欧美婷婷六月丁香综合色,日韩精品狠狠色综合久久丁香婷婷_日韩精品激情婷婷丁香色五月综合深爱野花,中文字幕亚洲色婷婷婷婷五月国产精品狠狠色丁香婷婷综合_日韩精品国产五月色婷婷六月丁香视频,婷婷久久综合网,丁香五月天婷婷激情六月_欧美精品WWW天天干天天色

產品特(tè)性Product characteristics

“精(jīng)"——上海市先JIN企業(yè)!

“專(zhuān)"——專注(zhù)工業(yè)測試十(shí)六(liù)年(nián)!

“特"——德(dé)國(guó)萊茵(yīn)TUV認證(zhèng)供(gōng)應(yīng)商!

“新"——注冊資(zī)本實繳壹(yī)仟(qiān)萬元(yuán)!實繳(jiǎo)資(zī)金行業中(zhōng)居前(qián)茅(máo)!抗(kàng)金(jīn)融(róng)風險能力強(qiáng)!

TH512國產半導(dǎo)體參數分析儀(yí)應用

半導體元件/功率(shuài)元件： 二(èr)極(jí)管，三極(jí)管(guǎn)，MOSFET，IGBT，晶閘管(guǎn)，集成電(diàn)路，光(guāng)電子芯片等寄生電(diàn)容測試(shì)，C-V特(tè)性(xìng)分(fēn)析(xī)

半導(dǎo)體材料：晶圓(yuán)切割，C-V特(tè)性分析(xī)

液(yè)晶材料(liào)：彈性(xìng)常(cháng)數分(fēn)析

電容元件(jiàn)：電容器(qì)C-V特性測(cè)試(shì)及分(fēn)析，電(diàn)容(róng)式(shì)傳感器測試分(fēn)析

性能(néng)特點

 柵(zhà)極電壓VGS：0 - ±40V

 漏極電(diàn)壓(yā)VDS：0 - ±3000V

 四寄(jì)生參(cān)數(Ciss，Coss，Crss，Rg或Cies，Coes，Cres，Rg)同屏一(yī)鍵測量(liáng)及顯示(shì)

 一(yī)體(tǐ)化設計：LCR+VGS低(dī)壓源+VDS高(gāo)壓(yā)源+通道切換(huàn)+上(shàng)位機(jī)軟(ruǎn)件

 單管器件(jiàn)（點測(cè)），模組(zǔ)器(qì)件(jiàn)（列(liè)表掃(sǎo)描），曲綫掃(sǎo)描(選(xuǎn)件(jiàn))三種測(cè)試方式

 標配(pèi)2通道，可擴(kuò)展至6通道(dào)，可測單管，多芯(xīn)或(huò)模組器(qì)件(jiàn)（TH513僅(jǐn)1通(tōng)道(dào)）

 CV曲(qū)綫(xiàn)掃描，Ciss-Rg曲綫(xiàn)掃描

 電容(róng)快速(sù)充電技術(shù)，實(shí)現快速測試(shì)

 接(jiē)觸檢(jiǎn)查Cont

 通(tōng)斷(duàn)測(cè)試(shì)OP_SH

 自動(dòng)延時(shí)設置

 Crss Plus功(gōng)能：解(jiě)決高頻下Crss負(fù)值(zhí)問題

 高(gāo)壓(yā)擊穿(chuān)保(bǎo)護(hù)：DS瞬間短(duǎn)路，保護儀(yí)器(qì)

 Interlock安全(quán)鎖(suǒ)功(gōng)能(néng)：增加高(gāo)壓防(fáng)護(hù)牆(qiáng)（僅(jǐn)TH513）

 Cs-V功(gōng)能：二極管結電容CV特(tè)性測試分(fēn)析(xī)

 等(děng)效模式(shì)轉(zhuǎn)換(huàn)功(gōng)能(néng)，可選Cs或Cp模式(shì)

 10檔分選

簡(jiǎn)介

TH510係(xì)列(liè)半導(dǎo)體C-V特性(xìng)分析儀是(shì)常州(zhōu)同(tóng)惠電(diàn)子根據當(dāng)前半導(dǎo)體功率(shuài)器(qì)件(jiàn)發展趨勢(shì)，針對(duì)半(bàn)導體材(cái)料及(jí)功率器(qì)件設(shè)計的(dí)分析儀器。

