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產品特性Product characteristics

“精(jīng)"——上海市先(xiān)JIN企業!

“專"——專注(zhù)工業測(cè)試(shì)十(shí)六(liù)年!

“特(tè)"——德國萊茵TUV認(rèn)證(zhèng)供應(yīng)商!

“新"——注冊(cè)資(zī)本(běn)實繳壹仟萬(wàn)元(yuán)!實(shí)繳資金行(háng)業中居(jū)前(qián)茅!抗金融風險能(néng)力強!

微電子(zǐ)係統集(jí)成電(diàn)路教學實(shí)驗平台支持(chí)實驗

 肖(xiāo)特基勢壘(lěi)特(tè)性及(jí)雜(zá)質(zhì)的測(cè)量

 電(diàn)阻(zǔ)式傳(chuán)感器的(dí)工作(zuò)原理(lǐ)與測量(liáng)

 場(cháng)效(xiào)應晶體管直(zhí)流(liú)參數測(cè)試(shì)

 PN結直(zhí)流(liú)特(tè)性測試(shì)及PN結參(cān)數的變(biàn)溫測(cè)試

 雙(shuāng)極型晶體(tǐ)管直流(liú)參(cān)數的測量(liáng)

 MOS器(qì)件靜態特性測試(shì)分(fēn)析(xī)

 MOS器(qì)件CV特性(xìng)測(cè)試(shì)

 MOS器件動態(tài)開(kāi)關特性測試(shì)

 集成運放(fàng)特性分(fēn)析(xī)測(cè)試(shì)（上(shàng)，下(xià)）

應用

高校集成(chéng)電路(lù)學院(yuàn)

高校(xiào)微電(diàn)子係(xì)

高校物理(lǐ)係(xì)

高校(xiào)電子電工係(xì)

簡(jiǎn)介

順應科(kē)技發(fā)展(zhǎn)，yin領人才(cái)教(jiào)育

科技是(shì)第(dì)一生(shēng)產(chǎn)力，人(rén)才是(shì)第一(yī)資源。

教(jiào)育(yù)的首要(yào)任務(wù)是快(kuài)速提(tí)升(shēng)人(rén)才培養質量，順應(yīng)新時(shí)代的(dí)發(fā)展(zhǎn)步伐，從(cóng)產業(yè)需求(qiú)及(jí)國(guó)際形(xíng)勢(shì)出(chū)發，我國急(jí)需(xū)培養出一大批能(néng)夠開(kāi)展理(lǐ)論(lùn)研(yán)究(jiū)，半(bàn)導體設(shè)計，掌握(wò)工藝(yì)流程以及研發管理(lǐ)的復(fù)合型人(rén)才，這(zhè)就對高(gāo)等(děng)教(jiào)育的(dí)專(zhuān)業(yè)基(jī)礎實(shí)踐(jiàn)課(kè)程(chéng)提出(chū)了更高的要求(qiú)。

同惠(huì)電子(zǐ)成立以(yǐ)來一(yī)直專注(zhù)於測(cè)量(liáng)測(cè)試(shì)領域，結(jié)合自(zì)身(shēn)再(zài)微電(diàn)子(zǐ)和(hé)半導(dǎo)體(tǐ)領域(yù)的(dí)測量(liáng)測試經(jīng)驗，多(duō)年(nián)的(dí)產學研(yán)合作經(jīng)驗以及上下遊廠商對於人(rén)才能(néng)力(lì)的要求(qiú)，針(zhēn)對性(xìng)的設計了微(wēi)電子實(shí)驗係(xì)統，將(jiāng)實(shí)踐(jiàn)落實(shí)到教(jiào)學，測(cè)試(shì)理念引入(rù)到教學(xué)環節(jié)中，為(wéi)微(wēi)電(diàn)子(zǐ)和半(bàn)導體實(shí)踐(jiàn)教(jiào)學提(tí)供了新的方(fāng)向(xiàng)。

微電(diàn)子(zǐ)教學(xué)平台基(jī)本(běn)特點

豐富的實(shí)驗項目

微電子(zǐ)教學(xué)實(shí)驗(yàn)係統提供了多達九種實驗(yàn)項(xiàng)目，涵蓋(gài)了(liǎo)微電子(zǐ)學，集(jí)成(chéng)電(diàn)路設(shè)計(jì)等方(fāng)麵(miàn)。這些(xiē)實(shí)驗項目(mù)旨在(zài)幫助(zhù)學生全(quán)麵(miàn)了(liǎo)解微電子學(xué)的基本原理和集成(chéng)電(diàn)路(lù)設(shè)計的方法。

靈(líng)活(huó)的實(shí)驗配(pèi)置(zhì)

