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新聞(wén)資訊您當前的位(wèi)置(zhì)：首頁(yè) > 新聞資(zī)訊 > 萬(wàn)用表(biǎo)DMM源測(cè)SMU晶體管反(fǎn)向(xiàng)漏電，擊穿(chuān)電(diàn)壓(yā)，閾值(zhí)電壓測(cè)試

萬用(yòng)表(biǎo)DMM源測(cè)SMU晶體管反(fǎn)向漏(lòu)電，擊穿電壓，閾(yù)值(zhí)電(diàn)壓測試

日期：2014-07-14瀏覽：2880次(cì)

吉(jí)時利KEITHLEY2000萬用表(biǎo)DMM，2600源測(cè)量單元SMU進行晶(jīng)體管，運放正向(xiàng)電(diàn)壓，反(fǎn)向(xiàng)漏電，反向擊(jī)穿電(diàn)壓，閾值電(diàn)壓，β和跨(kuà)導(dǎo)參數(shù)測(cè)試(shì)
    序(xù)由：歐姆定(dìng)律指出(chū)電路(lù)元件兩(liǎng)端的電壓 V 與流(liú)經電路元件的電流 I 和(hé)此元件的(dí)電阻 R 的(dí)關係(xì)：R = V/I。2 端 DMM 通(tōng)過測試綫輸出測試(shì)電(diàn)流zui終流入(rù) DMM 的(dí) HI-LO 輸入端(duān)子。這(zhè)種 2 綫歐姆(mǔ)係(xì)統適(shì)合大(dà)多數電(diàn)阻(zǔ)測量應(yīng)用。然(rán)而，測試綫的 I-R 壓降(jiàng)會(huì)導(dǎo)致(zhì) (RL) 在較(jiào)低電阻的測(cè)量(liáng)中(zhōng)準確度明(míng)顯降低(dī)。４綫(xiàn)歐姆(mǔ)測量或 Kelvin 測(cè)量通(tōng)過(guò)將兩條高阻(zǔ)抗(kàng)電(diàn)壓感測(cè)綫引(yǐn)出至未知電阻 RX，從而避開(kāi)了 RL 兩端的(dí)電壓(yā)降(jiàng)。由於高輸(shū)入(rù)阻抗導致(zhì)感測電(diàn)路中的電流非常小，因此測試(shì)綫實際上沒有(yǒu) I-R 壓降，而且在兩個(gè)感測(cè)端(duān)子看到的電(diàn)壓與 RX 兩端形成的電壓相(xiāng)等(děng)。

    而美國吉(jí)時利(lì)KEITHLEY源測(cè)量單(dān)元SMU可(kě)以(yǐ)充當用作電(diàn)壓(yā)表(biǎo)，電流(liú)表(biǎo)，歐姆(mǔ)表，電(diàn)源(yuán)或源負(fù)載(zǎi)以(yǐ)測(cè)量(liáng)電壓，電(diàn)流，電(diàn)阻(zǔ)以及I-V特性(xìng)分析(xī)和(hé)曲綫跟蹤(zōng)。然而，SMU 的(dí)真(zhēn)正優(yōu)勢(shì)在(zài)於同時進行源和(hé)測(cè)量——例如在(zài)電阻器，二極(jí)管，晶體管和運放等基礎(chǔ)元器件(jiàn)測量中，對(duì)被(bèi)測器件（負(fù)載(zǎi)）施加電壓並(bìng)測(cè)量(liáng)負載(zǎi)上通過的電(diàn)流，或(huò)著(zhuó)對負(fù)載(zǎi)提供電(diàn)流並測(cè)量(liáng)負載兩(liǎng)端的壓降(jiàng)。源(yuán)測量單元或 SMU 能用作獨(dú)立(lì)的(dí)恒壓源(yuán)或(huò)恒(héng)流(liú)源(yuán)並用作單獨(dú)的電壓(yā)表或(huò)電(diàn)流表。SMU 能測量二(èr)極管(guǎn)的正(zhèng)向電(diàn)壓(yā)，反向漏電和(hé)反向(xiàng)擊穿電(diàn)壓(yā)。SMU 是 I-V 特(tè)性(xìng)分(fēn)析測(cè)試的(dí)核心儀(yí)器，例如探(tàn)測(cè)二極管和(hé)晶體(tǐ)管的(dí)基本(běn)原(yuán)理(lǐ)。兩台(tái) SMU 結合使(shǐ)用就能(néng)進(jìn)行閾值電壓(yā)，β 和跨(kuà)導參數(shù)測試以(yǐ)及產(chǎn)生(shēng)半(bàn)導體曲(qū)綫(xiàn)族。

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產(chǎn)品分(fēn)類