元件(jiàn)與模(mó)塊(kuài)製造商(shāng)都將發現,數字源(yuán)表對於(yú)各(gè)種特(tè)征(zhēng)分析與(yǔ)生(shēng)產過(guò)程測(cè)試(shì)都實用價(jià)值(zhí)。


美國吉(jí)時利(lì)KEITHLEY2400-LV數字源(yuán)表性能特點(diǎn)
2400係列提(tí)供寬(kuān)動態範圍(wéi):10pA to 10A, 1µV to 1100V, 20W to 1000W
四象限工作
0.012%的精(jīng)確(què)度,5½的分(fēn)辨率(shuài)
可程(chéng)控(kòng)電(diàn)流驅(qū)動和電壓測量(liáng)鉗(qián)位(wèi)的(dí) 6位(wèi)綫(xiàn)電阻測量
在(zài)4½數位(wèi)時通(tōng)過(guò)GPIB達(dá)1700讀數/秒
內置快速失敗/通(tōng)過測(cè)試比較器
可選(xuǎn)式(shì)接觸檢(jiǎn)查(chá)功能(néng)
數字(zì)I/O提(tí)供(gōng)快速分(fēn)選(xuǎn)與機械手連(lián)接 GPIB, RS-232, 和觸發式連接麵板(bǎn)


美國吉(jí)時(shí)利KEITHLEY2400-LV數(shù)字源表可選配件(jiàn)
1754型(xíng)2綫(xiàn)通用10片裝測試綫套(tào)件(jiàn)(適(shì)用於(yú)175A,197A,2000,2001,2002,2010)
4288-1型(xíng)單機(jī)架安裝套件(適(shì)用於428,486,487,776,2700,2000係列,2182,2300 係列,2400係列(liè),2500係列(liè),6514,6517A,7001,6430,6485)
4288-2型(xíng)雙機架(jià)安裝套件(適用於(yú)428,486,487,776,2000係列(liè),2182,2300 係(xì)列,2400係列,6514,6517A,7001,2700,6430,6485)
5804型(xíng)Kelvin(4綫)10件裝的通用(yòng)測試綫套件(適用於580,2400係(xì)列,數(shù)字多用(yòng)表)
5805型(xíng)Kelvin(4綫)帶彈簧(huáng)的(dí)探(tàn)頭,長度為0.9米(3 ft)(適用(yòng)於(yú)580,數字多(duō)用(yòng)表)
5806型Kelvin(4綫)特大號(hào)鱷魚(yú)夾(jiā)測試綫,長(cháng)度為(wéi)0.9米(3 ft)(適用於(yú)580,2400係(xì)列(liè),數字多用表)
7001,7001型80通(tōng)道(dào)程(chéng)控開(kāi)關控製器(qì)
7002,7002型(xíng)400通道程控開(kāi)關控(kòng)製器
7053高(gāo)電流,10通道(dào)掃(sǎo)描卡(qiǎ),具有(yǒu)5A接(jiē)觸(chù)(適(shì)用於7001和7002)
7007-1:雙層屏蔽(bì)高級(jí)GPIB接口電(diàn)纜(lǎn),長度1米(mǐ)(3.3ft)(用於(yú)GPIB互連)
7007-2:雙層屏蔽高級GPIB接(jiē)口(kǒu)電纜(lǎn),長度2米(6.6ft)(用於GPIB互連(lián))
7009-5型屏蔽RS-232電(diàn)纜(lǎn),長(cháng)度(dù)為1.5米(5 ft)(適(shì)用於(yú)2000,2010,6517A,2400係列)
8501-1型DIN至DIN觸(chù)發連(lián)接電纜(lǎn),長度(dù)為(wéi)1米(3.3 ft),(適(shì)用(yòng)於(yú)6517A,2400係(xì)列,KPC-TM,觸(chù)發連接(jiē)輸入(rù))
8501-2型DIN至DIN觸(chù)發連(lián)接電纜,長度為2米(mǐ)(6.6 ft),(適(shì)用(yòng)於6517A,2400係列,KPC-TM,觸發(fā)連接輸入(rù))
8503型DIN至雙(shuāng)BNC觸(chù)發連接電纜(lǎn),長度(dù)為1米(mǐ)(3.3 ft),(適(shì)用(yòng)於2000,2010,2400係列,觸(chù)發連(lián)接輸(shū)入(rù))
8505型(xíng)公(gōng)DIN至2 母DIN Y型適(shì)配(pèi)器(qì)電纜,長(cháng)度為0.3米(1 ft),(適用於觸發連接)
8606型高性能(néng)模塊(kuài)化探頭(tóu)套件(適(shì)用(yòng)於(yú)2000,2001,2002,2010,2400係(xì)列(liè))
8607型1kV,2根(gēn)香蕉插頭測試電纜(lǎn),長(cháng)度為(wéi)1米(3.3 ft),(適用(yòng)於(yú)2410,6430,6514,6517A)
CA -18-1型屏(píng)蔽電(diàn)纜,兩(liǎng)端(duān)接雙香蕉(jiāo)插頭(tóu),長度為1.2米(mǐ)(4 ft),(適於輸(shū)入端子(zǐ))