根據(jù)不同(tóng)的(dí)教學需求和實(shí)驗(yàn)課程(chéng)設置，微電子(zǐ)教學實(shí)驗(yàn)係(xì)統(tǒng)支持多種不(bù)同(tóng)的實驗配置。學生(shēng)可以(yǐ)根據(jù)自(zì)己的興趣和(hé)需求選(xuǎn)擇(zé)合(hé)適(shì)的實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目(mù)，進行個性(xìng)化的學(xué)習和實踐(jiàn)。

實驗平台采(cǎi)用模(mó)塊化設計(jì)，可根(gēn)據不同(tóng)教學(xué)需求(qiú)，實驗課程(chéng)，方(fāng)案(àn)預算(suàn)等進(jìn)行(háng)任意配置。*的(dí)實(shí)驗設備

*的實(shí)驗設備

微(wēi)電(diàn)子教(jiào)學實驗係(xì)統采用了*的實驗(yàn)設備和技(jì)術，如新科技產(chǎn)品
：半導(dǎo)體(tǐ)CV特性測試儀(yí)，數(shù)字示(shì)波器(qì)，雙通(tōng)道(dào)數字源表，信號(hào)源(yuán)等，這(zhè)些設(shè)備(bèi)可以為學(xué)生提供真實的(dí)現實(shí)微(wēi)電子設計，製(zhì)造及測(cè)試環(huán)境，有(yǒu)利於學(xué)生畢業後更快適(shì)應微電子(zǐ)行(háng)業(yè)環境。

易於(yú)操作的(dí)學習(xí)平(píng)台

根據(jù)不(bù)同的(dí)教(jiào)學(xué)需求和實驗(yàn)課(kè)程設置，微電(diàn)子(zǐ)教(jiào)學實驗(yàn)係統支(zhī)持(chí)多種不(bù)同(tóng)的實驗配置。學(xué)生可(kě)以(yǐ)根據自(zì)己的興微電子教學實(shí)驗係統采(cǎi)用了直觀的操作(zuò)界(jiè)麵和友好(hǎo)的人(rén)機(jī)交(jiāo)互(hù)設計，圖文(wén)化(huà)教(jiào)學(xué)使學生(shēng)能夠輕(qīng)鬆(sōng)地學(xué)習(xí)到微電(diàn)子(zǐ)，集成電(diàn)路，測試儀(yí)器(qì)的基本原(yuán)理(lǐ)及實驗(yàn)操作。同時(shí)，實(shí)驗(yàn)台還(huán)提(tí)供(gōng)了詳(xiáng)細的實驗(yàn)步驟(zhòu)和故障(zhàng)排除(chú)指南，幫助學生解(jiě)決實驗過程(chéng)中遇到的問題。

技(jì)術(shù)參(cān)數

微(wēi)電子教學實(shí)驗係(xì)統總(zǒng)體(tǐ)方(fāng)案

微電(diàn)子(zǐ)係統集成(chéng)電路(lù)教學實驗(yàn)平台(tái)實驗內容

肖特(tè)基(jī)勢壘特(tè)性(xìng)及雜質的測量

適用(yòng)課程(chéng)

實驗(yàn)目的(dí)

測量(liáng)儀器設(shè)備

半導體器件原理(lǐ)

掌(zhǎng)握肖特(tè)基二極管(guǎn)的(dí)結構 

TH511E半(bàn)導體器(qì)件CV特(tè)性分(fēn)析(xī)儀

固體(tǐ)物理基礎(chǔ)

掌握肖特(tè)基勢(shì)壘(lěi)結(jié)的(dí)形成(chéng)原理(lǐ)

TH1992B精密(mì)源/測量單元(yuán)

半導(dǎo)體材(cái)料基(jī)礎

掌(zhǎng)握肖特(tè)基(jī)二極(jí)管(guǎn)的整流特性和(hé)勢(shì)壘電(diàn)容

TH26011D直流(liú)偏置夾具

電子(zǐ)薄(báo)膜材(cái)料(liào)與器件

學會測量(liáng)肖(xiāo)特(tè)基(jī)二(èr)極管的(dí)C-V特(tè)性(xìng)

半導(dǎo)體(tǐ)元(yuán)件實驗盒(hé)

學會(huì)計算雜(zá)質濃度(dù)

電阻式傳(chuán)感(gǎn)器的工(gōng)作原(yuán)理(lǐ)與(yǔ)測量        

適(shì)用(yòng)課(kè)程

實驗目(mù)的(dí)

測(cè)量儀(yí)器設備

矽光(guāng)測試實(shí)驗(yàn)

掌握(wò)各種不同電(diàn)阻(zǔ)式(shì)傳感(gǎn)器(qì)原(yuán)理(lǐ)

TH511E 半(bàn)導體器件(jiàn)CV特性分析(xī)儀(yí)