儀(yí)器采用(yòng)了一(yī)體(tǐ)化集成(chéng)設(shè)計，二(èr)極管，三(sān)極(jí)管(guǎn)，MOS管及(jí)IGBT等(děng)半導體(tǐ)功率(shuài)器(qì)件(jiàn)寄生(shēng)電容，CV特性(xìng)可一(yī)鍵(jiàn)測(cè)試，無需頻繁(fán)切換接(jiē)綫及(jí)設置參數，單(dān)管功率器件(jiàn)及模組(zǔ)功率(shuài)器件均可(kě)一(yī)鍵快速(sù)測(cè)試，適(shì)用於(yú)生產(chǎn)綫快速測試(shì)，自(zì)動(dòng)化(huà)集成。

CV曲綫掃(sǎo)描分(fēn)析(xī)能力(lì)亦能(néng)滿足實驗室對(duì)半導(dǎo)體材料及(jí)功率器件的研(yán)發(fā)及(jí)分析（此功能(néng)為選(xuǎn)件(jiàn)）。

儀器(qì)設(shè)計頻率(shuài)為(wéi)1kHz-2MHz，Vgs電壓(yā)可達±40V，VDS電壓可達±200V/±1500V/±3000V，足以(yǐ)滿(mǎn)足(zú)大多數功(gōng)率(shuài)器(qì)件測試(shì)。

功(gōng)能(néng)特(tè)點(diǎn)

A.一(yī)體(tǐ)化(huà)測(cè)試(shì)，集(jí)成度高(gāo)，體(tǐ)積小，效(xiào)率高(gāo)

    一台(tái)儀器內(nèi)置了(liǎo)LCR數(shù)字(zì)電橋，VGS電(diàn)壓(yā)源，VDS電(diàn)壓(yā)源(yuán)，高(gāo)低壓(yā)切換(huàn)矩陣以及上位機軟(ruǎn)件(jiàn)，將(jiāng)復雜的接綫，繁(fán)瑣的(dí)操作(zuò)集成在支持(chí)電容式觸(chù)摸的Linux係(xì)統內，操(cāo)作更簡單(dān)。特別(bié)適(shì)合產(chǎn)綫快(kuài)速化(huà)，自動化測(cè)試。

B.單(dān)管器(qì)件測(cè)試，10.1寸(cùn)大屏(píng)，四(sì)種(zhǒng)寄生(shēng)參數同屏顯示(shì)，讓(ràng)細節一覽無遺

    MOSFET或IGBT最重(zhòng)要(yào)的(dí)四個(gè)寄生參數：Ciss，Coss，Crss，Rg，Cies，Coes，Cres，Rg均(jūn)可一鍵(jiàn)測(cè)試，10.1寸大(dà)屏(píng)可(kě)同時(shí)將(jiāng)測量結果，等效(xiào)電(diàn)路圖(tú)，分(fēn)選(xuǎn)結(jié)果等(děng)重要參數(shù)同(tóng)時顯(xiǎn)示(shì)，一(yī)目(mù)了(liǎo)然。

    一鍵測試單管器件(jiàn)器(qì)件(jiàn)時，無需頻繁(fán)切(qiē)換(huàn)測試(shì)腳位(wèi)，測量(liáng)參數，測(cè)量(liáng)結(jié)果(guǒ)，大大(dà)提高了測試效(xiào)率。

C.列表測試，多(duō)個，多芯(xīn)，模組器(qì)件(jiàn)測量參數同屏(píng)顯示

    TH510係(xì)列(liè)半(bàn)導(dǎo)體C-V特性(xìng)分析(xī)儀支持最多(duō)6個單管器件，6芯器(qì)件(jiàn)或6模(mó)組器(qì)件測(cè)試，所(suǒ)有測(cè)量參(cān)數(shù)通過列表掃描模(mó)式同時顯示(shì)測試結(jié)果(guǒ)及(jí)判斷結(jié)果。

D.曲綫掃(sǎo)描功能（選件）

    在(zài)MOSFET的參(cān)數(shù)中，CV特性曲(qū)綫也是一(yī)個非(fēi)常重(zhòng)要的(dí)指標，如(rú)下圖

    TH510係(xì)列半(bàn)導(dǎo)體C-V特性(xìng)分析儀支持C-V特(tè)性(xìng)曲綫分(fēn)析(xī)，可以以對數，綫性兩(liǎng)種方式實現曲綫掃(sǎo)描，可同時顯示(shì)多條(tiáo)曲(qū)綫(xiàn)：同一(yī)參(cān)數(shù)，不同Vg的多條曲綫(xiàn)；同一(yī)Vg，不同參數多條曲(qū)綫。

