新聞資(zī)訊您(nín)當(dāng)前的(dí)位置：首(shǒu)頁(yè) > 新聞資訊 > 基於(yú)KEITHLEY2600源表MOSFET場(cháng)效應管特(tè)性分析

基於KEITHLEY2600源表MOSFET場效(xiào)應管(guǎn)特(tè)性(xìng)分(fēn)析

日期(qī)：2014-07-03瀏覽：2587次

基(jī)於美(měi)國(guó)吉時利(lì)KEITHLEY2600係列數(shù)字源(yuán)表(biǎo)的(dí)MOSFET場效(xiào)應(yīng)晶(jīng)體(tǐ)管(guǎn)特性(xìng)分析解決(jué)方案

半導體微米(mǐ)，納(nà)米製(zhì)造(zào)技(jì)術(shù)，工藝和電特(tè)性分析(xī)涉及(jí)到(dào)製造(zào)，分析和評估(gū)各種半(bàn)導體器件，例(lì)如(rú)二(èr)極管，雙(shuāng)極(jí)晶體管(guǎn)和場(cháng)效應晶(jīng)體(tǐ)管，無(wú)源(yuán)元(yuán)件乃(nǎi)至集成電路器(qì)件。為了簡(jiǎn)單(dān)，快(kuài)速(sù)地測量(liáng)二(èr)極管，晶(jīng)體管，運放等(děng)有(yǒu)源器(qì)件(jiàn)和的半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)器件(jiàn)結構，上(shàng)海堅融(róng)實業推(tuī)出(chū)了基於美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY2600係列(liè)數(shù)字(zì)源表(biǎo)的(dí)MOSFET場(cháng)效應(yīng)晶體管特性分(fēn)析(xī)解決方(fāng)案。吉時(shí)利的2400係列(liè)SourceMeter儀器(qì)和2600係(xì)列數字源表在一台儀器(qì)中集(jí)成(chéng)了精密電源，真(zhēn)電流源(yuán)和 DMM 等多(duō)種(zhǒng)測試功(gōng)能。2600 係列(liè)還(huán)包(bāo)含任意(yì)波形(xíng)發(fā)生(shēng)器，帶測量(liáng)功能(néng)的電(diàn)壓或(huò)電(diàn)流(liú)脈衝(chōng)發生(shēng)器(qì)，電子(zǐ)負(fù)載(zǎi)和(hé)觸(chù)發(fā)控(kòng)製器(qì)。當(dāng)設(shè)計和(hé)試驗(yàn)低(dī)電阻，低(dī)功耗(hào)半導體器(qì)時(shí)，管理電源對於(yú)防止(zhǐ)器(qì)件損壞而(ér)言(yán)至(zhì)關重(zhòng)要。分析(xī)現代材(cái)料，半導體(tǐ)和納(nà)米電(diàn)子元(yuán)件(jiàn)的(dí)電阻(zǔ)需(xū)要輸出極低(dī)電流(liú)和測量(liáng)極低(dī)電(diàn)壓的能力(lì)。吉(jí)時(shí)利(lì)的(dí) delta 模式 (電(diàn)流(liú)反轉極性(xìng)) 電(diàn)阻測量(liáng)功能(néng)結合(hé)了(liǎo) 6220 或 6221 的(dí)低(dī)電流(liú) DC 源能(néng)力以及2182A 的低壓測量精度(dù)，從而(ér)非常適合(hé)於低阻測量(liáng) (低至 10 nΩ) 適(shì)於分析(xī)導通電(diàn)阻(zǔ)參(cān)數，互(hù)連和低(dī)功率半(bàn)導體(tǐ)。

亞微米集成(chéng) MOSFET
輸出特性：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增(zēng)強(qiáng)或(huò)耗(hào)盡)，溝道長(cháng)度調製參(cān)數(λ) 在(zài)飽和(hé)區(qū)域 (VDS<–3V) 有(yǒu)效溝道長(cháng)度與(yǔ) VDS 的關係。

襯(chèn)底偏壓特性：
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
傳輸特(tè)性：
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k. Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.

襯底(dǐ)電(diàn)流特(tè)性：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
亞閾(yù)值特(tè)性：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.

雙極結(jié)型(xíng)晶體管(guǎn)
正向共發射極輸出特性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測量(liáng)。
正(zhèng)向(xiàng) CE 輸(shū)入特(tè)性：Ib = f (Vbe) 對於幾個(gè) Vce 正值。
正(zhèng)向 Gummel 曲綫(xiàn)： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
確(què)定增(zēng)益 βf = Ic/Ib 和 af。
Βf 與 log(Ic) 的關(guān)係：低注(zhù)入和(hé)高(gāo)注入的(dí)效果。
非理想(xiǎng)特性(xìng)：爾(ěr)利電壓(yā)。
反向 CE 輸出特性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
反(fǎn)向(xiàng) CE 傳(chuán)輸(shū)特性(xìng)：Ib=f(Vbe) 對於幾(jī)個Vce負(fù)值(zhí)。
反向 Gummel 曲(qū)綫(xiàn)： logIe, logIb=f(Vbc>0).
確定增益(yì) βr = Ie/Ib 和(hé) ar。
Βr 與(yǔ) log(Ie) 的關(guān)係：低(dī)注(zhù)入和高(gāo)注入的(dí)效果。
Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定，對於(yú)給(gěi)定的 Ib 電(diàn)流。
Ebers Moll 模(mó)型(xíng)構建並(bìng)且與實驗(yàn)做比(bǐ)較(jiào)。
BE 和 CE 結(jié)的 C-V 特性分析(xī)。基區(qū)摻雜(zá)濃(nóng)縮。

上(shàng)一(yī)篇：萬用(yòng)表DMM源測(cè)SMU晶體管反(fǎn)向(xiàng)漏(lòu)電，擊穿電(diàn)壓(yā)，閾值(zhí)電(diàn)壓測試

下一(yī)篇：上海(hǎi)堅(jiān)融實業碳(tàn)納米(mǐ)管MOSFET電(diàn)流-電壓特性(xìng)IV曲(qū)綫測試

新聞資(zī)訊您(nín)當(dāng)前的(dí)位置：首(shǒu)頁(yè) > 新聞資訊 > 基於(yú)KEITHLEY2600源表MOSFET場(cháng)效應管特(tè)性分析

基於KEITHLEY2600源表MOSFET場效(xiào)應管(guǎn)特(tè)性(xìng)分(fēn)析

產(chǎn)品(pǐn)分(fēn)類

聯(lián)係我們