掌(zhǎng)握LCR測量阻抗(kàng)方式(shì)

場效應(yīng)晶體管直流(liú)參數(shù)測試

適(shì)用課(kè)程(chéng)

實驗目(mù)的(dí)

測(cè)量儀器設(shè)備

半(bàn)導體(tǐ)器件(jiàn)原(yuán)理

掌(zhǎng)握(wò)MOSFET基本(běn)結(jié)構(gòu)與工作原(yuán)理

TH1992B精密源/測(cè)量單元(yuán)

固(gù)體物理(lǐ)基礎(chǔ)

掌握MOSFET各參數(shù)的定義(yì)

半導體元(yuán)件實驗盒

半導體(tǐ)材(cái)料基(jī)礎(chǔ)

掌(zhǎng)握(wò)測(cè)量MOSFET轉(zhuǎn)移(yí)特(tè)性曲(qū)綫(xiàn)與(yǔ)輸出特(tè)性(xìng)曲綫(xiàn)的方(fāng)法

直流特性測試(shì)軟件

模擬集成電路

PN結(jié)直流特性(xìng)測試(shì)及PN結參數的變溫測(cè)試

適(shì)用(yòng)課程(chéng)

實(shí)驗(yàn)目的

測(cè)量儀器設備(bèi)

半(bàn)導體器件原理

掌握穩壓(yā)二極(jí)管工作原理(lǐ)

TH1992B精(jīng)密(mì)源(yuán)/測(cè)量單(dān)元(yuán)

固體物(wù)理(lǐ)基礎

掌(zhǎng)握穩壓二(èr)極管伏安特性和(hé)參數定(dìng)義(yì)

恒(héng)溫(wēn)箱(xiāng)

半導體(tǐ)材料基礎

學(xué)會使用(yòng)TH1902B型(xíng)源表和恒溫箱(xiāng)測試二極(jí)管溫度(dù)特性(xìng)

半導體元件(jiàn)實驗(yàn)盒

雙極型晶體(tǐ)管直流參數的(dí)測量

適用課程(chéng)

實驗(yàn)目(mù)的

測量儀器(qì)設備(bèi)

半導體器(qì)件原(yuán)理(lǐ)

掌握雙極(jí)型晶體(tǐ)管的(dí)基(jī)本結(jié)構(gòu)及主要(yào)參(cān)數(shù)的(dí)定義(yì)

TH1992B精密源(yuán)/測(cè)量單元

半(bàn)導體材料(liào)基(jī)礎(chǔ)

掌(zhǎng)握(wò)利(lì)用(yòng)源表進(jìn)行雙(shuāng)極型(xíng)晶(jīng)體管輸入特(tè)性和輸出特性(xìng)曲綫的(dí)測(cè)量(liáng)方法

半導體元(yuán)件實(shí)驗盒(hé)

模擬集成電(diàn)路(lù)

了解雙極型晶體管輸(shū)出(chū)特性的常見缺(quē)陷(xiàn)及其產(chǎn)生的原因

MOS器件靜(jìng)態(tài)特(tè)性測試(shì)分析(xī)

適(shì)用課(kè)程(chéng)

實驗(yàn)目(mù)的

測量(liáng)儀器設備(bèi)

半導體器件原(yuán)理

掌握MOFFET飽(bǎo)和(hé)漏電(diàn)流IDSS，閾(yù)值(zhí)電壓VTH，跨導等測量方法(fǎ)

TH1992B精密源/測(cè)量單(dān)元

半導(dǎo)體材料(liào)基礎

掌(zhǎng)握(wò)測(cè)量MOSFET輸(shū)出特性(xìng)曲綫(xiàn)的(dí)方法(fǎ)

半(bàn)導體(tǐ)元件實(shí)驗盒

模擬(nǐ)集成電路(lù)

直(zhí)流特性(xìng)測試軟件

MOS器件(jiàn)CV特性(xìng)測試(shì)

適用課程

實(shí)驗(yàn)目(mù)的(dí)

測量(liáng)儀器設(shè)備

半導(dǎo)體器(qì)件原(yuán)理

了解(jiě)場效應管(guǎn)的(dí)動態(tài)參數(shù)與寄(jì)生電(diàn)容(róng)

TH511E半(bàn)導體器件(jiàn)CV特性分析儀(yí)

半導體材料(liào)基(jī)礎

熟(shú)悉動(dòng)態(tài)參(cān)數中Ciss ，Coss ，Crss 等的定義(yì)及(jí)危(wēi)害

半導體(tǐ)元件實驗盒

模擬集(jí)成電路(lù)

掌握動態參(cān)數中(zhōng)Ciss ，Coss ，Crss 等(děng)的測量

掌握(wò)動態參數(shù)中Ciss ，Coss ，Crss 曲(qū)綫(xiàn)掃描

MOS器(qì)件(jiàn)動態開關特性測試(shì)