    TH510係列同(tóng)時(shí)支(zhī)持多(duō)種(zhǒng)曲(qū)綫(xiàn)掃(sǎo)描(miáo)模(mó)型

    曲(qū)綫(xiàn)支持散(sàn)點標(biāo)記(jì)及粗(cū)細(xì)調(tiáo)節

    Ciss-Rg曲(qū)綫(xiàn)掃(sǎo)描

E.Cs-V功(gōng)能(néng),二極管結電容CV特(tè)性測試分(fēn)析(xī)

     得益(yì)於TH510係列功率(shuài)器(qì)件CV特(tè)性分(fēn)析儀內置了2路直流電源(yuán)，使(shǐ)二極管(guǎn)的CV特(tè)性分析(xī)成(chéng)為可能(néng)，Cs-V功能(néng)可用(yòng)於(yú)測(cè)試各(gè)種二極(jí)管的(dí)結電(diàn)容(róng)，並可分(fēn)析(xī)二極管(guǎn)的CV特(tè)性(xìng)。

F.等效模式轉換

    TH510係列功(gōng)率(shuài)器件CV特(tè)性(xìng)分析(xī)儀測(cè)試(shì)結果(guǒ)的(dí)電容C均(jūn)為串(chuàn)聯模(mó)式Cs，對於(yú)部(bù)分需(xū)求測試並聯模(mó)式(shì)Cp需求的客(kè)戶(hù)，可(kě)自行(háng)切換

G. 多種(zhǒng)獨特技(jì)術(shù)，解(jiě)決(jué)自動化配套(tào)測試痛(tòng)點(diǎn)

        在配套自動化(huà)設(shè)備或(huò)者產(chǎn)綫時，經常會(huì)遇到(dào)下列問題，同惠(huì)針對多種(zhǒng)情(qíng)況(kuàng)進行了優化。

        1）獨特技術(shù)解(jiě)決(jué)Ciss，Coss，Crss，Rg產(chǎn)綫/自動化係統高速測試(shì)精度(dù)

同(tóng)惠電(diàn)子在(zài)電容測試行業近(jìn)30年的經(jīng)驗積累，得以在(zài)產(chǎn)綫，自動化測(cè)試等高速高(gāo)精(jīng)度(dù)測試(shì)場合，都(dū)能保證(zhèng)電容(róng)，電(diàn)阻(zǔ)等測(cè)試(shì)精(jīng)度。

常規(guī)產綫測試，提供(gōng)標(biāo)準0米(mǐ)測試夾(jiā)具，直插器(qì)件可(kě)直接(jiē)插入進(jìn)行測(cè)試，Ciss，Coss，Crss，Rg測(cè)試精(jīng)度高(gāo)。                   image.png        

針對(duì)自動(dòng)化測(cè)試，由於自(zì)動(dòng)化設(shè)備測試(shì)工(gōng)裝通常需(xū)要較(jiào)長連(lián)接綫(xiàn)，大(dà)多(duō)自動化設備(bèi)生產商(shāng)在(zài)延(yán)長(cháng)測(cè)試綫(xiàn)時(shí)會(huì)帶來很大的精度(dù)偏(piān)差，為(wéi)此，同惠(huì)設(shè)計(jì)了獨特(tè)的2米延長綫並內置(zhì)了(liǎo)2米(mǐ)校(xiào)準(zhǔn)，保(bǎo)證Ciss，Coss，Crss，Rg測試精度(dù)和(hé)0米測(cè)試(shì)夾具一(yī)致。

        2）接觸(chù)檢查（Contact）功能，提前(qián)排除(chú)自動化測(cè)試(shì)隱(yǐn)患

在(zài)高速(sù)測試(shì)特別(bié)是自動(dòng)化(huà)測試中，經常(cháng)會由(yóu)於(yú)快(kuài)速插拔或(huò)閉合(hé)，造成(chéng)測試(shì)治具或工(gōng)裝(zhuāng)表麵磨損，引綫(xiàn)斷裂(liè)而接觸(chù)不(bù)良(liáng)，接觸不(bù)良的造成的最直接後(hòu)果是誤判(pàn)測試(shì)結果而(ér)難以(yǐ)發現，在(zài)廢品(pǐn)率(shuài)突然(rán)增(zēng)加(jiā)或(huò)發出(chū)產品(pǐn)故(gù)障(zhàng)原(yuán)因退(tuì)回(huí)時(shí)才(cái)會發現，因此是(shì)一個極大的隱(yǐn)患(huàn)。