供(gōng)選擇的(dí)配件(jiàn)
8605型(xíng)高性(xìng)能(néng)模塊化測試綫,長度為0.9米(3 ft),(適用於(yú)2000,2001,2002,2010,2400係(xì)列)


美(měi)國吉時利(lì)KEITHLEY2400-LV數字(zì)源(yuán)表配(pèi)套(tào)產品
7001,7001型80通道程控開關控(kòng)製器
7002,7002型400通道程控(kòng)開(kāi)關控製(zhì)器(qì)
7011-C型四(sì)1×10多路選通器(qì),帶集中端接(jiē)器(qì)(適用(yòng)於7001和(hé)7002)
7011-S型四1×10多路選通器,帶(dài)螺釘(dīng)端(duān)子(zǐ)(適(shì)用於7001和(hé)7002)
7012-C型4×10矩(jǔ)陣(zhèn)卡,帶集中(zhōng)端(duān)接器(qì)(適用(yòng)於7001和(hé)7002)
7012-S型(xíng)4×10矩(jǔ)陣卡,帶螺釘(dīng)端子(適(shì)用(yòng)於(yú)7001和(hé)7002)


美國(guó)吉時(shí)利(lì)KEITHLEY2400-LV數(shù)字(zì)源(yuán)表係列(liè)產品
2400型(xíng)通(tōng)用(yòng)性源表(biǎo)zui大可測(cè)量200V的電流(liú)和1A的(dí)電流(liú),輸出(chū)功率20W
2400-C型帶接觸(chù)檢(jiǎn)測(cè)的通(tōng)用(yòng)數字(zì)源(yuán)表(biǎo),能測量(liáng)高達200V的電壓和1A的電流,輸出功(gōng)率20W
2410型高(gāo)壓源(yuán)表能夠測(cè)量高達1100V的電壓和(hé)1A的電(diàn)流,輸出功率20W功率(shuài)。
2410-C型(xíng)帶接(jiē)觸檢測(cè)的(dí)高壓數字源(yuán)表(biǎo),能測量高達1100V的(dí)電(diàn)壓和1A的電(diàn)流(liú),輸(shū)出(chū)功率20W
2420型高壓源(yuán)表能夠(gòu)測(cè)量(liáng)高達(dá)60V的(dí)電(diàn)壓和3A的電(diàn)流,輸(shū)出(chū)功率60W功率
2420-C型帶接觸(chù)檢測(cè)的大(dà)電流(liú)數(shù)字(zì)源(yuán)表(biǎo),能測量高達60V的電壓(yā)和(hé)3A的電(diàn)流,輸出(chū)功(gōng)率60W
2425型100W源(yuán)表(biǎo)能夠測量100V的(dí)電壓(yā)和(hé)3A的電流(liú)
2425-C型帶接(jiē)觸檢測的100W數字(zì)源表,能測(cè)量高達100V的電(diàn)壓(yā)和(hé)3A的(dí)電流(liú)
2430型1kW脈衝模(mó)式源表能夠測量100V電壓(yā)和10A電流
2430-C型(xíng)帶(dài)接(jiē)觸檢測的1kW脈(mài)衝模式(shì)數(shù)字(zì)源表(biǎo),能測量高(gāo)達100V的(dí)電壓和(hé)10A的電流
2440型(xíng)5A源表(biǎo)能夠測量高達(dá)40V的(dí)電壓和5A的電(diàn)流,輸出(chū)功(gōng)率50W
2440-C型帶接觸檢(jiǎn)測的5A數(shù)字(zì)源(yuán)表,能(néng)測量高達(dá)40V的(dí)電壓和(hé)5A的電流,輸(shū)出(chū)功(gōng)率50W
6430亞fA程控源(yuán)表

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