適用課程

實驗目(mù)的

測量(liáng)儀(yí)器設備(bèi)

半導體(tǐ)器件原(yuán)理

掌(zhǎng)握(wò)MOSFET開啟過程

數(shù)字(zì)存儲示波(bō)器(qì)

半導體材料基(jī)礎

掌握MOSFET開關時(shí)間定義

函數(shù)信(xìn)號(hào)發(fā)生器(qì)

模擬集(jí)成(chéng)電(diàn)路

熟悉(xī)函數信號發生(shēng)器使用

動(dòng)態開關特性分(fēn)析(xī)軟件(jiàn)

熟悉(xī)數(shù)字存(cún)儲示波(bō)器使用

半導體元(yuán)件實驗盒

集(jí)成(chéng)運(yùn)放(fàng)特(tè)性(xìng)分(fēn)析測試（上，下）

適(shì)用課程

實驗目(mù)的(dí)

測量(liáng)儀(yí)器設(shè)備(bèi)

半(bàn)導體器件(jiàn)原(yuán)理

了(liǎo)解(jiě)集成(chéng)電(diàn)路的概念，熟悉(xī)集成(chéng)運放(fàng)放大器(qì)的(dí)結(jié)構

TH1992B精密(mì)源/測量單元(yuán)

半導(dǎo)體材料(liào)基(jī)礎

熟悉(xī)集(jí)成電路(lù)放(fàng)大器中的各種(zhǒng)參(cān)數概念(niàn)

TH1963A 數字多用表(biǎo)

數字集成電路(lù)

掌(zhǎng)握集成(chéng)電路放大(dà)器的參數(shù)測量方法

數字(zì)存(cún)儲示(shì)波(bō)器

模擬集成電(diàn)路(lù)

函數信號(hào)發生器

集成電路(lù)實驗(yàn)盒

實驗課(kè)程(chéng)

序(xù)號(hào)

實(shí)驗名稱

理論課名稱

課(kè)程體係

1肖特(tè)基(jī)勢壘特性及雜質(zhì)的(dí)測量(liáng)

半導體(tǐ)器件(jiàn)原理

固體物(wù)理基(jī)礎

半導體(tǐ)材(cái)料基(jī)礎(chǔ)

電(diàn)子薄(báo)膜材(cái)料與器件

半導體器件(jiàn)物理(lǐ)

2電阻式傳感器的工(gōng)作原理與測(cè)量

矽光測(cè)試實(shí)驗

3場效應(yīng)晶體(tǐ)管(guǎn)直流參數(shù)測(cè)試

半導(dǎo)體(tǐ)器(qì)件原(yuán)理(lǐ)

固(gù)體(tǐ)物理基(jī)礎

半導體(tǐ)材(cái)料基(jī)礎(chǔ)

模擬集(jí)成電(diàn)路(lù)

半導(dǎo)體器件物理

半導(dǎo)體器件(jiàn)可(kě)靠(kào)性

4，PN結(jié)直流(liú)特性測(cè)試(shì)及PN結(jié)參數的(dí)變溫測試(shì)

半導(dǎo)體器(qì)件(jiàn)原(yuán)理

固(gù)體物理基礎

半導(dǎo)體材料(liào)基礎

5，雙極型(xíng)晶體管(guǎn)直(zhí)流參(cān)數(shù)的(dí)測量

半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)器(qì)件(jiàn)原(yuán)理(lǐ)

半(bàn)導體(tǐ)材料基(jī)礎(chǔ)

模擬(nǐ)集(jí)成(chéng)電(diàn)路

6，MOS器件(jiàn)靜態特(tè)性(xìng)測試(shì)分(fēn)析

半導(dǎo)體器件原理

半導體材(cái)料(liào)基礎(chǔ)

模擬集成電路

半(bàn)導體器件(jiàn)物(wù)理

半導(dǎo)體(tǐ)器件可靠(kào)性

集成電路原(yuán)理(lǐ)與設計

7，MOS器(qì)件CV特性測試(shì)

半導體(tǐ)器件(jiàn)原理

半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)材料(liào)基(jī)礎(chǔ)

模擬集成電路

8，MOS器件(jiàn)動態開關特性測試

半導體(tǐ)器(qì)件(jiàn)原(yuán)理

半(bàn)導體材(cái)料(liào)基(jī)礎(chǔ)

模擬集(jí)成電路

9，集(jí)成運放(fàng)特性分析測(cè)試（上(shàng)，下）

半(bàn)導體(tǐ)器(qì)件(jiàn)原理

半(bàn)導(dǎo)體材(cái)料基礎(chǔ)

數(shù)字集(jí)成(chéng)電路