同惠(huì)TH510係列半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)C-V特性分析儀采用了(liǎo)獨特(tè)的(dí)硬件測(cè)試方法，采用了四端(duān)測(cè)量(liáng)法，每(měi)個(gè)腳位均有兩根(gēn)綫(xiàn)連(lián)接，若任意一(yī)根(gēn)綫斷裂(liè)或(huò)者(zhě)接(jiē)觸點接觸(chù)不(bù)良，均可及時(shí)發現並提供(gōng)接(jiē)觸(chù)不良點提示，儀器自動(dòng)停止(zhǐ)測試(shì)，等(děng)待進一(yī)步(bù)處理(lǐ)。

保障了結果的準確性，同時(shí)利於客戶及時發現(xiàn)問題，避(bì)免了不(bù)良(liáng)品(pǐn)率提高(gāo)及(jí)故(gù)障品退回等(děng)帶來的損失。

        3）快速通斷測(cè)試（OP_SH）,排(pái)除損壞器(qì)件(jiàn)

在(zài)半導體器件(jiàn)特性(xìng)測(cè)試(shì)時(shí)，由(yóu)於半器件(jiàn)本身是損壞件(jiàn)，特(tè)別(bié)是多芯器(qì)件其中(zhōng)一(yī)個(gè)芯已經損壞的情況下，測試雜散(sàn)電容仍有可(kě)能被判(pàn)斷為合(hé)格(gé)，而半(bàn)導體(tǐ)器件(jiàn)的導(dǎo)通特(tè)性才是最重要的特性(xìng)。

因此，對(duì)於本(běn)身(shēn)導(dǎo)通特性(xìng)不良的產品(pǐn)進(jìn)行(háng)C-V特性測試是(shì)沒有(yǒu)必(bì)要的，不僅(jǐn)僅浪(làng)費了測量(liáng)時(shí)間，同(tóng)時(shí)會由於(yú)C-V合格(gé)而(ér)混雜在(zài)良品裏，導(dǎo)致成(chéng)品(pǐn)出貨後被退(tuì)回帶(dài)來(lái)損(sǔn)失(shī)。

TH510係列(liè)半導(dǎo)體C-V特(tè)性分析儀提供(gōng)了(liǎo)快(kuài)速(sù)通斷(duàn)測(cè)試（OP_SH）功(gōng)能,可(kě)用(yòng)於直接判斷器(qì)件本身導(dǎo)通性能(néng)。

        4）Crss+Plus功(gōng)能(néng)，解(jiě)決(jué)自動化測試係(xì)統(tǒng)高(gāo)頻下(xià)Crss負值問題      

Crss電(diàn)容(róng)通(tōng)常在pF級，容(róng)量較(jiào)小(xiǎo)，測試是(shì)個難題(tí)。

而在(zài)自(zì)動化測(cè)試係(xì)統中，由於過多的轉接(jiē)開關，過(guò)長測(cè)測(cè)試(shì)引(yǐn)綫等(děng)帶來的寄生(shēng)參數。

因此(cǐ)，測(cè)試Crss，特(tè)別是在高(gāo)頻(pín)測試時通(tōng)常會(huì)出現(xiàn)負(fù)值(zhí)，

同惠(huì)電子憑借在電(diàn)容器測試(shì)行業(yè)30年(nián)的技術及經驗(yàn)積(jī)累，采用獨特(tè)的(dí)算法(fǎ)的Crss Plus模式(shì)，可(kě)保證即使(shǐ)是(shì)在自動化測(cè)試(shì)係統中，高(gāo)頻下也(yě)能(néng)測的正確的結果(guǒ)。

        5）漏源高(gāo)壓擊(jī)穿保(bǎo)護(hù)技術，防止損(sǔn)壞(huài)測試(shì)儀(yí)器

在(zài)測試功率器(qì)件(jiàn)電(diàn)容時，漏(lòu)極D通常(cháng)會加上(shàng)高壓，特別(bié)是(shì)第三(sān)代(dài)功率半(bàn)導體器件，電壓甚至(zhì)可(kě)高(gāo)達(dá)1000V-3000V，當(dāng)漏(lòu)源瞬(shùn)間擊穿(chuān)時(shí)，常會(huì)導致電容(róng)器(qì)瞬間短路放(fàng)電(diàn)，在(zài)漏(lòu)源電壓1500V時(shí)，放電(diàn)電流可高(gāo)達(dá)780A，如此(cǐ)大的瞬間電流，會反衝至儀器內部電路，並導致損壞。

