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上海堅(jiān)融(róng)實(shí)業(yè)碳(tàn)納米管MOSFET電流-電壓特性IV曲綫測(cè)試

日期(qī)：2014-06-13瀏(liú)覽：2803次(cì)

    上海堅(jiān)融(róng)實業碳(tàn)納米(mǐ)管(guǎn)MOSFET電(diàn)流(liú)-電壓(yā)特(tè)性IV曲(qū)綫測(cè)試

    實驗(yàn)室中(zhōng)研究的(dí)許多納米級(jí)材料和器(qì)件，zui常(cháng)見的(dí)電(diàn)氣(qì)特性分析方法是電(diàn)流與電(diàn)壓(yā) (I-V) 測(cè)試(shì)。電(diàn)流(liú)-電壓(yā)特性是顯示電子器(qì)件(jiàn)上的直流電流(liú)與其兩端的直(zhí)流(liú)電(diàn)壓之(zhī)間關(guān)係的(dí)一幅圖。電氣工程(chéng)師(shī)使用這些圖(tú)確定(dìng)器件(jiàn)的(dí)基(jī)本參(cān)數並(bìng)對電(diàn)子電(diàn)路的行為建模。通常，工程師將特性(xìng)分析(xī)圖稱為 I-V曲(qū)綫，從而(ér)指用(yòng)於電(diàn)流和(hé)電壓(yā)的標準符號(hào)。典型(xíng)的(dí)碳(tàn)納米(mǐ)管MOSFET 的漏電壓與漏(lòu)電(diàn)流 I-V 曲(qū)綫。

    上海堅(jiān)融實(shí)業有限公司對(duì)於(yú)納米(mǐ)電子(zǐ)的具體(tǐ)電流與電(diàn)壓測量(liáng)有自己的(dí)選型指(zhǐ)南(nán)方案(àn)，可以(yǐ)協(xié)助納米(mǐ)科學研(yán)究人員進(jìn)行
1.精(jīng)密，有(yǒu)把(bǎ)握(wò)地分(fēn)析納米材(cái)料(liào)和實驗器(qì)件(jiàn)的(dí)能(néng)力；
2.直流(liú)，脈(mài)衝(chōng)，射頻(pín)測試：拓展發(fā)現的(dí)潛(qián)力(lì)；
3.吉時利KEITHLEY4200-SCS 符(fú)合並且(qiě)支持(chí)世界(jiè)*項用(yòng)於碳(tàn)納米管的電測(cè)量(liáng)標準 —— IEEE P1650-2005 標準：“測(cè)量(liáng)碳(tàn)納(nà)米管(guǎn)電(diàn)氣特(tè)性的 IEEE 標準測試方法”。
4.吉時(shí)利(lì)KEITHLEY高速和簡潔的測試(shì)方(fāng)案能(néng)讓生物(wù)學家，化(huà)學家，物理(lǐ)學家(jiā)或(huò)其(qí)他(tā)研究人(rén)員簡(jiǎn)便地進行復(fù)雜(zá)測量(liáng)。
5.吉(jí)時(shí)利(lì)產品在(zài)久(jiǔ)負盛名(míng)的納(nà)米科(kē)學研究(jiū)期(qī)刊中廣(guǎng)泛使(shǐ)用和引用，例如：
- 《納米快(kuài)報》(Nano Letters)    - 《納米技(jì)術(shù)》(Nanotechnology)    - 《IEEE 納米(mǐ)技術(shù)匯刊(kān)》(IEEE Transactions on Nanotechnology)
- 《先進(jìn)材料》(Advanced Materials)    - 《自(zì)然》(Nature)    - 《應用物(wù)理(lǐ)快(kuài)報(bào)》(Applied Physics Letters)

 
納(nà)米聯(lián)盟合(hé)作夥(huǒ)伴資源有(yǒu)：納(nà)米工(gōng)程功能(néng)材(cái)料(liào)研究(jiū)中心(xīn) (FENA)，西部納米(mǐ)電子研(yán)究(jiū)所 (WIN)，加(jiā)州納米係統研究院 (合作(zuò)夥(huǒ)伴)

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