同惠高壓(yā)擊穿(chuān)保(bǎo)護(hù)技術，解(jiě)決(jué)了此隱(yǐn)患，避(bì)免經常由(yóu)於高壓(yā)衝(chōng)擊損壞儀(yí)器(qì)，降(jiàng)低了(liǎo)維修(xiū)成本的(dí)同時(shí)提高(gāo)了自動化測試(shì)的效率。

        6）Interlock互鎖(suǒ)功(gōng)能(néng)，確(què)保(bǎo)高(gāo)壓下(xià)操(cāo)作(zuò)環境安(ān)全(quán)（僅TH513）

在(zài)測試功率器件需施加(jiā)高(gāo)壓，因此對於操作者(zhě)及其(qí)他(tā)設備(bèi)的(dí)安(ān)全隔(gé)離(lí)非(fēi)常重(zhòng)要(yào)，特別(bié)是在(zài)自(zì)動(dòng)化(huà)產綫，通常會將高(gāo)壓設備(bèi)放置在(zài)一個隔離的環境，並通(tōng)過安(ān)全門開啟關(guān)閉來保證操作者的安全。

TH510係(xì)列(liè)功率器件CV特性分析(xī)儀(yí)配置了Interlock接(jiē)口，可(kě)與安全(quán)門開關連接，在(zài)安(ān)全門開(kāi)啟時切斷高壓(yā)輸(shū)出並禁止儀器(qì)啟動(dòng)，隻(zhī)有關閉(bì)後才能正常工作(zuò)。確(què)保(bǎo)了操(cāo)作(zuò)者和設(shè)備的安全。

        7）模(mó)組式(shì)器件(jiàn)設(shè)置，支持(chí)定製(zhì)

針(zhēn)對模組(zǔ)式器(qì)件如雙(shuāng)路（Dual）MOSFET，多組式(shì)IGBT，有些器(qì)件(jiàn)會(huì)有(yǒu)不同類型芯片混合(hé)式(shì)封(fēng)裝，TH510係列(liè)CV特性分析儀(yí)針(zhēn)對此(cǐ)情況(kuàng)做了優化，常見(jiàn)模組式芯片(piàn)Demo已內置，特(tè)殊芯(xīn)片支持(chí)定製。

        8）10檔分(fēn)選及(jí)可編(biān)程(chéng)HANDLER接(jiē)口

儀器提(tí)供(gōng)了10檔(dàng)分選(xuǎn)，為客(kè)戶產(chǎn)品質量(liáng)分級提(tí)供了(liǎo)可(kě)能，分選結果(guǒ)直(zhí)接輸(shū)出至(zhì)HANDLER接(jiē)口

在(zài)與(yǔ)自動化(huà)設(shè)備連(lián)接(jiē)時，怎麼(mó)配置(zhì)HANDLER接口(kǒu)輸出，一(yī)直是自(zì)動化(huà)客戶的難題(tí)，TH510係列(liè)LCR將HANDLER接口(kǒu)腳(jiǎo)位，輸(shū)入輸(shū)出(chū)方(fāng)式(shì)，對應(yīng)信號，應答方(fāng)式等(děng)可視化(huà)，讓自動化(huà)連接(jiē)更簡(jiǎn)單。

H.  簡單快捷(jié)設置(zhì)

單(dān)測設置界(jiè)麵

列(liè)表掃(sǎo)描設置界(jiè)麵(miàn)

參(cān)數(shù)可以任意(yì)選擇(zé)，可(kě)打(dǎ)開(kāi)及(jí)關(guān)閉，關閉參(cān)數(shù)可有效節約(yuē)時(shí)間和(hé)數據(jù)傳(chuán)輸；延時時(shí)間(jiān)可自(zì)動(dòng)設(shè)置或自行(háng)設置(zhì)；柵極電阻可選漏(lòu)源短(duǎn)路或(huò)漏源開(kāi)路。

CV掃描設(shè)置界麵

采用圖(tú)形化設置(zhì)界麵，功(gōng)能(néng)參(cān)數對應(yīng)原理(lǐ)圖(tú)設置(zhì)一(yī)目(mù)了(liǎo)然(rán)。

I. 支持(chí)定製(zhì)化，智能固(gù)件升(shēng)級方式

同(tóng)惠(huì)儀(yí)器對於(yú)客戶(hù)而(ér)言是(shì)開(kāi)放(fàng)的，儀器所有(yǒu)接口(kǒu)，指令(líng)集均(jūn)為開放設計，客戶可(kě)自(zì)行編程集(jí)成或(huò)進(jìn)行(háng)功(gōng)能(néng)定製(zhì)，定(dìng)製(zhì)功能若(ruò)無(wú)硬(yìng)件(jiàn)更(gēng)改，可(kě)直接(jiē)通過(guò)固件(jiàn)升級(jí)方式(shì)更(gēng)新(xīn)。

儀(yí)器本身功(gōng)能(néng)*，BUG解決，功能(néng)升級(jí)等(děng)，都可以通(tōng)過升(shēng)級固(gù)件(jiàn)(Firmware)來進行(háng)更新(xīn)，而(ér)無(wú)需返廠進(jìn)行。

固件升(shēng)級非(fēi)常(cháng)智能，可(kě)以通(tōng)過係(xì)統(tǒng)設(shè)置(zhì)界(jiè)麵或(huò)者文件(jiàn)管理界(jiè)麵進行(háng)，智(zhì)能(néng)搜(sōu)索(suǒ)儀(yí)器(qì)內(nèi)存，外接(jiē)優(yōu)盤甚至(zhì)是局域(yù)網內升級(jí)包，並(bìng)自動進(jìn)行(háng)升(shēng)級。

J.   半(bàn)導體元件寄生(shēng)電(diàn)容知(zhī)識(shí)

在高(gāo)頻電(diàn)路中，半(bàn)導體器件的(dí)寄(jì)生電(diàn)容往(wǎng)往會(huì)影響(xiǎng)半(bàn)導體的動(dòng)態特(tè)性，所以(yǐ)在設計半(bàn)導(dǎo)體元件時(shí)需(xū)要考慮(lǜ)下列因素：

在高頻電(diàn)路設(shè)計(jì)中往往需(xū)要(yào)考慮二(èr)極管結(jié)電容(róng)帶來的影(yǐng)響；

MOS管(guǎn)的(dí)寄生(shēng)電(diàn)容(róng)會(huì)影響管子(zǐ)的動作時間，驅(qū)動(dòng)能(néng)力和開(kāi)關損(sǔn)耗(hào)等多方麵(miàn)特(tè)性；

寄生電容(róng)的電壓依賴(lài)性在電路設(shè)計中也是至(zhì)關重要，以(yǐ)MOSFET為(wéi)例

漏(lòu)源(yuán)短(duǎn)接，用交流信號(hào)測得(dé)的(dí)柵(zhà)極(jí)和(hé)源極(jí)之間的(dí)電(diàn)容，Ciss = Cgs   +Cgd

影響(xiǎng)延遲(chí)時間(jiān)；Ciss越大，延(yán)遲時(shí)間越長

Coss

輸出(chū)電(diàn)容(róng)

柵(zhà)源短接(jiē)，用交流信號測得(dé)的漏(lòu)極和(hé)源(yuán)極之間(jiān)的電容，Coss = Cds   +Cgd

Crss越大，漏(lòu)極電(diàn)流上(shàng)升特性越差，這(zhè)不(bù)利於(yú)MOSFET的(dí)損耗。高速(sù)驅動(dòng)需要低(dī)電容。

Crss

反(fǎn)向(xiàng)傳輸電容

源(yuán)極(jí)接(jiē)地，用交流(liú)型(xíng)號測得(dé)的漏(lòu)極(jí)和(hé)柵極(jí)之間的(dí)電容(róng)，也(yě)稱米(mǐ)勒電(diàn)容

反(fǎn)向傳輸電容(róng)等同(tóng)於(yú)柵(zhà)漏電容。Crss = Cgd

影響關(guān)斷(duàn)特(tè)性和(hé)輕載(zǎi)時(shí)的損(sǔn)耗(hào)。如果Coss較大，關斷dv／dt減(jiǎn)小，這(zhè)有利於噪(zào)聲(shēng)。但輕載(zǎi)時的(dí)損耗增加。

Rg

柵極輸入(rù)電阻

Rg被(bèi)定(dìng)義漏源(yuán)短(duǎn)接，偶爾(ěr)也被定義為(wéi)漏(lòu)極(jí)開路

K.   標(biāo)配附件

CV測(cè)試夾具TH513-1

USB轉RC232通(tōng)訊綫纜(lǎn)TH26071C

TH512國(guó)產(chǎn)半(bàn)導體參數(shù)分析儀規(guī)格(gé)參數指(zhǐ)標(biāo)